掩模组件的制作方法

文档序号:27683325发布日期:2021-12-01 00:28阅读:130来源:国知局
1.本发明涉及一种掩模组件。
背景技术
::2.作为平板显示装置,液晶显示器(lcd)和有机发光显示装置(oled)正被广泛使用。平板显示装置包括特定图案的金属层,并且在有机发光显示装置的情况下,在每个像素形成特定图案的有机发光层。作为形成金属层和有机发光层的方法可以应用利用掩模组件的沉积法。3.掩模组件包括:掩模,形成有与金属层或有机发光层的图案对应的开口部;掩模框架,支撑掩模。在分割掩模方式中,掩模被分割为以棒状构成的多个分割掩模,每个分割掩模在沿长度方向拉伸的状态下利用焊接固定于掩模框架。4.另外,随着包括于一个有机发光显示装置的像素的大小多样化,与此对应,需要包括于一个掩模组件的开口部的形状的多样化。技术实现要素:5.本发明所要解决的课题是提供一种能够将沉积物质稳定地沉积于基板的掩摸组件。6.本发明的课题并不局限于以上所提及的技术问题,未提及的其他技术课题可以通过以下内容使本领域技术人员明确地理解。7.用于解决上述技术课题的根据一实施例的一种掩模组件包括:掩模框架,包括框架开口部;以及分割掩模,结合于所述掩模框架,包括与所述框架开口部重叠的多个沉积图案部,并且沿第一方向延伸,其中,所述多个沉积图案部中的每一个包括:第一开口区域,包括具有第一宽度的第一开口部;以及第二开口区域,包括具有比所述第一宽度小的第二宽度的第二开口部,其中,所述分割掩模在所述第一开口区域具有第一厚度并在所述第二开口区域具有比所述第一厚度小的第二厚度,所述第二厚度大于所述第一厚度乘以所述第二宽度与所述第一宽度的比率的值。8.所述第一开口部可以包括形成于内部并朝内侧突出的第一突出部,所述第二开口部可以包括形成于内部并朝内侧突出的第二突出部。9.在所述第一开口区域,所述分割掩模可以具有从所述分割掩模的上表面至所述第一突出部的第一上部厚度,并可以具有从所述第一突出部至所述分割掩模的下表面的第一下部厚度,其中,所述第一上部厚度可以小于所述第一下部厚度。10.所述第一上部厚度可以是所述第一厚度的0.2倍以下。11.在所述第二开口区域,所述分割掩模可以具有从所述分割掩模的上表面至所述第二突出部的第二上部厚度,并可以具有从所述第二突出部至所述分割掩模的下表面的第二下部厚度,其中,所述第二上部厚度可以小于所述第二下部厚度。12.所述第二上部厚度可以是所述第二厚度的0.2倍以下。13.所述第一上部厚度可以大于所述第二上部厚度,所述第一下部厚度可以大于所述第二下部厚度。14.所述第二开口区域可以被所述第一开口区域所围绕而布置。15.所述多个沉积图案部可以沿所述分割掩模的延伸方向排列。16.所述分割掩模在所述第一方向上的一端以及另一端可以固定于所述掩模框架17.其他实施例的具体事项包括于详细的说明以及附图。18.根据一实施例的掩模组件,掩模可以按区域包括多种尺寸的开口部,并且可以具有较高的强度。并且,所述掩模可以根据开口部尺寸而按区域具有不同的厚度。因此,可以将沉积物质稳定地沉积于沉积物质以多种尺寸沉积的对象基板。19.根据本发明的实施例的效果并不局限于以上举例示出的内容,更加多样的效果包括在本说明书内。附图说明20.图1是示出根据一实施例的显示装置的立体图。21.图2是示出根据一实施例的显示装置的展开图。22.图3是图2的a区域的放大图。23.图4是图2的b区域的放大图。24.图5是示意性地示出根据一实施例的显示装置的剖视图。25.图6是示意性地示出根据一实施例的沉积装置的图。26.图7是示意性地示出根据一实施例的掩模组件的立体图。27.图8是示意性地示出根据一实施例的分割掩模的平面图。28.图9是沿图8的ix‑ix'切割的剖视图。29.图10是示出根据一实施例的显示装置的制造方法的流程图。30.图11至图13是示出根据一实施例的显示装置的制造方法的剖视图。31.图14是示意性地示出根据另一实施例的分割掩模的平面图。32.图15是示意性地示出根据又一实施例的分割掩模的平面图。33.附图标记说明34.1:显示装置35.100:掩模组件36.130:掩模框架37.140:分割掩模38.142:固定部39.144:沉积图案部40.146:肋部41.h1:第一开口部42.h2:第二开口部43.ha1:第一开口区域44.ha2:第二开口区域具体实施方式45.参照与附图一起详细后述的实施例,可以明确本发明的优点和特征以及达成这些的方法。然而本发明可以实现为互不相同的多种形态,并不限于以下公开的实施例,只是本实施例仅用于使本发明的公开完整,并为了向本发明所属
技术领域
:中具有普通知识的人完整地告知发明范围而提供,本发明仅由权利要求的范围而被定义。46.提及元件(elements)或者层在其他元件或者层“上(on)”的情形包括在其他元件的紧邻的上方的情形以及在中间夹设有其他层或者其他元件的情形的全部情形。贯穿整个说明书,相同附图标记指代相同的构成要素。47.虽然第一、第二等用于叙述多种构成要素,但这些构成要素显然不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分。因此,以下提及的第一构成要素在本发明的技术思想内,显然也可以是第二构成要素。48.以下,参照附图对具体实施例进行说明。49.图1是示出根据一实施例的显示装置的立体图。图2是示出根据一实施例的显示装置的展开图。图3是图2的a区域的放大图。图4是图2的b区域的放大图。50.参照图1至图4,根据一实施例的显示装置1可以应用于诸如移动电话(mobilephone)、智能电话(smartphone)、平板计算机(tabletpersonalcomputer)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp:portablemultimediaplayer)、导航仪、超便携式电脑(umpc:ultramobilepc)等便携式电子设备。并且,显示装置1可以应用为电视、笔记本计算机、监视器、广告板或物联网(iot:internetofthings)的显示部。并且,显示装置1可以应用于诸如智能手表(smartwatch)、手表电话(watchphone)、眼镜型显示器及头戴式显示器(hmd:headmounteddisplay)的可穿戴式装置(wearabledevice)。并且,显示装置1可以应用于车辆的仪表板、车辆的中央仪表板、布置于车辆的仪表板的中央信息显示器(cid:centerinformationdisplay)、替代车辆的侧视镜的室内镜显示器(roommirrordisplay)、或者作为车辆的后座用娱乐设备而布置于前座的背面的显示器。51.在本说明书中,第一方向dr1作为在平面上与显示装置1的短边平行的方向,可以是例如显示装置1的横向方向。第二方向dr2作为在平面上与显示装置1的长边平行的方向,可以是例如显示装置1的纵向方向。第三方向dr3可以是显示装置1的厚度方向。52.根据一实施例的显示装置1可以包括显示面板10。如图1及图2所示,显示面板10可以包括前表面部fs、第一侧表面部ss1、第二侧表面部ss2、第三侧表面部ss3、第四侧表面部ss4、第一边角部cs1、第二边角部cs2、第三边角部cs3及第四边角部cs4。53.显示面板10可以包括能够弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。例如,基板可以是聚醚砜(pes:polyethersulphone)、聚丙烯酸酯(pa:polyacrylate)、聚芳酯(par:polyarylate)、聚醚酰亚胺(pei:polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen:polyethylenenapthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet:polyethyleneterepthalate)、聚苯硫醚(pps:polyphenylenesulfide)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(pi:polyimide)、聚碳酸酯(pc:polycarbonate)、三乙酸纤维素(cat:cellulosetriacetate)、醋酸丙酸纤维素(cap:celluloseacetatepropionate)或其的组合。或者,基板可以包括金属材质的物质。并且,基板的仅一部分区域可以是柔性的区域,或者基板的整个区域可以是柔性的区域。54.前表面部fs可以位于显示面板10的中央,并且可以具有包括沿第一方向dr1延伸的短边并包括沿第二方向dr2延伸的长边的四边形的平面形状,然而并不局限于此。前表面部fs可以具有其他多边形、圆形或椭圆形的平面形状。虽然在图1及图2举例示出了前表面部fs平坦地形成的情形,然而并不局限于此。前表面部fs可以包括曲面。55.第一侧表面部ss1可以从前表面部fs在第一方向dr1上的另一侧延伸。第一侧表面部ss1可以沿前表面部fs在第一方向dr1上的另一侧的第一弯曲线bl1弯曲,据此可以具有第一曲率。56.第二侧表面部ss2可以从前表面部fs在第二方向dr2上的另一侧延伸。第二侧表面部ss2可以沿前表面部fs在第二方向dr2上的另一侧的第二弯曲线bl2弯曲,据此可以具有第二曲率。第二曲率可以与第一曲率不同,然而并不局限于此。57.第三侧表面部ss3可以从前表面部fs在第一方向dr1上的一侧延伸。第三侧表面部ss3可以沿前表面部fs在第一方向dr1上的一侧的第三弯曲线bl3弯曲,据此可以具有第三曲率。第三曲率可以与第一曲率相同,然而并不局限于此。58.第四侧表面部ss4可以从前表面部fs在第二方向dr2上的一侧延伸。第四侧表面部ss4可以沿前表面部fs在第二方向dr2上的一侧的第四弯曲线bl4弯曲,据此可以具有第四曲率。第四曲率可以与第二曲率相同,然而并不局限于此。59.第一边角部cs1可以布置于第一侧表面部ss1与第二侧表面部ss2之间。具体地讲,第一边角部cs1可以与第一侧表面部ss1在第二方向dr2上的另一侧及第二侧表面部ss2在第一方向dr1上的另一侧相接。第一边角部cs1可以是借由第一侧表面部ss1的第一曲率和第二侧表面部ss2的第二曲率而弯曲的双曲率区域。据此,第一边角部cs1可以通过借由第一侧表面部ss1的第一曲率而弯曲的力和借由第二侧表面部ss2的第二曲率而弯曲的力而被施加应力。60.第二边角部cs2可以布置于第二侧表面部ss2与第三侧表面部ss3之间。具体地讲,第二边角部cs2可以与第二侧表面部ss2在第一方向dr1上的一侧及第三侧表面部ss3在第二方向dr2上的另一侧相接。第二边角部cs2可以是借由第二侧表面部ss2的第二曲率和第三侧表面部ss3的第三曲率而弯曲的双曲率区域。据此,第二边角部cs2可以通过借由第二侧表面部ss2的第二曲率而弯曲的力和借由第三侧表面部ss3的第三曲率而弯曲的力而被施加应力。61.第三边角部cs3可以布置于第三侧表面部ss3与第四侧表面部ss4之间。具体地讲,第三边角部cs3可以与第三侧表面部ss3在第二方向dr2上的一侧及第四侧表面部ss4在第一方向dr1上的一侧相接。第三边角部cs3可以是借由第三侧表面部ss3的第三曲率和第四侧表面部ss4的第四曲率而弯曲的双曲率区域。据此,第三边角部cs3可以通过借由第三侧表面部ss3的第三曲率而弯曲的力和借由第四侧表面部ss4的第四曲率而弯曲的力而被施加应力。62.第四边角部cs4可以布置于第一侧表面部ss1与第四侧表面部ss4之间。具体地讲,第四边角部cs4可以与第一侧表面部ss1在第二方向dr2上的一侧及第四侧表面部ss4在第一方向dr1上的另一侧相接。第四边角部cs4可以是借由第一侧表面部ss1的第一曲率和第四侧表面部ss4的第四曲率而弯曲的双曲率区域。据此,第四边角部cs4可以通过借由第一侧表面部ss1的第一曲率而弯曲的力和借由第四侧表面部ss4的第四曲率而弯曲的力而被施加应力。63.第一边角部cs1、第二边角部cs2、第三边角部cs3及第四边角部cs4中的每一个为了减小由于双曲率导致的应力,可以包括借由切割部而划分的切割图案(参照图3的“cp”)。64.显示面板10可以包括第一显示区域da1、第二显示区域da2以及第三显示区域da3、非显示区域nda、弯曲部ba和垫部pa。65.第一显示区域da1至第三显示区域da3可以是包括像素或发光区域而显示图像的区域,并且非显示区域nda可以是不包括像素或发光区域而不显示图像的区域。在非显示区域nda可以布置有用于驱动像素或发光区域的信号布线或面板内设驱动电路。66.第一显示区域da1可以是显示面板10的主显示区域。第一显示区域da1可以包括前表面部fs的一部分区域、第一侧表面部ss1、第二侧表面部ss2、第三侧表面部ss3及第四侧表面部ss4。67.第二显示区域da2可以是辅助第一显示区域da1的辅助显示区域。第二显示区域da2可以包括第一边角部cs1至第四边角部cs4。68.第三显示区域da3可以布置于前表面部fs的一部分区域。第三显示区域da3可以布置于前表面部fs的内部,然而并不局限于此。第三显示区域da3的平面形状可以是圆形,然而并不局限于此。第三显示区域da3可以被第一显示区域da1所围绕。69.非显示区域nda可以布置于第二显示区域da2的外侧。非显示区域nda的至少一部分区域可以布置于边角部cs1、cs2、cs3、cs4中的一个。并且,非显示区域nda的至少一部分区域可以布置于第一侧表面部ss1至第四侧表面部ss4中的两个。70.弯曲部ba可以从第二侧表面部ss2在第二方向dr2上的另一侧延伸。弯曲部ba可以布置于第二侧表面部ss2与后述的垫部pa之间。弯曲部ba在第一方向dr1上的长度可以比第二侧表面部ss2在第一方向dr1上的长度短。弯曲部ba可以沿第二侧表面部ss2在第二方向dr2上的另一侧的第五弯曲线bl5而弯曲。71.垫部pa可以从弯曲部ba在第二方向dr2上的另一侧延伸。垫部pa在第一方向dr1上的长度可以比弯曲部ba在第一方向dr1上的长度长,然而并不局限于此。垫部pa在第一方向dr1上的长度可以与弯曲部ba在第一方向dr1上的长度实质上相同。垫部pa可以沿弯曲部ba在第二方向dr2上的另一侧的第六弯曲线bl6而弯曲。垫部pa可以布置于前表面部fs的下表面上。72.在垫部pa上可以布置有集成驱动电路idc和垫pad。集成驱动电路idc可以利用集成电路(ic:integratedcircuit)形成。集成驱动电路idc可以利用芯片贴合玻璃(cog:chiponglass)方式、芯片贴合塑料(cop:chiponplastic)方式或超声波接合方式来附着于垫部pa。或者,集成驱动电路idc可以布置于在垫部pa的垫pad上布置的电路板上。73.集成驱动电路idc可以电连接于垫部pa的垫pad。集成驱动电路idc可以通过垫部pa的垫pad而接收数字视频数据和时序信号。集成驱动电路idc可以将数字视频数据变换为模拟数据电压而利用显示区域da1、da2、da3的数据布线来输出。74.可以利用各向异性导电膜(anisotropicconductivefilm)来在垫部pa的垫pad上附着电路板。由此,垫部pa的垫pad可以电连接于电路板。75.如图2所示,显示区域da1、da2可以布置于显示面板10的前表面部fs、第一侧表面部ss1、第二侧表面部ss2、第三侧表面部ss3、第四侧表面部ss4、第一边角部cs1、第二边角部cs2、第三边角部cs3及第四边角部cs4。因此,不仅在显示面板10的前表面部fs、第一侧表面部ss1、第二侧表面部ss2、第三侧表面部ss3及第四侧表面部ss4可以显示图像,而且还可以在第一边角部cs1、第二边角部cs2、第三边角部cs3及第四边角部cs4显示图像。76.图3所示的前表面部fs可以包括第一显示区域da1,并且第一边角部cs1可以包括第二显示区域da2。即,第二显示区域da2可以布置于第一显示区域da1的外侧。77.第一显示区域da1可以包括多个第一发光区域ea1。第一发光区域ea1中的每一个可以包括:第一子发光区域sea1,发出第一颜色的光;第二子发光区域sea2,发出第二颜色的光;第三子发光区域sea3,发出第三颜色的光;及第四子发光区域sea4,发出第四颜色的光。例如,第一颜色可以是红色,第二颜色和第四颜色可以是绿色,第三颜色可以是蓝色。78.第一子发光区域sea1、第二子发光区域sea2、第三子发光区域sea3及第四子发光区域sea4中的每一个可以具有菱形平面形状或矩形平面形状,然而并不局限于此。第一子发光区域sea1、第二子发光区域sea2、第三子发光区域sea3及第四子发光区域sea4中的每一个可以具有除了矩形以外的多边形、圆形或椭圆形的平面形状。并且,在图3中举例示出了第三子发光区域sea3的面积最大并且第二子发光区域sea2和第四子发光区域sea4的面积最小的情形,然而并不局限于此。79.在第一显示区域da1的边缘可以布置有第一坝dam1。第一坝dam1可以沿第一显示区域da1的边缘延伸而布置。在边角侧,第一坝dam1可以相邻地布置于第一显示区域da1与第二显示区域da2的边界。第一坝dam1可以防止布置于内部的物质溢出。例如,可以防止布置于第一坝dam1内部的封装层的有机膜溢出。80.第二显示区域da2可以包括彼此隔开而布置的切割图案cp。切割图案cp中的每一个的一端可以连接于第一显示区域da1,另一端可以连接于非显示区域nda。切割图案cp中的每一个的平面形状可以大致具有梯形形状。随着从第一显示区域da1到非显示区域nda,切割图案cp的宽度可以增大或减小。并且,切割图案cp可以具有趋向非显示区域nda具有恒定宽度的矩形形状。81.在第二显示区域da2,彼此相邻的切割图案cp可以具有不同的大小。例如,随着从第二显示区域da2的中央区域到一侧边缘,切割图案cp的大小可以减小。82.切割图案cp可以借由激光而切割显示面板10来形成。据此,在彼此相邻的切割图案cp之间可以形成切割间隙cg。由于在切割图案cp可以布置有第二发光区域ea2,从而切割图案cp的最大宽度可以大于切割间隙cg的最大宽度。83.切割图案cp可以包括第二发光区域ea2。尽管在图3示出了第二发光区域ea2沿着切割图案cp的延伸方向在一个切割图案cp内排列成一列,然而并不局限于此,第二发光区域ea2可以排列为多个列。84.第二发光区域ea2中的每一个可以包括:第一子发光区域sea1',发出第一颜色的光;第二子发光区域sea2',发出第二颜色的光;及第三子发光区域sea3',发出第三颜色的光。例如,第一颜色可以是红色,第二颜色可以是绿色,并且第三颜色可以是蓝色。85.第一子发光区域sea1'和第二子发光区域sea2'可以沿垂直于切割图案cp的延伸方向的方向彼此相邻而布置,第三子发光区域sea3'可以针对第一子发光区域sea1'及第二子发光区域sea2'沿切割图案cp的延伸方向相邻而布置。即,第一子发光区域sea1'及第二子发光区域sea2'与第三子发光区域sea3'可以沿切割图案cp的延伸方向交替地排列。86.第一子发光区域sea1'、第二子发光区域sea2'及第三子发光区域sea3'中的每一个可以具有矩形平面形状。例如,第一子发光区域sea1'及第二子发光区域sea2'可以具有包括切割图案cp的延伸方向的长边和与切割图案cp的延伸方向垂直的短边的矩形平面形状,第三子发光区域sea3'可以具有包括切割图案cp的延伸方向的短边和与切割图案cp的延伸方向垂直的长边的矩形平面形状。第一子发光区域sea1'和第二子发光区域sea2'可以具有相同长度的长边及短边,第三子发光区域sea3'的长边的长度可以大于第一子发光区域sea1'和第二子发光区域sea2'的长边的长度,然而并不局限于此。87.第一子发光区域sea1'、第二子发光区域sea2'及第三子发光区域sea3'中的每一个可以具有除了四边形以外的多边形、圆形或椭圆形的平面形状。并且,第一子发光区域sea1'至第三子发光区域sea3'可以具有实质上相同的面积,然而并不局限于此,第一子发光区域sea1'至第三子发光区域sea3'也可以具有彼此不同的面积。88.第二显示区域da2的分辨率可以与第一显示区域da1的分辨率不同。例如,第二显示区域da2的分辨率可以低于第一显示区域da1的分辨率。即,第二显示区域da2中的每一个的每单位面积的第二发光区域ea2的数量可以少于第一显示区域da1中的每单位面积的第一发光区域ea1的数量。然而,并不局限于此,第二显示区域da2中的每一个的分辨率可以与第一显示区域da1的分辨率实质上相同。89.在每个切割图案cp的边缘可以布置有第二坝dam2。第二坝dam2可以布置于第二发光区域ea2的外侧。即,第二坝dam2可以围绕第二发光区域ea2而布置。第二坝dam2可以防止布置于切割图案cp内部的物质溢出。例如,第二坝dam2可以是用于防止封装层的有机膜溢出的结构物。第二坝dam2可以布置为围绕排列于切割图案cp内的第二发光区域ea2。90.非显示区域nda可以布置于第二显示区域da2的外侧。虽然未图示,然而,非显示区域nda可以包括:切割连接图案(未示出),连接于切割图案cp;及切割共同图案(未示出),共同连接于切割连接图案(未示出)。切割连接图案(未示出)可以设计为有利于拉伸或收缩。切割共同图案(未示出)可以在非显示区域nda布置于最外侧。切割连接图案(未示出)中的每一个的一端可以连接于切割图案cp,并且另一端可以连接于切割共同图案(未示出)。91.由于第二显示区域da2设计为借由布置于第二显示区域da2的切割图案cp和切割连接图案(未示出)而有利于拉伸或收缩,因此可以减少由于双曲率而施加于第二显示区域da2的应力和压力。92.另外,对于图2所示的布置于第二边角部cs2、第三边角部cs3及第四边角部cs4的第二显示区域da2及非显示区域nda而言,与参照图3说明的第一边角部cs1相同。93.第三显示区域da3可以被第一显示区域da1所围绕。第三显示区域da3可以是第一显示区域da1的辅助显示区域。第三显示区域da3可以包括:透射区域ta,使光透过;及第三发光区域ea3,包括用于显示图像的像素。在第三显示区域da3内,第三发光区域ea3和透射区域ta可以沿第一方向dr1及第二方向dr2交替地排列。第一显示区域da1可以不包括使光透过的透射区域ta,而可以仅包括包含用于显示图像的像素的第一发光区域ea1。因此,第三显示区域da3的透光率可以高于第一显示区域da1的透光率。94.第三显示区域da3可以沿第三方向dr3与光学装置(未示出)重叠。因此,由于通过第三显示区域da3的光可以入射至光学装置(未示出),从而即使光学装置(未示出)布置为gate)方式形成,然而并不局限于此。即,薄膜晶体管tft可以利用栅极电极ge位于半导体层act的下部的底栅型(bottomgate)方式或者栅极电极ge均位于半导体层act的上部和下部的双栅型(doublegate)方式形成。106.例如,在缓冲层bl上可以布置有薄膜晶体管tft的半导体层act。半导体层act可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。在缓冲层bl与半导体层act之间可以形成有用于阻断朝半导体层act入射的外部光的遮光层。107.在半导体层act上可以布置有第一绝缘层il1。第一绝缘层il1可以利用无机膜形成。108.在第一绝缘层il1上可以布置有栅极电极ge。栅极电极ge可以与半导体层act重叠。栅极电极ge可以形成为利用钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)及铜(cu)中的一个或者这些的合金构成的单层或者多层。109.在栅极电极ge上可以布置有第二绝缘层il2。第二绝缘层il2可以利用无机膜形成。110.在第二绝缘层il2上可以布置有薄膜晶体管tft的源极电极se(或漏极电极)及漏极电极de(或源极电极)。源极电极se和漏极电极de可以通过贯通第二绝缘层il2及第一绝缘层il1的接触孔而连接于半导体层act。源极电极se及漏极电极de可以形成为利用低电阻物质(例如,铝(al)、金(au)和铜(cu)中的一个或者这些的合金)构成的单层或者多层。111.在源极电极se及漏极电极de上可以布置有第三绝缘层il3。第三绝缘层il3可以是保护下部薄膜晶体管tft的钝化膜。第三绝缘层il3可以利用无机膜形成。112.在第三绝缘层il3上可以布置有过孔层via。过孔层via可以是用于使因薄膜晶体管tft而导致的台阶平坦化的平坦化膜。过孔层via可以包括有机绝缘物质。113.在过孔层via上可以布置有发光元件emd。发光元件emd可以包括像素电极pxe、发光层eml及公共电极cme。114.具体地讲,在过孔层via上可以布置有像素电极pxe。像素电极pxe可以是发光元件emd的第一电极(例如,阳极电极)。像素电极pxe可以通过贯通过孔层via的接触孔而连接于薄膜晶体管tft的漏极电极de(或源极电极se)。115.在以发光层eml为基准朝公共电极cme方向发光的前面发光型结构中,像素电极pxe可以利用反射率较高的导电物质形成。116.作为另一例,在以发光层eml为基准朝像素电极pxe方向发光的背面发光型结构中,像素电极pxe可以利用透明的导电物质(tco:transparentconductivematerial)或半透射导电物质(semi‑transmissiveconductivematerial)形成。117.在像素电极pxe上可以布置有像素定义膜pdl。像素定义膜pdl可以布置于像素电极pxe上,并且可以包括暴露像素电极pxe的开口部。像素定义膜pdl可以包括有机绝缘物质。118.在像素定义膜pdl暴露的像素电极pxe上可以布置有发光层eml。发光层eml可以包括有机物质层。发光层eml的有机物质层可以包括有机发光层,并且还可以包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。在一实施例中,发光层eml可具有包括沿厚度方向重叠布置的多个有机发光层和在其之间布置的电荷产生层的串联(tandem)结构。重叠布置的各有机发光层可以发出相同波长的光,然而也可以发出彼此不同的波长的光。至少一部分层可以与相邻像素的同一层分离。119.包括于发光层eml的有机物质层可以通过借由参照图6而后述的沉积装置(参照图6的“dd”)来执行沉积工艺而形成,上述沉积工艺。沉积的有机物质层的尺寸可以由包括于沉积装置(参照图6的“dd”)的掩模组件(参见图6的“100”)的开口部的尺寸而确定。对此的详细的内容将参照图9后述。120.在发光层eml上布置有公共电极cme。公共电极cme可以是发光元件emd的第二电极(例如,阴极电极)。公共电极cme可以共同地形成于像素。在一实施例中,在前面发光型结构中,公共电极cme可以利用能够使光透过的透明的导电物质(tco:transparentconductivematerial)或半透射导电物质(semi‑transmissiveconductivematerial)形成。在背面发光结构中,公共电极cme可以利用具有较高的反射率的导电物质形成。121.图6是示意性地示出根据一实施例的沉积装置的图。图7是示意性地示出根据一实施例的掩模组件的立体图。图8是示意性地示出根据一实施例的分割掩模的平面图。图9是沿图8的ix‑ix'切割的剖视图。122.以下,根据一实施例的沉积装置以将包括于有机发光层的有机物质沉积于有机发光显示装置的沉积装置为例进行了说明,然而并不局限于此。123.参照图6至图9,根据一实施例的沉积装置dd可以包括腔室300、布置于腔室300内部的沉积源310、支撑件320及掩模组件100。124.腔室300可以提供执行在基板330沉积有机物质的工艺的空间。腔室300的内部可以维持在真空状态。腔室300可以与将内部维持在真空状态的真空泵(未示出)结合。在此,真空状态可以表示能够顺利执行沉积工艺的程度的低压状态。125.在腔室300内部的下侧可以布置有沉积源310。沉积源310可以是装有沉积物质的容器。例如,沉积源310可以是坩埚。在腔室300内部的与沉积源310对向的上侧可以布置有根据一实施例的掩模组件100。掩模组件100可以借由支撑件320所支撑而固定。在掩模组件100上可以布置有基板330。例如,基板330可以用于制造有机发光显示装置。掩模组件100与基板330可以直接相接,然而并不局限于此,也可以隔开预定距离而布置。126.此时,掩模组件100的上表面可以朝向基板330,并且掩模组件100的下表面可以朝向沉积源310。127.若沉积物质(未图示)从腔室300内的沉积源310朝掩模组件100喷射或蒸发,则沉积物质(未图示)通过分别形成于在掩模组件100形成的分割掩模140的沉积图案部144而以图案形状沉积于基板330的一区域。128.根据一实施例的掩模组件100可包括掩模框架130及结合于掩模框架130上的多个分割掩模140。129.掩模框架130构成掩模组件100的外围框架,并且可以具有在中央形成有框架开口部132的四边带形状。在一实施例中,掩模框架130可以在第三方向dr3上具有预定厚度,以便可以稳定地支撑分割掩模140等。掩模框架130可以包括一对长边和一对短边,并且在中央可以布置有沿第三方向dr3开口的框架开口部132。例如,一对长边可以沿第一方向dr1延伸并沿第二方向dr2彼此并排布置,一对短边可以沿第二方向dr2延伸并沿第一方向dr1彼此并排布置。130.在一实施例中,框架开口部132可以提供沉积物质通过的路径,平面形状可以大致为矩形。在另一实施例中,掩模框架130也可以是两对边的长度均相同的正方形带形状,并且框架开口部132的平面形状也可以是正方形。掩模框架130可以利用刚性较高的材料(例如,不锈钢等的金属)构成,然而并不局限于此。131.分割掩模140可以结合于掩模框架130上。分割掩模140可以包括一面(图中的在第三方向dr3上的一侧表面)和另一面(图中的在第三方向dr3上的另一侧表面)。分割掩模140的一面可以是当进行沉积工艺时与基板(未图示)接触的面,分割掩模140的另一面可以是被沉积源310喷射沉积物质(未图示)的面。分割掩模140的另一面的至少一部分可以与掩模框架130接触而相接。132.分割掩模140可以具有长度(例如,在第二方向dr2上的长度)大于宽度(例如,在第一方向dr1上的宽度)的形状。在一实施例中,分割掩模140可以为多个,并且可以沿着第二方向dr2延伸并沿第一方向dr1相邻而布置。在另一实施例中,分割掩模140也可以是具有覆盖框架开口部132的平面上的面积且形成为一体的初始掩模。133.在一实施例中,分割掩模140可以是利用金属材质构成的精细金属掩模(finemetalmask)。分割掩模140可以利用不锈钢、镍、钴或这些的合金等的金属构成。在一些实施例中,沉积掩模140可以具有磁性。134.分割掩模140可以包括位于长度方向(即,第二方向dr2)的两端部的固定部142、位于两固定部142之间的多个沉积图案部144以及位于每个沉积图案部144之间的肋部146。135.固定部142是与掩模框架130接触而相结合的部分。例如,固定部142可以焊接于掩模框架130而结合。上述焊接方法并未特别限制,然而可以举例示出激光焊接、电阻加热焊接等。固定部142可以包括焊接于掩模框架130而形成的焊接部(未图示)。焊接部(未示出)可以在固定部142的对应的区域形成为多个点。焊接部(未示出)可以布置为一列,然而并不局限于此,并且也可以布置为两列以上的多个列。136.沉积图案部144可以提供沉积物质通过的路径,并且可以包括多个开口部h。沉积图案部144可以为多个,并且可以沿分割掩模140的长度方向(即,第二方向dr2)隔开而排列。在图7和图8举例示出了沿第二方向dr2隔开的四个沉积图案部144形成于分割掩模140的情形,然而沉积图案部144的数量并不局限于此。在分割掩模140结合于掩模框架130的掩模组件100中,沉积图案部144可以与框架开口部132重叠。在另一实施例中,在各分割掩模140也可以形成有一个沉积图案部144。137.如上所述,在分割掩模140沿第二方向dr2相邻的各沉积图案部144之间可以布置有肋部146。肋部146可以划分沿第二方向dr2相邻的沉积图案部144。肋部146没有形成开口部h,从而可以阻挡沉积物质通过。138.沉积图案部144可以与一个显示装置1对应。在此情况下,以利用一个掩模组件100的单一工艺可以同时沉积与多个显示装置1相应的图案。即,掩模组件100可以与一个初始基板(母基板)对应,并且在初始基板上可以同时形成与多个显示装置1相应的图案。139.沉积图案部144可以包括贯通分割掩模140的开口部h。当进行沉积工艺时,分割掩模140可以整齐排列于基板330上,分割掩模140的各开口部h可以暴露基板330的沉积对象区域。即,开口部h可以具有与要在基板330上形成的有机物质的沉积图案实质上相同的平面形状。图7举例示出了开口部h沿第一方向dr1及第二方向dr2隔开而在平面上具有点状且排列为矩阵形状的情形,然而并不局限于此,开口部h可以是在平面上沿第一方向dr1或第二方向dr2延伸的狭缝形状。140.沉积图案部144可以包括包含第一开口部h1的第一开口区域ha1及包含第二开口部h2的第二开口区域ha2。第一开口部h1可以具有第一宽度w1,并且第二开口部h2可以具有第二宽度w2。第二开口区域ha2在平面图上可以具有圆形形状,并且可以被第一开口区域ha1所围绕,然而并不局限于此。在第一开口部h1开口的区域的面积可以大于在第二开口部h2开口的区域的面积,然而并不局限于此。141.开口部h可以在分割掩模140内按区域具有不同的尺寸。布置于同一区域内的开口部h的尺寸可以是恒定的尺寸,然而并不局限于此。如上所述,开口部h可以包括具有第一宽度w1的第一开口部h1及具有第二宽度w2的第二开口部h2。142.各开口部h1、h2可以包括形成于各开口部h1、h2的内部并朝内侧突出的突出部lb1、lb2。例如,第一开口部h1可以包括第一突出部lb1,并且第二开口部h2可以包括第二突出部lb2。各开口部h1、h2可以包括突出部lb1、lb2而向相应的分割掩模140提供较高的强度。即,可以包括突出部lb1、lb2而使分割掩模140破损的现象最小化。143.各突出部lb1、lb2之间的间距可以被定义为第一宽度w1及第二宽度w2。例如,第一开口部h1的第一宽度w1可以被定义为第一突出部lb1之间的间距,并且第二开口部h2的第二宽度w2可以被定义为第二突出部lb2之间的间距。各开口部h的内部宽度可以表示在能够测量各突出部lb1、lb2之间的间隔的多个方向中使各突出部lb1、lb2之间的间隔具有最大值的方向上的宽度。144.沉积图案部144在第一开口区域ha1的上表面与在第二开口区域ha2的上表面可以位于同一平面上。然而,沉积图案部144在第一开口区域ha1的下表面与在第二开口区域ha2的下表面可以不位于同一平面上,并且在彼此之间的边界可以形成台阶。145.并且,各开口部h1、h2可以沿第三方向dr3以包括各突出部lb1、lb2的平面为基准划分。例如,第一开口部h1可以包括以包括第一突出部lb1的平面为基准位于第三方向dr3的一侧的第一上部开口部h1u以及位于第三方向dr3的另一侧的第一下部开口部h1b。第二开口部h2可以包括以包括第二突出部lb2的平面为基准位于第三方向dr3的一侧的第二上部开口部h2u以及位于第三方向dr3的另一侧的第二下部开口部h2b。146.第一上部开口部h1u及第二上部开口部h2u可以朝第三方向dr3的另一侧圆弧状凹陷,并且可以具有第三方向dr3的另一侧开口的形状。另外,第一下部开口部h1b及第二下部开口部h2b可以朝第三方向dr3的一侧圆弧状凹陷,并且可以具有第三方向dr3的一侧开口的形状。147.根据一实施例的分割掩模140可以根据包括于相应区域的开口部h的尺寸而按区域具有不同的厚度。例如,包括具有第一宽度w1的第一开口部h1的第一开口区域ha1可以具有第一厚度t1,并且包括具有第二宽度w2的第二开口部h2的第二开口区域ha2可以具有第二厚度t2。如上所述,由于沉积图案部144在第一开口区域ha1的上表面与在第二开口区域ha2的上表面位于同一平面上,从而沉积图案部144在第一开口区域ha1的下表面与在第二开口区域ha2的下表面的边界可以如上所述地形成有台阶。在第一开口区域ha1的下表面与在第二开口区域ha2的下表面之间的台阶可以与第一厚度t1与第二厚度t2的差相同,然而并不局限于此。148.在第一开口部h1的第一宽度w1大于第二开口部h2的第二宽度w2并且第一开口区域ha1的第一厚度t1大于第二开口区域ha2的第二厚度t2的情况下,第二开口区域ha2的第二厚度t2可以大于第一厚度t1乘以第二宽度w2与第一宽度w1的比率的值。即,对于第二开口区域ha2的第二厚度t2可以适用以下式1的关系式。149.[式1][0150][0151]并且,在一个开口部h内在厚度方向(第三方向dr3)上也可以具有不同的宽度。例如,在第一开口部h1内,第三方向dr3的一侧可以具有第一上部宽度wu1,并且第三方向dr3的另一侧可以具有第一下部宽度wb1。第一上部宽度wu1可以大于第一宽度w1并小于第一下部宽度wb1,然而并不局限于此。并且,在第二开口部h2内,第三方向dr3的一侧可以具有第二上部宽度wu2,并且第三方向dr3的另一侧可以具有第二下部宽度wb2。第二上部宽度wu2可以大于第二宽度w2并小于第二下部宽度wb2,然而并不局限于此[0152]各开口部h1、h2的厚度t1、t2以包括各突出部lb1、lb2的平面为基准可以分为上部厚度tu1、tu2及下部厚度tb1、tb2。例如,第一上部厚度tu1可以表示从第一开口部h1在第三方向dr3的一侧至第一突出部lb1的厚度。或者,第一上部厚度tu1可以表示从分割掩模140在第一开口区域ha1的上表面至第一突出部lb1的厚度。[0153]第一下部厚度tb1可以表示从第三方向dr3的另一侧至第一突出部lb1的厚度。或者,第一下部厚度tb1可以表示从分割掩模140在第一开口区域ha1的下表面至第一突出部lb1的厚度。[0154]第二上部厚度tu2可以表示从第二开口部h2在第三方向dr3的一侧至第二突出部lb2的厚度。或者,第二上部厚度tu2可以表示从分割掩模140在第二开口区域ha2的上表面至第二突出部lb2的厚度。[0155]第二下部厚度tb2可以表示从第三方向dr3的另一侧至第二突出部lb2的厚度。或者,第二下部厚度tb2可以表示从分割掩模140在第二开口区域ha2的下表面至第二突出部lb2的厚度。[0156]第一上部厚度tu1可以大于第二上部厚度tu2,第一下部厚度tb1可以大于第二下部厚度tb2,然而并不局限于此。第一上部厚度tu1可以具有第一厚度t1的0.5倍以下的值、0.3倍以下的值、0.2倍以下的值、或者0.1倍以下的值,然而并不局限于此。并且,第二上部厚度tu2可以具有第二厚度t2的0.5倍以下的值、0.3倍以下的值、0.2倍以下的值、或者0.1倍以下的值,然而并不局限于此。[0157]分割掩模140可以在两端部沿第一方向dr1或第二方向dr2施加有拉伸力的状态下通过焊接而固定于掩模框架130。在另一实施例中,分割掩模140不仅可以沿第一方向dr1拉伸,而且还可以沿第二方向dr2拉伸。[0158]根据一实施例的掩模组件100还可以包括布置于各分割掩模140之间的间隙掩模150。间隙掩模150可以布置于分割掩模140之间的间隙而起到在分割掩模140之间阻断沉积物质通过的作用。间隙掩模150可具有与分割掩模140相同的长度(在第二方向dr2上的长度)。间隙掩模150不具备开口部,从而可以阻断沉积物质通过。然而,并不局限于此,间隙掩模150也可以被省略。[0159]根据一实施例的掩模组件100,可以包括按区域包括多种尺寸的开口部h的分割掩模140。并且,分割掩模140可以根据开口部h1、h2的宽度w1、w2而按区域具有不同的厚度t1、t2。因此,可以将沉积物质稳定地沉积在沉积物质以多种尺寸沉积的基板330。[0160]图10是示出根据一实施例的显示装置的制造方法的流程图。[0161]图11至图13是示出根据一实施例的显示装置的制造方法的剖视图。[0162]参照图10,根据一实施例的显示装置的制造方法可以包括如下步骤:准备包括第一开口区域和第二开口区域的掩模板(s11);对掩模板的第二开口区域进行半蚀刻(s21);在掩模板的第一开口区域形成具有第一宽度的第一开口部并且在第二开口区域形成具有比第一宽度小的第二宽度的第二开口部来制造分割掩模(s31);及准备基板及沉积装置,并利用沉积装置及分割掩模来将沉积物质沉积于基板(s41)。[0163]参照图10及图11,为了制造根据一实施例的分割掩模140而准备掩模板mp。掩模板mp可以经过后述的工艺而被制造成分割掩模140。掩模板mp可以利用不锈钢、镍、钴或这些的合金等的金属而形成。在一些实施例中,掩模板mp可以具有磁性。[0164]掩模板mp可以通过后序的工艺而包括形成不同的大小的开口部h的第一开口区域ha1及第二开口区域ha2。例如,在第一开口区域ha1可以形成具有第一宽度w1的第一开口部h1,在第二开口区域ha2可以形成具有比第一宽度w1小的第二宽度w2的第二开口部h2。[0165]如上所述,在根据一个实施例的分割掩模140,形成具有小的宽度的开口部h的区域可以具有小的厚度。因此,第二开口区域ha2可以相比于第一开口区域ha1具有小的厚度。在第二开口区域ha2,为了具有比第一开口区域ha1的第一厚度t1小的第二厚度t2,可以对掩模板mp的第二开口区域ha2的一面上执行半蚀刻(halfetching)(s21)。然而,可以对第一开口区域ha1不执行。此时,对第二开口区域ha2的一面所执行的半蚀刻(halfetching)可以执行第一厚度t1与第二厚度t2之差的第三厚度t3。通过该半蚀刻(halfetching)工艺,在第一开口区域ha1与第二开口区域ha2的边界可以形成第三厚度t3的台阶。[0166]在另一实施例中,半蚀刻(halfetching)对掩模板mp的一面全部进行,然而半蚀刻(halfetching)对第二开口区域ha2比第一开口区域ha1执行更长的时间,从而第二开口区域ha2的第二厚度t2可以小于第一开口区域ha1的第一厚度t1。在此情况下,对第二开口区域ha2的半蚀刻(halfetching)可以比第一开口区域ha1多执行第一厚度t1与第二厚度t2之差的第三厚度t3。[0167]参照图10、图12及图13,在对掩模板mp进行半蚀刻(halfetching)的步骤之后,可以执行如下步骤:在掩模板的第一开口区域形成具有第一宽度的第一开口部,并且在第二开口区域形成具有第二宽度的第二开口部(s31)。本步骤可以利用进行第一次蚀刻之后进行第二次蚀刻的双重蚀刻工艺来执行。[0168]首先,可以执行第一次蚀刻工艺。在掩模板mp的第一开口区域ha1,以使上表面暴露第一上部掩模宽度wm1u并且使下表面暴露第一下部掩模宽度wm1b的方式对第一保护膜pl1进行图案化。第一下部掩模宽度wm1b可以大于第一上部掩模宽度wm1u,然而并不局限于此。相同地,在掩模板mp的第二开口区域ha2,以使上表面暴露第二上部掩模宽度wm2u并且使下表面暴露第二下部掩模宽度wm2b的方式对第一保护膜pl1进行图案化。第二下部掩模宽度wm2b可以大于第二上部掩模宽度wm2u,然而并不局限于此。[0169]并且,第一上部掩模宽度wm1u可以大于第二上部掩模宽度wm2u,并且第一下部掩模宽度wm1b可以大于第二下部掩模宽度wm2b,然而并不局限于此。[0170]如上所述,若对图案化了第一保护膜pl1的掩模板mp进行蚀刻(etching),则按掩模板mp的各个区域可以蚀刻预定厚度。在一实施例中,掩模板mp的蚀刻(etching)可以以各向同性蚀刻(isotropicetching)方式来执行,由于掩模的宽度wm1u、wm1b、wm2u、wm2b足够小,因此宽度越大可以蚀刻更厚的厚度。[0171]第一开口区域ha1的上表面可以被蚀刻第一上部厚度tu1'并且下表面可以被蚀刻第一下部厚度tb1'。在此,第一下部厚度tb1'可以大于第一上部厚度tu1'。第二开口区域ha2的上表面可以被蚀刻第二上部厚度tu2'并且下表面可以被蚀刻第二下部厚度tb2'。在此,第二下部厚度tb2'可以大于第二上部厚度tu2'。并且,第一上部厚度tu1'可以大于第二上部厚度tu2',并且第一下部厚度tb1'可以大于第二下部厚度tb2'。[0172]在示例性的实施例中,若执行蚀刻,则具有槽形状的被蚀刻的部分的各宽度w1u、w1b'、w2u、w2b'可以分别大于形成相应部分的第一保护膜pl1的暴露的宽度wm1u、wm1b、wm2u、wm2b。[0173]即使执行第一次蚀刻工艺,在掩模板mp也可能没有形成开口部h。在第一次蚀刻工艺之后,可以执行用于形成开口部h的第二次蚀刻工艺。第二次蚀刻工艺可以仅在掩模板mp的下表面执行。因此,第二次蚀刻工艺为此可以在掩模板mp的上表面暴露的部分被第二保护膜pl2保护的状态下执行。例如,第二保护膜pl2可以包括树脂(resin)或光致抗蚀剂(photoresist)等,然而并非局限于此。[0174]可以通过第二次蚀刻工艺而在掩模板mp形成图9所示的开口部h来形成分割掩模140。具体地,在第一开口区域ha1及第二开口区域ha2,从下部到上部进行蚀刻而分别制造第一开口部h1及第二开口部h2。[0175]若通过第二次蚀刻工艺而形成第一开口部h1及第二开口部h2,则可以通过灰化(ashing)工艺而去除第一保护膜pl1及第二保护膜pl2等来制造如图9所示的分割掩模140。[0176]参照图6及图10,在制造分割掩模140之后,可以包括如下步骤:准备基板330及沉积装置dd,并利用沉积装置dd及分割掩模140来将沉积物质沉积于基板330(s41)。具体地,如图6所示,将包括分割掩模140的掩模组件100设置于沉积装置dd,并将基板330布置于掩模组件100上之后,可以将布置于沉积源310的内部的沉积物质(未图示)沉积于基板330上。此时,沉积物质(未图示)可以以与分割掩模140的开口部h对应的形状被图案化。[0177]根据一实施例的显示装置的制造方法,可以制造按区域包括多种尺寸的开口部h并具有较高的强度的分割掩模140。并且,分割掩模140可以根据开口部h的尺寸而按区域具有不同的厚度t1、t2。因此,可以将沉积物质稳定地沉积于沉积物质以多种尺寸沉积的基板330。[0178]以下,对分割掩模140的另一实施例进行说明。在以下实施例中,针对与上述实施例相同的构成将省略或简化说明,并且以差异为主进行说明。[0179]对于其他事项,与参照图6至图9所述的内容相同或相似,因此省略对其的追加的详细说明。[0180]图14是示意性地示出根据另一实施例的分割掩模的平面图。[0181]根据本实施例的分割掩模140_1可以具有沿第二方向dr2延伸的形状。分割掩模140_1可以包括多个沉积图案部144_1。多个沉积图案部144_1可以沿分割掩模140_1的长度方向(即,第二方向dr2)隔开而排列。[0182]各沉积图案部144_1可以提供沉积物质通过的路径,并且可以包括多个开口部h。开口部h可以在分割掩模140_1内按区域具有不同的尺寸。沉积图案部144_1可以包括作为在各沉积图案部144_1内具有彼此不同的尺寸及不同的厚度的区域的第一开口区域ha1_1及第二开口区域ha2_1。[0183]各沉积图案部144_1可以具有在平面图上沿第一方向dr1具有长边并且沿第二方向dr2具有短边的矩形形状,然而并不局限于此。在各沉积图案部144_1,第一开口区域ha1_1可以占各沉积图案部144_1的大部分区域并布置于中央。第一开口区域ha1_1可以与固定部142_1及肋部146_1中的至少一个相邻。在第一开口区域ha1_1的四个角落可以布置有第二开口区域ha2_1。第二开口区域ha2_1可以布置于各沉积图案部144_1的边角区域。[0184]第一开口区域ha1_1可以包括多个第一开口部h1,第二开口区域ha2_1可以包括多个第二开口部h2。对于第一开口部h1及第二开口部h2的内部结构形状而言,与参照图9进行的说明相同。[0185]根据本实施例的分割掩模140_1,分割掩模140_1包括多个沉积图案部144_1,各沉积图案部144_1可以包括包含按区域具有多种尺寸的开口部h的开口区域ha1_1、ha2_1。并且,分割掩模140_1可以根据开口部h1、h2的宽度w1、w2而按区域具有不同的厚度t1、t2。因此,可以将沉积物质稳定地沉积于沉积物质以多种尺寸沉积的基板330。[0186]图15是示意性地示出根据又一实施例的分割掩模的平面图。[0187]根据本实施例的分割掩模140_2可以具有沿第二方向dr2延伸的形状。分割掩模140_2可以包括多个沉积图案部144_2。多个沉积图案部144_2可沿分割掩模140_2的长度方向(即,第二方向dr2)隔开而排列。[0188]各沉积图案部144_2可以提供沉积物质通过的路径,并且可以包括多个开口部h。开口部h可以在分割掩模140_2内按区域具有不同的尺寸。沉积图案部144_2可以包括作为在各沉积图案部144_2内具有彼此不同的尺寸及不同的厚度的区域的第一开口区域ha1_2、第二开口区域ha2_2及第三开口区域ha3_2。[0189]各沉积图案部144_2可以具有在平面图上沿第一方向dr1具有长边并且沿第二方向dr2具有短边的矩形形状,然而并不局限于此。在各沉积图案部144_2,第一开口区域ha1_2可占据各沉积图案部144_2的大部分区域并布置于中央。第一开口区域ha1_2可以与固定部142_2及肋部146_2中的至少一个相邻。第二开口区域ha2_2可以在平面图上具有圆形形状,并且可以被第一开口区域ha1_2所围绕。在第一开口区域ha1_2的四个角落可以布置有第三开口区域ha3_2。第三开口区域ha3_2可以布置于各沉积图案部144_2的边角区域。[0190]第一开口区域ha1_2可以包括多个第一开口部h1,第二开口区域ha2_2可以包括多个第二开口部h2,第三开口区域ha3_2可以包括多个第三开口部h3。对于第一开口部h1至第三开口部h3的内部结构形状而言,与参照图9进行的说明相同。[0191]根据本实施例的分割掩模140_2,分割掩模140_2可以包括多个沉积图案部144_2,并且各沉积图案部144_2可以包括包含按区域具有不同尺寸的开口部h的开口区域ha1_2、ha2_2、ha3_2。并且,分割掩模140_2可以根据开口部h的尺寸而按区域具有不同的厚度t。因此,可以将沉积物质稳定地沉积于沉积物质以多种尺寸沉积的对象基板330。[0192]以上,以本发明的实施例为中心对本发明进行了说明,然而这仅仅是示例,并不能限定本发明,并且本发明所属
技术领域
:中具有普通知识的人员可以理解的是,在不超出本发明的实施例的本质特性的范围内,能够进行以上内容并未举例示出的多种变形或应用。例如,在本发明的实施例中具体出现的各构成要素可以变形而实施。并且,与这样的变形和应用相关的差异应当解释为包括于权利要求书中所限定的本发明的范围。当前第1页12当前第1页12
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