真空镀膜腔室、真空镀膜设备及其工件传送方法与流程

文档序号:28166918发布日期:2021-12-24 22:45阅读:68来源:国知局
真空镀膜腔室、真空镀膜设备及其工件传送方法与流程

1.本发明属于移动设备技术领域,具体而言,涉及一种真空镀膜腔室、一种真空镀膜设备和一种真空镀膜设备工件传送方法。


背景技术:

2.现有技术中,通常采用两种方法传送硅片。一种方法为将硅片放置于一个整块的载板上,通过移动整块载板移动硅片,但此种方法会导致载板体积过大,而过大的载板会出现强度低、易变形以及重量大的问题;另一种方法为不采用载板,而是在顶升装置中设置多个吊钩,每个吊钩移动一个硅片,以对硅片进行传送,但此种方法需要在顶升装置内设置大量吊钩,有多少个硅片就相应有多少个独立的吊钩,当需要增加同时传送硅片的数量时,如果需要同时传送的硅片数量再度增加,吊钩数量也随之增多,进而造成结构相对复杂。


技术实现要素:

3.本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
4.有鉴于此,本发明的第一方面提出了一种真空镀膜腔室,包括:腔体;至少两个子载板,位于腔体内,子载板用于承载工件,至少两个子载板并排排列,相邻的子载板之间具有空隙。
5.本技术提供的真空镀膜腔室,包括腔体,其中,腔体包括第一腔体和第二腔体。具体地,第一腔体用于对工件进行加热及镀膜处理,第二腔体位于第一腔体与真空镀膜腔室外部环境之间,工件在进入第一腔体之前,先经过第二腔体。
6.真空镀膜腔室还包括至少两个子载板,至少两个子载板设于腔体内,子载板用于承载工件。相较于传统的通过一块载板承载工件的方式,本技术通过至少两个子载板承载工件,即,当承载相同数量工件时,假设承载数量为m个,通过将原来由一块整体的载板承载m个硅片,替换成多个子载板,多个子载板承载工件的数量和为m个,从而使得在承载相同数量工件时的整个载板的整体面积有所减小,因此一方面可避免由于整个载板板状结构面积过大而导致的强度差易变形的问题,另一方面也可避免因载板重量或质量大引起的需长时间加热才能达到工艺所需温度,导致加热时间过长等问题;采用多个子载板承载相同数量的工件,不仅不会影响设备产能,还可以将子载板设置为较薄的厚度,也不会出现由于强度不足而导致的变形问题,以及由于重量或质量大导致的加热时间过长的问题。
7.具体地,子载板的厚度可以为1mm至10mm。
8.另外,相比于使用钩取件钩取子载板,采用钩取件直接钩取工件会导致钩取件的数量增加,结构相对更加复杂,对于后续增加工件数量产生不利影响。而采用多个子载板承载工件,在承载相同数量工件时,采用多个子载板承载,可以减少钩取件的数量及安装复杂度。
9.进一步地,一个子载板上可以放置多个工件,从而移动一个子载板即可同时对多个工件进行运输,提高了工件的运输效率,减少了用于移动工件所需要的钩取件的数量。
10.相关技术中,采用整体载板时,设置为镂空载板可以减少载板的质量,但是工艺上容易产能背面镀膜问题,且镂空载板容易变形。
11.因此,采用子载板承载多个工件,相对于使用整个载板来承载工件,子载板的重量或质量较小,厚度较薄,具有实现工件能尽快加热,子载板强度高,传送过程中无变形优点,因此由于质量大幅度减少、实现了加热时间大幅度缩短以及会在一定时间内的加热均匀性大幅度,进而提高提升设备产能。
12.进一步地,至少两个子载板并排排列,任意相邻的两个子载板之间具有空隙,从而可以使钩取件穿过空隙以钩取子载板对其进行运输。
13.通过在真空镀膜腔室中设置至少两个子载板,并通过子载板对工件进行运输,一方面避免了通过一个整体载板运输而导致的问题,另一方面减少了用于移动子载板的钩取件的数量,简化了真空镀膜腔室的结构。
14.根据本发明上述的真空镀膜腔室,还可以具有以下附加技术特征:
15.在上述技术方案中,进一步地,真空镀膜腔室包括:传送组件,至少部分位于空隙内,用于带动子载板进入或离开腔体。
16.在该技术方案中,真空镀膜腔室还包括传送组件,传送组件至少部分位于相邻两个子载板之间的空隙中,从而使传送组件可钩取子载板,对子载板进行运输。具体地,传送组件用于带动子载板进入或离开腔体,可选地,可以是同一传送组件即用于带动子载板进入腔体,同一传送组件需要等待工件在腔体内完成工艺处理后,再带动子载板离开腔体。
17.通过在真空镀膜腔室中设置传送组件,可通过传送组件对子载板进行运输,从而带动子载板进入或离开腔体。
18.在上述技术方案中,进一步地,传送组件的数量至少为两个,任一传送组件至少部分位于空隙内;至少两个传送组件中的一者用于传送子载板进入腔体,至少两个传送组件中的另一者用于传送子载板离开腔体。
19.在该技术方案中,传送组件的数量至少为两个,从而通过不同的传送组件分别实现将子载板传入及传出腔体的功能。具体地,通过至少一个传送组件将子载板传送进入腔体,在将子载板传送进入腔体的同时,多个传送组件中还有其他的传送组件在运行,用于将另一批子载板传送离开腔体。进一步地,任一传送组件至少部分位于相邻两个子载板的空隙内,从而实现对子载板的移动运输。
20.通过使至少两个传送组件中不同的传送组件分别对子载板进行运输,实现将子载板送入和送出腔体的功能,从而可以使不同的传送组件同时运行,在将一批子载板送入腔体的同时,将另一批子载板送出腔体,提高工作效率。
21.在上述技术方案中,进一步地,传送组件包括:传送板,多个钩取件,设置在传送板一侧,钩取件部分位于空隙内,用于承载子载板。
22.在该技术方案中,对传送组件的结构进行限定。具体地,传送组件包括传送板以及多个钩取件,多个钩取件设于传送板上,传送板可移入或移出腔体,从而带动钩取件移入或移出腔体。进一步地,多个钩取件设置于传送板的一侧,用于承载子载板。当通过钩取件对子载板进行移动时,将钩取件移动至相邻两个子载板之间的空隙中,使钩取件对子载板进行钩取,从而使得钩取件部分位于空隙中。当钩取件完成对子载板的钩取后,移动传送板,进而通过传送板带动子载板移动。
23.其中,钩取件钩取子载板可以理解为钩取件部分与子载板相接触,钩取件的截面形状为倒“t”型,或者为“l”型,当选用的子载板为正方形或长方形时,钩取件可钩取子载板的整个边,或者是四个角,或者是同时钩取边和角,钩取边和角的数量可以任意组合,能实现钩取子载板即可。
24.传送组件不局限于上述结构,也可以是抓夹结构,用于利用抓夹来抓取子载板,也可以是其他结构。
25.通过在传送组件中设置传送板,并在传送板的一侧设置多个钩取件,可以通过钩取件钩取子载板,并通过传送板对子载板进行移动。
26.在上述技术方案中,进一步地,真空镀膜腔室还包括传输机构,设于腔体顶部或侧壁上,用于传输传送组件进入或离开腔体内。
27.在该技术方案中,真空镀膜腔室还设有传输机构,传输机构用于传输传送组件,将传送组件移入或移出腔体。具体地,传输机构设于腔体的顶部或腔体的侧壁上,传输机构连接传送板,通过移动传送板实现对传送组件的移动。
28.通过在真空镀膜腔室中设置传输机构,从而实现对传送组件的移动,以将传送组件移入或移出腔体。
29.在上述技术方案中,进一步地,真空镀膜腔室还包括支撑板,设于腔体中;顶升组件,设于腔体的侧壁或底部,位于传送组件下方,顶升组件用于与传送组件配合交接子载板,并将子载板放置或分离于支撑板。
30.在该技术方案中,真空镀膜腔室设有支撑板,支撑板固定设置于腔体中,用于承载工件以对工件进行镀膜处理。
31.进一步地,真空镀膜腔室还包括顶升组件,顶升组件用于与传送组件配合交接子载板。具体地,顶升组件设于传送组件下方,当传送组件将子载板移入腔体内时,顶升组件从传送组件中承接子载板,并将子载板移动至支撑板,将子载板放置于支撑板上。当工件在支撑板上完成镀膜处理后,顶升组件将子载板从载板上顶起,使子载板与支撑板分离,并将子载板移动至传送组件处,传送组件通过钩取件钩取子载板,从而实现子载板的交接。
32.顶升组件可以设于腔体的侧壁或底部。
33.通过在真空镀膜腔室中设置顶升组件,并通过顶升组件与传动组件的配合以实现子载板的交接,从而将子载板放置或分离于支撑板,使子载板活动设于支撑板上,完成工件的自动化镀膜及运输。
34.在上述技术方案中,进一步地,支撑板上设有多个通孔;顶升组件包括多个立柱,立柱可穿过通孔升降;其中,通孔与立柱一一对应设置。
35.在该技术方案中,顶升组件可进行升降运动。顶升组件在降低后位于支撑板下方,为使顶升组件能部分穿过支撑板升高,在支撑板上设置了多个通孔,并配合通孔在顶升组件中设置了多个立柱,立柱可穿过通孔升降。通孔与立柱一一对应设置。
36.当传送组件将子载板移动至腔体内之后,立柱由支撑板下方通过通孔穿过支撑板并升高至子载板所在的位置,子载板与钩取件分离,立柱承接子载板,之后立柱开始下降,子载板随立柱下降。立柱下降至支撑板后,继续通过支撑板上的通孔下降至支撑板下方,此时,子载板被放置于支撑板上。在工件完成镀膜处理后,立柱升高并穿过通孔,将子载板顶起,随着立柱的升高,子载板随之升高,当立柱升高至传送组件时,钩取件钩取子载板,然后
传送组件将载有工件的子载板移出腔体。
37.通过在支撑板上设置通孔,并在顶升组件上设置与通孔一一对应的立柱,通过立柱穿过通孔可实现对子载板的移动。
38.在上述技术方案中,进一步地,真空镀膜腔室还包括加热部,与支撑板相连,用于对支撑板进行加热。
39.支撑板一面用于承载子载板,另一面连接有竖直上下运动装置,用于驱动支撑板到达的腔体内相应的位置高度。
40.在该技术方案中,真空镀膜腔室中还设有加热部,加热部与支撑板相连,对支撑板进行加热。具体地,加热部设于支撑板下方,通过对支撑板进行加热,使支撑板保持在一定的温度范围内,为工件的加工处理提供了适宜的外部环境。进一步地,由于本技术中支撑板固定设置于真空镀膜腔室中,无需对支撑板进行移动,因此可将支撑板厚度设置为较小尺寸,从而提升支撑板的升温速度,提高工作效率。并且,由于无需通过支撑板移动工件,支撑板处于固定状态,加热部可持续对支撑板进行加热,从而使支撑板的温度一直保持在稳定范围内。
41.通过在真空镀膜腔室中设置加热部对支撑板进行加热,为工件的镀膜处理提供了适宜的环境,有利于对工件的加工。
42.所述腔体内腔体顶部设有电极发射装置,用于对子载板上的工件进行工艺处理,加热完成后的工件及子载板,在竖直上下运动装置的驱动下,到达可进行工艺处理的位置高度,完成镀膜工艺,完成后,竖直上下运动装置运动至进行和钩取件交接位置处,钩取件接取完成镀膜后的工件及子载板。
43.根据本发明的第二个方面,提供了一种真空镀膜设备,包括:如本发明第一方面所提供的真空镀膜腔室;过渡腔室,过渡腔室通过真空门阀与真空镀膜腔室连接。
44.本发明提供的真空镀膜设备,包括真空镀膜腔室和过渡腔室,其中,过渡腔室通过真空阀门与真空镀膜腔室连接。
45.在对工件进行镀膜处理的过程中,工件先进入到过渡腔室中,过渡腔室与外部环境接触,当工件完全进入过渡腔室后,用于连接过渡腔室与外部环境的第一阀门关闭,之后对过渡腔室抽真空。完成对过渡腔室的抽真空操作后,将用于连接过渡腔室与真空镀膜腔室的真空阀门打开,将工件运送至真空镀膜腔室中。工件在真空镀膜腔室中完成镀膜处理。工件在第二腔体内完成镀膜处理后,按照原路径移出真空镀膜设备。
46.由于本发明提出的真空镀膜设备包括上述任一设计所提供的真空镀膜腔室,因此具有该真空镀膜腔室的全部有益效果,在此不再赘述。
47.根据本发明的第三个方面,提供了一种真空镀膜设备工件传送方法,用于如本发明第二方面所提供的真空镀膜设备,包括:控制传送组件将放置有工件的多个子载板移动至腔体内;控制顶升组件从传送组件中承接多个子载板,并将多个子载板移动至支撑板;对子载板上的工件进行镀膜处理;控制顶升组件将多个子载板移动至传送组件;控制传送组件钩取多个子载板,并将多个子载板移出腔体。
48.本技术提供的真空镀膜设备工件传送方法,适用于设有多个子载板的真空镀膜设备,当工件在该真空镀膜设备中进行镀膜处理时,可通过多个子载板对工件进行传输移动。
49.真空镀膜设备包括腔体。首先,控制传送组件将放置有多个工件的多个子载板移
动至腔体内。腔体内还设有支撑板和顶升组件,其中,支撑板用于放置子载板,工件可在支撑板上进行镀膜处理。
50.为了将工件移动至支撑板上,可通过顶升组件与传送组件的配合对子载板进行移动。具体地,控制顶升组件升高至子载板所在位置,顶升组件从传送组件中承接多个子载板,子载板放置于顶升组件后,控制顶升组件下降,子载板随顶升组件共同下降,最终将子载板放置于支撑板上。
51.子载板上的工件在支撑板上完成镀膜处理后,控制顶升组件升高,将子载板顶起至传送组件。传送组件中设有多个钩取件,钩取件可钩取子载板,控制传送组件钩取多个子载板,使多个子载板与顶升组件分离,传送组件将多个子载板移出腔体,从而将完成镀膜的工件移出腔体。顶升组件将子载板传送至传送组件后,下降至原位置。
52.通过采用多个子载波移动工件的方法对工件进行传输,一方面避免了通过一个整体载板运输而产生的载板过大的问题,减小了子载板的尺寸,提高了子载板的强度,另一方面一块子载板可同时运输多个工件,提高了运输效率,减少了用于移动子载板的钩取件的数量,简化了真空镀膜设备的结构。
53.上述中的工件可以是硅片,硅片尺寸可以是m5、m6、18x、210mm,也可以是201mm的半片硅片。
54.本发明的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
55.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
56.图1示出了本发明的一个实施例的真空镀膜腔室的结构示意图;
57.图2示出了本发明的一个实施例的多个子载板的示意图;
58.图3示出了本发明的一个实施例的一个子载板的示意图;
59.图4示出了本发明的一个实施例的子载板位于钩取件上且立柱未升高状态的示意图;
60.图5示出了本发明的一个实施例的子载板位于钩取件上且立柱升高未达到子载板状态的示意图;
61.图6示出了本发明的一个实施例的子载板位于钩取件上且立柱升高至与子载板相抵状态的示意图;
62.图7示出了本发明的一个实施例的子载板与钩取件分离且立柱承接子载板状态的示意图;
63.图8示出了本发明的一个实施例的立柱承接子载板且立柱正在下降状态的示意图;
64.图9示出了本发明的一个实施例的立柱将子载板顶起至钩取件的示意图;
65.图10示出了本发明的一个实施例的钩取件钩取子载板且立柱下降至支撑板下方的示意图;
66.图11示出了本发明的第七个实施例中的真空镀膜设备工件传送方法的示意流程
图。
67.其中,图1至图11中的附图标记与部件名称之间的对应关系为:
68.100真空镀膜腔室,110腔体,120支撑板,121通孔,130子载板,131空隙,140传送组件,141钩取件,142传送板,150顶升组件,151立柱,160传输机构,170加热部。
具体实施方式
69.为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点,下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本技术的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
70.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是,本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施,因此,本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
71.下面参照图1至图11描述根据本发明一些实施例的真空镀膜腔室100、真空镀膜设备和真空镀膜设备工件传送方法。
72.实施例1:
73.如图1、图2和图3所示,本发明第一方面提出了一种真空镀膜腔室100,包括:腔体110;至少两个子载板130,位于腔体110内,子载板130用于承载工件,至少两个子载板130并排排列,相邻的子载板130之间具有空隙131。
74.本技术提供的真空镀膜腔室100,包括腔体110,其中,腔体110包括第一腔体和第二腔体。具体地,第一腔体用于对工件进行加热及镀膜处理,第二腔体位于第一腔体与真空镀膜腔室100外部环境之间,工件在进入第一腔体之前,先经过第二腔体。
75.真空镀膜腔室100还包括至少两个子载板130,至少两个子载板130设于腔体内,子载板130用于承载工件。相较于传统的通过一块载板承载工件的方式,本技术通过至少两个子载板130承载工件,即,当承载相同数量工件时,假设承载数量为m个,通过将原来由一块整体的载板承载m个硅片,替换成多个子载板130,多个子载板130承载工件的数量和为m个,从而使得在承载相同数量工件时的整个载板的整体面积有所减小,因此一方面可避免由于整个载板板状结构面积过大而导致的强度差易变形的问题,另一方面也可避免因载板重量或质量大引起的需长时间加热才能达到工艺所需温度,导致加热时间过长等问题;采用多个子载板130承载相同数量的工件,不仅不会影响设备产能,还可以将子载板130设置为较薄的厚度,也不会出现由于强度不足而导致的变形问题,以及由于重量或质量大导致的加热时间过长的问题。
76.具体地,子载板130的厚度可以为1mm至10mm。
77.另外,相比于使用钩取件钩取子载板130,采用钩取件直接钩取工件会导致钩取件的数量增加,结构相对更加复杂,对于后续增加工件数量产生不利影响。而采用多个子载板130承载工件,在承载相同数量工件时,采用多个子载板130承载,可以减少钩取件的数量及安装复杂度。
78.进一步地,一个子载板130上可以放置多个工件,从而移动一个子载板130即可同时对多个工件进行运输,提高了工件的运输效率,减少了用于移动工件所需要的钩取件的数量。
79.相关技术中,采用整体载板时,设置为镂空载板可以减少载板的质量,但是工艺上容易产能背面镀膜问题,且镂空载板容易变形。
80.因此,采用子载板130承载多个工件,相对于使用整个载板来承载工件,子载板130的重量或质量较小,厚度较薄,具有实现工件能尽快加热,子载板130强度高,传送过程中无变形优点,因此由于质量大幅度减少、实现了加热时间大幅度缩短以及会在一定时间内的加热均匀性大幅度,进而提高提升设备产能。
81.进一步地,至少两个子载板130并排排列,任意相邻的两个子载板130之间具有空隙131,从而可以使钩取件穿过空隙131以钩取子载板130对其进行运输。
82.通过在真空镀膜腔室100中设置至少两个子载板130,并通过子载板130对工件进行运输,一方面避免了通过一个整体载板运输而导致的问题,另一方面减少了用于移动子载板130的钩取件的数量,简化了真空镀膜腔室100的结构。
83.实施例2:
84.如图1所示,在实施例1的基础上,实施例2提供了一种真空镀膜腔室100,包括:传送组件140,至少部分位于空隙131内,用于带动子载板130进入或离开腔体110,可选地,可以是同一传送组件140既用于带动子载板130进入腔体110,同一传送组件140需要等待工件在腔体内完成工艺处理后,再带动子载板130离开腔体110。
85.在该技术方案中,真空镀膜腔室100还包括传送组件140,传送组件140至少部分位于相邻两个子载板130之间的空隙131中,从而使传送组件140可钩取子载板130,对子载板130进行运输。具体地,传送组件140用于带动子载板130进入或离开腔体110。
86.通过在真空镀膜腔室100中设置传送组件140,可通过传送组件140对子载板130进行运输,从而带动子载板130进入或离开腔体110。
87.进一步地,传送组件140的数量至少为两个,任一传送组件140至少部分位于空隙131内;至少两个传送组件140中的一者用于传送子载板130进入腔体110,至少两个传送组件140中的另一者用于传送子载板130离开腔体110。
88.在该实施例中,传送组件140的数量至少为两个,从而通过不同的传送组件140分别实现将子载板130传入及传出腔体110的功能。具体地,通过至少一个传送组件140将子载板130传送进入腔体110,在将子载板130传送进入腔体110的同时,多个传送组件140中还有其他的传送组件140在运行,用于将另一批子载板130传送离开腔体110。进一步地,任一传送组件140至少部分位于相邻两个子载板130的空隙131内,从而实现对子载板130的移动运输。
89.通过使至少两个传送组件140中不同的传送组件140分别对子载板130进行运输,实现将子载板130送入和送出腔体110的功能,从而可以使不同的传送组件140同时运行,在将一批子载板130送入腔体110的同时,将另一批子载板130送出腔体110,提高工作效率。
90.进一步地,传送组件140包括:传送板142,多个钩取件141,设置在传送板142一侧,钩取件141部分位于空隙131内,用于承载子载板130。
91.在该实施例中,对传送组件140的结构进行限定。具体地,传送组件140包括传送板142以及多个钩取件141,多个钩取件141设于传送板142上,传送板142可移入或移出腔体110,从而带动钩取件141移入或移出腔体110。进一步地,多个钩取件141设置于传送板142的一侧,用于承载子载板130。当通过钩取件141对子载板130进行移动时,将钩取件141移动
至相邻两个子载板130之间的空隙131中,使钩取件141对子载板130进行钩取,从而使得钩取件141部分位于空隙131中。当钩取件141完成对子载板130的钩取后,移动传送板142,进而通过传送板142带动子载板130移动。
92.其中,钩取件钩取子载板130可以理解为钩取件部分与子载板130相接触,钩取件的截面形状为倒“t”型,或者为“l”型,当选用的子载板130为正方形或长方形时,钩取件可钩取子载板130的整个边,或者是四个角,或者是同时钩取边和角,钩取边和角的数量可以任意组合,能实现钩取子载板130即可。
93.传送组件140不局限于上述结构,也可以是抓夹结构,用于利用抓夹来抓取子载板130,也可以是其他结构。
94.通过在传送组件140中设置传送板142,并在传送板142的一侧设置多个钩取件141,可以通过钩取件141钩取子载板130,并通过传送板142对子载板130进行移动。
95.实施例3:
96.如图1所示,在上述任一实施例的基础上,实施例3提供了一种真空镀膜腔室100还包括传输机构160,设于腔体110顶部或侧壁上,用于传输传送组件140进入或离开腔体110内。
97.在该实施例中,真空镀膜腔室100还设有传输机构160,传输机构160用于传输传送组件140,将传送组件140移入或移出腔体110。具体地,传输机构160设于腔体110的顶部或腔体的侧壁上,如图5所示,传输机构160位于腔体110的侧壁上,传输机构160承接传送板142,通过移动传送板142实现对传送组件140的移动。
98.通过在真空镀膜腔室100中设置传输机构160,从而实现对传送组件140的移动,以将传送组件140移入或移出腔体110。
99.实施例4:
100.如图1所示,在上述任一实施例的基础上,实施例4提供了一种真空镀膜腔室100,还包括:载板,设于腔体110中;顶升组件150,设于腔体110的侧壁或底部,位于传送组件140下方,顶升组件150用于与传送组件140配合交接子载板130,并将子载板130放置或分离于支撑板120。
101.在该实施例中,真空镀膜腔室100设有支撑板120,支撑板120固定设置于腔体110中,用于承载工件以对工件进行镀膜处理。
102.进一步地,真空镀膜腔室100还包括顶升组件150,顶升组件150用于与传送组件140配合交接子载板130。具体地,如图4、图5和图6所示,顶升组件150设于传送组件140下方,当传送组件140将子载板130移入腔体110内时,如图7和图8所示,顶升组件150从传送组件140中承接子载板130,并将子载板130移动至支撑板120,将子载板130放置于支撑板120上。当工件在支撑板120上完成镀膜处理后,如图9所示,顶升组件150将子载板130从支撑板120上顶起,使子载板130与支撑板120分离,并将子载板130移动至传送组件140处,传送组件140通过钩取件141钩取子载板130,从而实现子载板130的交接。如图10所示,完成子载板130的交接后,顶升组件150下降至支撑板120下方。
103.顶升组件150可以设于腔体110的侧壁或底部。
104.通过在真空镀膜腔室100中设置顶升组件150,并通过顶升组件150与传动组件的配合以实现子载板130的交接,从而将子载板130放置或分离于支撑板120,使子载板130活
动设于支撑板120上,完成工件的自动化镀膜及运输。
105.进一步地,支撑板120上设有多个通孔121;顶升组件150包括多个立柱151,立柱151可穿过通孔121升降;其中,通孔121与立柱151一一对应设置。
106.在该技术方案中,顶升组件150可进行升降运动。顶升组件150在降低后位于支撑板120下方,为使顶升组件150能部分穿过支撑板120升高,在支撑板120上设置了多个通孔121,并配合通孔121在顶升组件150中设置了多个立柱151,立柱151可穿过通孔121升降。通孔121与立柱151一一对应设置。
107.当传送组件140将子载板130移动至腔体110内之后,立柱151由支撑板120下方通过通孔121穿过支撑板120并升高至子载板130所在的位置,子载板130与钩取件141分离,立柱151承接子载板130,之后立柱151开始下降,子载板130随立柱151下降。立柱151下降至支撑板120后,继续通过支撑板120上的通孔121下降至支撑板120下方,此时,子载板130被放置于支撑板120上。在工件完成镀膜处理后,立柱151升高并穿过通孔121,将子载板130顶起,随着立柱151的升高,子载板130随之升高,当立柱151升高至传送组件140时,钩取件141钩取子载板130,然后传送组件140将载有工件的子载板130移出腔体110。
108.通过在支撑板120上设置通孔121,并在顶升组件150上设置与通孔121一一对应的立柱151,通过立柱151穿过通孔121可实现对子载板130的移动。
109.实施例5:
110.如图1所示,在上述任一实施例的基础上,实施例5提供了一种真空镀膜腔室100,还包括:加热部170,与支撑板120相连,用于对支撑板120进行加热。
111.支撑板120一面用于承载子载板130,另一面连接有竖直上下运动装置,用于驱动支撑板120到达的腔体110内相应的位置高度。
112.在该技术方案中,真空镀膜腔室100中还设有加热部170,加热部170与支撑板120相连,对支撑板120进行加热。具体地,加热部170设于支撑板120下方,通过对支撑板120进行加热,使支撑板120保持在一定的温度范围内,为工件的加工处理提供了适宜的外部环境。进一步地,由于本技术中支撑板120固定设置于真空镀膜腔室100中,无需对支撑板120进行移动,因此可将支撑板120厚度设置为较小尺寸,从而提升支撑板120的升温速度,提高工作效率。并且,由于无需通过支撑板120移动工件,支撑板120处于固定状态,加热部170可持续对支撑板120进行加热,从而使支撑板120的温度一直保持在稳定范围内。
113.通过在真空镀膜腔室100中设置加热部170对支撑板120进行加热,为工件的镀膜处理提供了适宜的环境,有利于对工件的加工。
114.腔体110内腔体顶部设有电极发射装置,用于对子载板130上的工件进行工艺处理,加热完成后的工件及子载板130,在竖直上下运动装置的驱动下,到达可进行工艺处理的位置高度,完成镀膜工艺,完成后,竖直上下运动装置运动至进行和钩取件交接位置处,钩取件接取完成镀膜后的工件及子载板130。
115.实施例6:
116.根据本发明的第二个方面,提供了一种真空镀膜设备,包括:如本发明第一方面所提供的真空镀膜腔室;过渡腔室,过渡腔室通过真空门阀与真空镀膜腔室连接。
117.本发明提供的真空镀膜设备,包括真空镀膜腔室和过渡腔室,其中,过渡腔室通过真空阀门与真空镀膜腔室连接。
118.在对工件进行镀膜处理的过程中,工件先进入到过渡腔室中,过渡腔室与外部环境接触,当工件完全进入过渡腔室后,用于连接过渡腔室与外部环境的第一阀门关闭,之后对过渡腔室抽真空。完成对过渡腔室的抽真空操作后,将用于连接过渡腔室与真空镀膜腔室的真空阀门打开,将工件运送至真空镀膜腔室中。工件在真空镀膜腔室中完成镀膜处理。工件在第二腔体内完成镀膜处理后,按照原路径移出真空镀膜设备。
119.由于本发明提出的真空镀膜设备包括上述任一设计所提供的真空镀膜腔室,因此具有该真空镀膜腔室的全部有益效果,在此不再赘述。
120.实施例7:
121.如图11所示,根据本发明的第三个方面,提供了一种真空镀膜设备工件传送方法,用于如本发明第二方面所提供的真空镀膜设备,包括:
122.s1102:控制传送组件将放置有工件的多个子载板移动至腔体内;
123.s1104:控制顶升组件从传送组件中承接多个子载板,并将多个子载板移动至支撑板;
124.s1106:对子载板上的工件进行镀膜处理;
125.s1108:控制顶升组件将多个子载板移动至传送组件;
126.s1109:控制传送组件钩取多个子载板,并将多个子载板移出腔体。
127.本技术提供的真空镀膜设备工件传送方法,适用于设有多个子载板的真空镀膜设备,当工件在该真空镀膜设备中进行镀膜处理时,可通过多个子载板对工件进行传输移动。
128.真空镀膜设备包括腔体。首先,控制传送组件将放置有多个工件的多个子载板移动至腔体内。腔体内还设有支撑板和顶升组件,其中,支撑板用于放置子载板,工件可在支撑板上进行镀膜处理。
129.为了将工件移动至支撑板上,可通过顶升组件与传送组件的配合对子载板进行移动。具体地,控制顶升组件升高至子载板所在位置,顶升组件从传送组件中承接多个子载板,子载板放置于顶升组件后,控制顶升组件下降,子载板随顶升组件共同下降,最终将子载板放置于支撑板上。
130.子载板上的工件在支撑板上完成镀膜处理后,控制顶升组件升高,将子载板顶起至传送组件。传送组件中设有多个钩取件,钩取件可钩取子载板,控制传送组件钩取多个子载板,使多个子载板与顶升组件分离,传送组件将多个子载板移出腔体,从而将完成镀膜的工件移出腔体。顶升组件将子载板传送至传送组件后,下降至原位置。
131.通过采用多个子载波移动工件的方法对工件进行传输,一方面避免了通过一个整体载板运输而产生的载板过大的问题,减小了子载板的尺寸,提高了子载板的强度,另一方面一块子载板可同时运输多个工件,提高了运输效率,减少了用于移动子载板的钩取件的数量,简化了真空镀膜设备的结构。
132.实施例8:
133.本发明提供了一种真空镀膜腔室100,其具体工作过程如下:
134.多个子载板130通过传送组件140进入到真空镀膜腔室100内,顶升组件150承接子载板130,然后在真空镀膜腔室100内完成工件的加热及离子镀膜,完成之后,传送组件140从顶升组件150上接过子载板130,再运离真空镀膜腔室100。
135.传送组件140包括钩取件141,钩取件141钩取子载板130。采用钩取件141可以实现
子载板130进入真空镀膜腔室100。为了增加产能、缩短加工周期,可以在真空镀膜腔室100中设置两个或多个钩取件141。
136.采用顶升组件150可以使子载板130在真空镀膜腔室100内实现有效的加热以及工艺镀膜。相比于用钩取组件直接钩取工件而言,可以减少顶升组件150中立柱151的设置、简化了设备结构,同时也利于设备后续的升级改造。
137.工件可以为硅片,以每批次硅片数量12
×
12=144片为例,硅片大小可以是m5,m6,18x,210mm,或者更大硅片,或者201mm半片或者其他规格的半片硅片,将12
×
12的硅片划分为16个单元,每个单元内含有3
×
3个硅片,每一个3
×
3单元有一个轻薄的实心子载板130,子载板130材料可以是铝合金,或者石墨,或者碳纤维等材料,子载板130厚度范围为1mm至10mm。每个3
×
3单元用一个钩取件141,托着这个单元的4个角,或者边,或者角和边同时托着进行传输。在本实施例中,只需要16个钩取件141替代原来设计中的144个小钩取件141。采取这样的结构,解决了支撑板120质量问题,此设计的子载板130总质量不超过原来支撑板120重量的30%,是实心载板,并且没有镂空载板的背面镀膜问题。
138.本发明不限于单元中硅片数量为3x3,也可以是2
×
2,2
×
1,3
×
5,8
×
8,等各种组合形式,其目的是将沉重的实心载板用轻质的分块实心子载板来替代。
139.上述中的工件可以是硅片,硅片尺寸可以是m5、m6、18x、210mm,也可以是201mm的半片硅片。
140.可以理解为:需要传送(m=n
×
n)个硅片,相关技术中是采用一块载板,一个载板设有m个硅片放置槽,现将m个硅片分为w(m=w
×
x)个单元,即w个子载板,每个子载板设有x个硅片放置槽。具体地,每批次硅片数量12
×
12=144片,将12
×
12的硅片划分为16个单元,每个单元内含有3
×
3个硅片。其中本发明不限于子中硅片数量为3
×
3,也可以是2
×
2,2
×
1,3
×
5,8
×
8等各种组合形式,其主要目的是将质量大的载板用轻质的分块子载板130来替代。
141.在本发明中,术语“多个”则指两个或两个以上,除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解,例如,“连接”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;“相连”可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
142.在本说明书的描述中,术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且,描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
143.以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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