一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置的制作方法

1.本实用新型涉及镀膜机离子源技术领域，具体来说，涉及一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置。


背景技术：

2.在光学零件冷加工领域，需要对光学零件进行研磨、抛光，然后再进行镀膜，镀膜是在光学零件上镀上一层或多层薄膜来改变光的传播特性。为了提高镀膜质量，在成膜时结构更加稳定，适应高功率激光的应用需求，在光学零件进行镀膜时需要采用离子源轰击镜片。对于双晶振片探头镀膜机，一般左右探头各监控左右两侧的蒸发源，控制左右两侧磨料的蒸发厚度。
3.目前，在应用离子源镀膜工艺时，由于离子源给蒸发磨料加速度，蒸发磨料可以蒸发更大角度，移动更远的行程，导致左侧蒸发的磨料可能覆盖到右侧晶振片上，造成磨料监控的不准确，这样最终成膜的厚度与设计值会偏差很大，导致镜片镀膜不合格。
4.针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。


技术实现要素：

5.针对相关技术中的问题，本实用新型的目的是提出一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置，以克服现有镀膜过程中双晶振探头同时打开工作离子源能量串扰引起晶振片检测镀膜厚度不准确导致镀膜效果不佳的技术问题。
6.本实用新型的技术方案是这样实现的：
7.一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置，包括：挡板基体和设于挡板基体顶端的连接板，其中；
8.所述挡板基体上开设有若干开孔；
9.进一步的，所述连接板水平固定连接于所述挡板基体的顶端，且所述连接板上开设有光孔，光孔用于挡板基体与镀膜机连接。
10.进一步的，所述挡板基体的厚度为1.5mm～3mm。
11.进一步的，所述连接板的厚度为1.5mm～3mm。
12.进一步的，若干所述开孔的直径为2.5mm～6mm。
13.进一步的，所述开孔的数量为80～130个。
14.本实用新型的有益效果：
15.本实用新型通过连接板将挡板基体与工件连接，挡板基体开设的若干开孔设计，使离子源轰击进入能量可进不可出，保证了镀膜膜料不会引起晶振片串扰，保证能量不会在中间防串扰挡板基体表面反射，降低离子源镀膜引起的误差，结构简单，实用性强。
16.本实用新型的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
17.为使本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
18.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1是根据本实用新型实施例的双晶振片镀膜离子源防串扰装置的结构示意图；
20.图2是根据本实用新型实施例的双晶振片镀膜离子源防串扰装置的开孔示意图。
21.图中：
22.1、挡板基体；2、连接板；3、开孔；4、光孔。
具体实施方式
23.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
24.根据本实用新型的实施例，提供了一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置。
25.实施例一
26.如图1-图2所示，本发明的实施例一为：
27.一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置，包括：挡板基体1和设于挡板基体1顶端的连接板2，其中；
28.所述挡板基体1上开设有若干开孔3；
29.所述连接板2水平固定连接于所述挡板基体1的顶端，且所述连接板2上开设有光孔4，光孔4用于挡板基体1与镀膜机连接。
30.所述连接板2的厚度为1.5mm～3mm。
31.所述挡板基体1的厚度为1.5mm～3mm。
32.借助于上述方案，通过连接板2将挡板基体1与工件连接，挡板基体1开设的若干开孔3设计，使离子源轰击进入能量可进不可出，保证了镀膜膜料不会引起晶振片串扰，保证能量不会在中间防串扰挡板基体1表面反射，降低离子源镀膜引起的误差，结构简单，实用性强。
33.此外，本技术方案，在应用时，通过激光切割迅速加工成型，挡板基体1与连接板2可通过线切割一次成型，也可分开加工通过焊接组合。
34.另外，对于上述挡板基体1来说，挡板基体1根据离子源角度和能量特殊设计表面开孔3结构，保证了镀膜膜料不会引起晶振片串扰，保证能量不会在中间防串扰挡板基体1表面反射，降低离子源镀膜引起的误差。
35.实施例二
36.如图2所示，本发明的实施例二为：
37.一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置，在实施例一的基础上，还包括：若干开孔3的直径为2.5mm～6mm，且开孔3的数量为80～130个，且开孔3直径包含大小不一。
38.具体分布如下：其中，挡板基体1上开孔3分布区域尺寸为30mm*30mm～45mm*45mm区域，左右两侧开孔直径4mm大于中心开孔直径2.5mm，左下与右下角点开孔最大直径5mm～6mm，次中心区域15*15～20*20区域有四个角点开孔最大直径4mm～4.5mm。
39.综上所述，借助于本实用新型的上述技术方案，可实现如下效果：通过连接板2将挡板基体1与工件连接，挡板基体1开设的若干开孔3设计，使离子源轰击进入能量可进不可出，保证了镀膜膜料不会引起晶振片串扰，保证能量不会在中间防串扰挡板基体1表面反射，降低离子源镀膜引起的误差，结构简单，实用性强。
40.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置，其特征在于，包括：挡板基体(1)和设于挡板基体(1)顶端的连接板(2)，其中；所述挡板基体(1)上开设有若干开孔(3)；所述连接板(2)水平固定连接于所述挡板基体(1)的顶端，且所述连接板(2)上开设有光孔(4)。2.根据权利要求1所述的一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置，其特征在于，所述挡板基体(1)的厚度为1.5mm～3mm。3.根据权利要求1或2所述的一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置，其特征在于，所述连接板(2)的厚度为1.5mm～3mm。4.根据权利要求3所述的一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置，其特征在于，若干所述开孔(3)的直径为2.5mm～6mm。5.根据权利要求4所述的一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置，其特征在于，所述开孔(3)的数量为80～130个。

技术总结
本实用新型公开了一种双晶振片镀膜离子源防串扰装置，涉及镀膜机离子源技术领域，包括：挡板基体和设于挡板基体顶端的连接板，所述挡板基体上开设有若干开孔。有益效果：通过连接板将挡板基体与工件连接，挡板基体开设的若干开孔设计，使离子源轰击进入能量可进不可出，保证了镀膜膜料不会引起晶振片串扰，保证能量不会在中间防串扰挡板基体表面反射，降低离子源镀膜引起的误差，结构简单，实用性强。实用性强。实用性强。


技术研发人员：张驰程 张辰凡 梁婷婷
受保护的技术使用者：苏州华英光电仪器有限公司
技术研发日：2022.03.14
技术公布日：2022/8/30