小型化晶片滚边工艺及滚筒的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及小型化晶片滚边工艺及滚筒。
【背景技术】
[0002]晶体谐振器中使用到的晶片，为了更好的减小晶体谐振器的谐振电阻，晶片在制程过程中需要进行周边研磨，简称滚边，其目的是将晶片的四周边缘厚度磨薄，起到减小电阻值的作用。晶片根据表面积的大小可分为不同的型号，大尺寸晶片滚边使用现行筒径Φ 9 0 mm加工出来的各性能参数能够符合客户要求，但是现行的筒径用来加工小型化SMD-2016晶片，由于晶片尺寸较小，筒内面积较大，通过倒边机高速运转加工出来晶片的离散度较大，成品测试确认的各性能参数整体偏大且一次性不好，客户无法使用。
[0003]现有石英晶片SMD滚筒工艺是将石英晶片放入直径Φ90πιπι，筒径长度为285mm的直筒内，放入GC1000#砂将筒盖盖好放入高速滚筒机固定好，转速设定160转/分进行加工。晶片倒边的主要目的是为了改善边缘效应，减小谐振电阻，抑制寄生频率，对石英片进行外形尺寸的修正。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供小型化晶片滚边工艺及滚筒，能够对小型化晶片进行滚边，使用效果好，改善了边缘效应，减小了谐振电阻，抑制了寄生频率，修正了晶片外形尺寸，同时具有结构简单，成本低的优点。
[0005]本发明所采用的技术方案是:
小型化晶片滚边工艺，其包括以下步骤:
A、首先备料，分别为砂备料及晶片备料；其中，砂备料的过程为:将砂放入150°C的第一烘箱中烘烤4小时，然后再将烘烤过的砂放入60°C的烘第二箱中进行保温1小时，将保温后的砂装入沙袋，得到砂备料；晶片备料的过程为:把晶片放到电子称进行称重，将称好预设重量的晶片放入晶片袋中得到晶片备料；
B、其次装料，取出滚筒，先将一个沙袋中的所有砂倒入滚筒内，然后再将一个晶片袋中的所有晶片倒入滚筒内，把滚筒的筒盖盖合好；
C、将滚筒放入滚筒机中固定安装好；
D、启动滚筒机，将滚筒机转速调节至195转/分钟，并等待滚筒机滚动600分钟。
[0006]步骤A中的每一沙袋中的砂重量范围在4克至6克之间；步骤A中的每一晶片袋中的晶片数量范围在2800片至3200片之间。
[0007]步骤A中的每一沙袋中的砂重量为5克；步骤A中的每一晶片袋中的晶片数量为3000 片。
[0008]步骤A中的滚筒使用环境条件中湿度范围在35%_55%之间，并且温度范围在22°C -28 °C之间。
[0009]步骤A中的滚筒使用环境条件中温度为25 °C。
[0010]步骤D完成之后，还包括以下步骤:
E、关闭滚筒机，取出滚筒，倒出滚筒内的晶片；
F、将被倒出来的晶片放置到晶片检测仪上进行检测筛选，筛选出来的晶片分为两类，分别为合格的晶片及不合格的晶片；
G、取出空的滚筒，取出没有使用过的沙袋，并将沙袋中的砂倒入滚筒内部，然后将不合格的晶片倒入滚筒内部，盖好滚筒的筒盖，最后将装有不合格的晶片所在滚筒放入滚筒机内进行再次滚动。
[0011]滚筒，其使用在所述的小型化晶片滚边工艺中，所述滚筒包括筒体及筒盖，所述筒体与筒盖之间通过螺牙结构固定连接，所述筒体设有筒底及筒身，所述筒身内壁设有若干个自筒身一端往另一端依次排布的环形凹槽。
[0012]所述筒身内侧壁设有9条阵列分布的环形凹槽；每条环形凹槽的横截面均呈弧形，且每条环形凹槽的横截面半径均为10mm。
[0013]所述筒身一端设有配合筒盖固定安装的环形缺口位；所述螺牙结构包括设于环形缺口位的内螺纹和设于筒盖上的外螺纹。
[0014]筒体的直径大小为92mm，筒体的高度大小为142mm，环形缺口位的直径大小为80mm，环形缺口位的高度大小为9mm，所述盖体厚度大小为17mm。
[0015]本发明的有益效果是:能够对小型化晶片进行滚边，使用效果好，改善了边缘效应，减小了谐振电阻，抑制了寄生频率，修正了晶片外形尺寸，同时具有结构简单，成本低的优点。
【附图说明】
[0016]图1是本发明小型化晶片滚边工艺流程示意图；
图2是本发明滚筒的结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]如图1和图2所示，本发明小型化晶片滚边工艺，其包括以下步骤:
A、首先备料，分别为砂备料及晶片备料；其中，砂备料的过程为:将砂放入150°C的第一烘箱中烘烤4小时，然后再将烘烤过的砂放入60°C的烘第二箱中进行保温1小时，将保温后的砂装入沙袋，得到砂备料；晶片备料的过程为:把晶片放到电子称进行称重，将称好预设重量的晶片放入晶片袋中得到晶片备料；
B、其次装料，取出滚筒，先将一个沙袋中的所有砂倒入滚筒内，然后再将一个晶片袋中的所有晶片倒入滚筒内，把滚筒的筒盖盖合好；
C、将滚筒放入滚筒机中固定安装好；
D、启动滚筒机，将滚筒机转速调节至195转/分钟，并等待滚筒机滚动600分钟。
[0018]步骤A中的每一沙袋中的砂重量范围在4克至6克之间；步骤A中的每一晶片袋中的晶片数量范围在2800片至3200片之间。
[0019]步骤A中的每一沙袋中的砂重量为5克；步骤A中的每一晶片袋中的晶片数量为3000 片。
[0020]步骤A中的滚筒使用环境条件中湿度范围在35%_55%之间，并且温度范围在22°C -28 °C之间。
[0021]步骤A中的滚筒使用环境条件中温度为25 °C。
[0022]步骤D完成之后，还包括以下步骤:
E、关闭滚筒机，取出滚筒，倒出滚筒内的晶片；
F、将被倒出来的晶片放置到晶片检测仪上进行检测筛选，筛选出来的晶片分为两类，分别为合格的晶片及不合格的晶片；
G、取出空的滚筒，取出没有使用过的沙袋，并将沙袋中的砂倒入滚筒内部，然后将不合格的晶片倒入滚筒内部，盖好滚筒的筒盖，最后将装有不合格的晶片所在滚筒放入滚筒机内进行再次滚动。
[0023]滚筒，其使用在所述的小型化晶片滚边工艺中，所述滚筒包括筒体1及筒盖2，所述筒体1与筒盖2之间通过螺牙结构固定连接，所述筒体1设有筒底11及筒身12，所述筒身12内壁设有若干个自筒身12 —端往另一端依次排布的环形凹槽121。
[0024]所述筒身12内侧壁设有9条阵列分布的环形凹槽121 ;每条环形凹槽121的横截面均呈弧形，且每条环形凹槽121的横截面半径均为10mm。
[0025]所述筒身12 —端设有配合筒盖2固定安装的环形缺口位122 ;所述螺牙结构包括设于环形缺口位122的内螺纹123和设于筒盖2上的外螺纹21。
[0026]筒体1的直径大小为92_，筒体1的高度大小为142_，环形缺口位122的直径大小为80mm，环形缺口位122的高度大小为9mm，所述盖体2厚度大小为17mm。
[0027]本发明的有益效果是:能够对小型化晶片进行滚边，使用效果好，改善了边缘效应，减小了谐振电阻，抑制了寄生频率，修正了晶片外形尺寸，同时具有结构简单，成本低的优点。
【主权项】
1.小型化晶片滚边工艺，其特征在于包括以下步骤: A、首先备料，分别为砂备料及晶片备料；其中，砂备料的过程为:将砂放入150°C的第一烘箱中烘烤4小时，然后再将烘烤过的砂放入60°C的烘第二箱中进行保温1小时，将保温后的砂装入沙袋，得到砂备料；晶片备料的过程为:把晶片放到电子称进行称重，将称好预设重量的晶片放入晶片袋中得到晶片备料； B、其次装料，取出滚筒，先将一个沙袋中的所有砂倒入滚筒内，然后再将一个晶片袋中的所有晶片倒入滚筒内，把滚筒的筒盖盖合好； C、将滚筒放入滚筒机中固定安装好； D、启动滚筒机，将滚筒机转速调节至195转/分钟，并等待滚筒机滚动600分钟。2.根据权利要求1所述的小型化晶片滚边工艺，其特征在于:步骤A中的每一沙袋中的砂重量范围在4克至6克之间；步骤A中的每一晶片袋中的晶片数量范围在2800片至3200片之间。3.根据权利要求2所述的小型化晶片滚边工艺，其特征在于:步骤A中的每一沙袋中的砂重量为5克；步骤A中的每一晶片袋中的晶片数量为3000片。4.根据权利要求1所述的小型化晶片滚边工艺，其特征在于:步骤A中的滚筒使用环境条件中湿度范围在35%-55%之间，并且温度范围在22 °C -28 °C之间。5.根据权利要求4所述的小型化晶片滚边工艺，其特征在于:步骤A中的滚筒使用环境条件中温度为25 °C。6.根据权利要求1所述的小型化晶片滚边工艺，其特征在于，步骤D完成之后，还包括以下步骤: E、关闭滚筒机，取出滚筒，倒出滚筒内的晶片； F、将被倒出来的晶片放置到晶片检测仪上进行检测筛选，筛选出来的晶片分为两类，分别为合格的晶片及不合格的晶片； G、取出空的滚筒，取出没有使用过的沙袋，并将沙袋中的砂倒入滚筒内部，然后将不合格的晶片倒入滚筒内部，盖好滚筒的筒盖，最后将装有不合格的晶片所在滚筒放入滚筒机内进行再次滚动。7.如权利要求1至6中任意一项所述的小型化晶片滚边工艺中的滚筒，其特征在于:所述滚筒包括筒体(1)及筒盖(2)，所述筒体(1)与筒盖(2)之间通过螺牙结构固定连接，所述筒体(1)设有筒底(11)及筒身(12)，所述筒身(12)内壁设有若干个自筒身(12) —端往另一端依次排布的环形凹槽(121)。8.根据权利要求7所述的滚筒，其特征在于:所述筒身(12)内侧壁设有9条阵列分布的环形凹槽(121);每条环形凹槽(121)的横截面均呈弧形，且每条环形凹槽(121)的横截面半径均为10mm。9.根据权利要求7所述的滚筒，其特征在于:所述筒身(12)—端设有配合筒盖(2)固定安装的环形缺口位(122);所述螺牙结构包括设于环形缺口位(122)的内螺纹(123)和设于筒盖(2)上的外螺纹(21)。10.根据权利要求9所述的滚筒，其特征在于:筒体(1)的直径大小为92mm，筒体(12)的高度大小为142_，环形缺口位(122)的直径大小为80_，环形缺口位(122)的高度大小为9mm，所述盖体(2)厚度大小为17mm。
【专利摘要】本发明公开了小型化晶片滚边工艺及滚筒，其中小型化晶片滚边工艺，依次经过：A、首先备料，砂备料的过程为：将砂放入150℃的第一烘箱中烘烤4小时，然后再将烘烤过的砂放入60℃的烘第二箱中进行保温1小时，得到砂备料；晶片备料的过程为：把晶片称好预设重量的晶片放入晶片袋中得到晶片备料；B、其次装料，取出滚筒，依次将砂和晶片倒入滚筒内；C、将滚筒放入滚筒机中固定安装好；D、启动滚筒机，将滚筒机转速调节至195转/分钟，并等待滚筒机滚动600分钟。滚筒的筒身内侧壁设有若干个环形凹槽。本发明能够对小型化晶片进行滚边，改善了边缘效应，减小了谐振电阻，抑制了寄生频率，修正了晶片外形尺寸。
【IPC分类】B24B31/02, B24B31/14
【公开号】CN105252401
【申请号】CN201510664212
【发明人】莫宗均
【申请人】珠海东锦石英科技有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年10月15日