一种杀菌防炫增透的耐磨手机盖板及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种手机盖板技术领域，尤其是涉及一种杀菌防炫增透的耐磨手机盖板及其制备方法。
【背景技术】
[0002]随着社会的进步和科技的发展，手机已广泛进入人们的工作和生活中，目前市面上手机的屏幕所发出的炫目光对眼睛视力的伤害越来越严重。
[0003]同时现有的手机屏幕盖板在使用过程中很容易被刮花或蹭花，影响美观，更严重的是，手机盖板的表面刮花或蹭花后，内层暴露在空气中，容易受腐蚀，影响使用寿命。另夕卜，现有的手机屏幕盖板较少有杀菌功能，人们在使用过程中容易从手机屏幕盖板上感染细菌，给人体造成伤害。此外，现有的手机屏幕盖板还缺少防炫的功能，不能有效地防止手机屏幕所发出的炫目光对眼睛视力的伤害。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种可有效防止蓝光对人体的伤害，具有高耐磨性和防炫目功能，适于夜间使用的杀菌防炫增透的耐磨手机盖板及其制备方法。
[0005]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案:
一种杀菌防炫增透的耐磨手机盖板，包括基板，所述基板的外表面从里到外依序设有第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层和第六膜层;所述第一膜层和第三膜层均为五氧化三钛层，厚度均为1-1OOnm;所述第二膜层和第四膜层均为二氧化硅层，厚度均为50-100nm;所述第五膜层为纳米银层，第五膜层的厚度为5-20nm;所述第六膜层为高硬度层，厚度为10-50nmo
[0006]所述纳米银层的膜材为银的氧化物，并由电子枪蒸镀成型。
[0007]所述银的氧化物为Ag20、Ag0或Ag203。
[0008]所述高硬度层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅晶体或一氧化硅晶体，并由电子枪蒸镀成型。
[0009]所述基板由树脂或玻璃成型。
[0010]本发明的一种杀菌防炫增透的耐磨手机盖板的制备方法，在所述基板由树脂成型时，所述制备方法具体包括以下步骤:
1)对基板的外表面进行清洗；
2)对基板的外表面进行镀膜；
A、镀第一膜层:
将真空镀膜舱内的真空度调整至小于或等于5.0X 10-3帕，并控制真空镀膜舱内的温度为50_70°C，采用电子枪轰击第一膜层的膜材，第一膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于基板的外表面，同时控制第一膜层蒸镀的速率为2.5A/S，第一膜层最终形成后的厚度为1-1OOnm;其中，所述第一膜层的膜材为五氧化三钛，形成五氧化三钛层；
B、镀第二膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0 X 10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70°C，采用电子枪轰击第二膜层的膜材，第二膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤A中第一膜层的表面，同时控制第二膜层蒸镀的速率为7A/S，第二膜层最终形成后的厚度为50-100nm;其中，所述第二膜层的膜材为二氧化硅，形成二氧化硅层；
C、镀第三膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0 X 10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70°C，采用电子枪轰击第三膜层的膜材，第三膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤B中第二膜层的表面，同时控制第三膜层蒸镀的速率为2.5A/S，第三膜层最终形成后的厚度为1-1OOnm;其中，所述第三膜层的膜材为五氧化三钛，形成五氧化三钛层；
D、镀第四膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0 X 10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70°C，采用电子枪轰击第四膜层的膜材，第四膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤C中第三膜层的表面，同时控制第四膜层蒸镀的速率为7A/S，第四膜层最终形成后的厚度为50-100nm;其中，所述第四膜层的膜材为二氧化硅，形成二氧化硅层；
E、镀第五膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70°C，采用电子枪轰击第五膜层的膜材，其中第五膜层的膜材为银的氧化物，在电子枪蒸镀的作用下，银的氧化物分解后以纳米银的形式附着于上述步骤D中第四膜层的表面，同时控制第五膜层蒸镀的速率为1A/S，第五膜层最终形成厚度为5-20nm的纳米银层;其中所述银的氧化物为Ag2O、AgO或Ag2O3 ；
F、镀第六膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0 X 10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70°C，采用电子枪轰击第六膜层的膜材，第六膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤E中第五膜层的表面，同时控制第六膜层蒸镀的速率为7A/S，第六膜层最终形成后的厚度为10-50nm;其中，所述第六膜层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅高硬度晶体或者一氧化硅高硬度晶体，形成高硬度层。
[0011]所述的步骤I)中对基板的外表面进行清洗的具体方法如下:将基板放在真空腔内，用尚子枪轰击基板的外表面3分钟。
[0012]本发明的一种杀菌防炫增透的耐磨手机盖板的制备方法，在所述基板由玻璃成型时，所述制备方法具体包括以下步骤:
1)对基板的外表面进行清洗；
2)对基板的外表面进行镀膜；
A、镀第一膜层:
将真空镀膜舱内的真空度调整至小于或等于5.0X 10-3帕，并控制真空镀膜舱内的温度为200-300°C，采用电子枪轰击第一膜层的膜材，第一膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于基板的外表面，同时控制第一膜层蒸镀的速率为2.5A/S，第一膜层最终形成后的厚度为1-1OOnm;其中，所述第一膜层的膜材为五氧化三钛，形成五氧化三钛层； B、镀第二膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0 X 10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为200-300°C，采用电子枪轰击第二膜层的膜材，第二膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤A中第一膜层的表面，同时控制第二膜层蒸镀的速率为7A/S，第二膜层最终形成后的厚度为50-100nm;其中，所述第二膜层的膜材为二氧化硅，形成二氧化硅层；
C、镀第三膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0 X 10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为200-300°C，采用电子枪轰击第三膜层的膜材，第三膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤B中第二膜层的表面，同时控制第三膜层蒸镀的速率为2.5A/S，第三膜层最终形成后的厚度为1-1OOnm;其中，所述第三膜层的膜材为五氧化三钛，形成五氧化三钛层；
D、镀第四膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0 X 10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为200-300°C，采用电子枪轰击第四膜层的膜材，第四膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤C中第三膜层的表面，同时控制第四膜层蒸镀的速率为7A/S，第四膜层最终形成后的厚度为50-100nm;其中，所述第四膜层的膜材为二氧化硅，形成二氧化硅层；
E、镀第五膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为