本发明涉及碘领域，具体是一种规模化生产升华碘制取工艺。
背景技术：
现有技术中，用于现代科学领域如半导体、碘硫化锑(SbSI)这类化合物晶体作为具有潜在应用前景的一类材料，其合成路线的探索及控制生长越来越受到人们的关注。到目前为止，研究者们已经利用化学气相沉积法(CVD)，超声化学法和高温水热方法制备出SbSI等晶体。如用CVD方法可通过单质反应源在温度超过600℃的条件下生长出碘硫化锑(SbSI)晶体。
据荷兰《声学》(Ultrasonics Sonochemistry，2008年15卷709页)介绍，利用超声化学方法在低于100℃的温和条件下可制备出SbSI的纳米尺寸晶体，但这样生长出来的纳米晶体表面通常会伴生着一层未晶化的非晶层，该非晶层会影响和限制晶体的性能。
发明专利内容
本发明专利提供一种规模化生产升华碘制取工艺，以解决上述背景技术中提出的不节能环保的问题。
实现本发明第一个目的的技术方案是：本发明一种规模化生产升华碘制取工艺，(1)把固态碳酸氢铵加入温度为35℃±1℃的母液(B)中，母液(B)的组成为(重量％)：12-15％氯化铵，11-13％食盐，3-5.5％碳酸氢钠，余量为水；
(2)分离碳酸氢钠后的母液(A)输入冷析结晶器，搅拌下，在30～55分钟内降温至0～10℃，离心分离冷析的氯化铵；
(3)冷析氯化铵后的一种规模化生产升华碘制取工艺，温度0～10℃，搅拌下加入总量90％的40-60目的食盐，搅拌30-55分钟，离心分离盐析的氯化铵；
(4)把总量10％的食盐加入盐析氯化铵后的母液，循环使用。
冷析过程中的搅拌装置为叶片式鼓动器，转速300～550转/分。
分离碳酸氢钠的离心机转速为1200-1400转/分，洗涤水量为碳酸氢钠理论产量的18-22％。
附图说明
无
具体实施方式
本发明碘硫化锑单晶体及其同类化合物单晶体的制备方法，其特征在于：(1)把固态碳酸氢铵加入温度为35℃±1℃的母液(B)中，母液(B)的组成为(重量％)：12-15％氯化铵，11-13％食盐，3-5.5％碳酸氢钠，余量为水；
(2)分离碳酸氢钠后的母液(A)输入冷析结晶器，搅拌下，在30～55分钟内降温至0～10℃，离心分离冷析的氯化铵；
(3)冷析氯化铵后的一种规模化生产升华碘制取工艺，温度0～10℃，搅拌下加入总量90％的40-60目的食盐，搅拌30-55分钟，离心分离盐析的氯化铵；
(4)把总量10％的食盐加入盐析氯化铵后的母液，循环使用。
冷析过程中的搅拌装置为叶片式鼓动器，转速300～550转/分。
分离碳酸氢钠的离心机转速为1200-1400转/分，洗涤水量为碳酸氢钠理论产量的18-22％。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。