一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构，包括坩埚、护板、发热体、顶保温层、侧保温层和底保温层；发热体位于坩埚外周、包围住坩埚的侧面和底面；顶保温层位于坩埚上方，护板位于顶保温层表面；侧保温层和底保温层分别位于发热体外围和底部。本实用新的有益效果是：避免SiC蒸汽在保温材料内部沉积和腐蚀，从而保证在晶体生长全过程中，顶部保温材料维持恒定的保温效果，从而保证晶体生长的稳定性。
【专利说明】
一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种碳化硅制备装置领域的热场结构，具体的涉及一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构。
【背景技术】
[0002]在SiC晶体制备领域中，最为成熟的生长方法是物理气相传输法(PVT)。晶体生长使用的坩祸使用石墨材料，由于石墨材料具一定孔隙率，高温下SiC蒸汽可以穿透石墨坩祸并在坩祸外部的保温毡内沉积，特别是SiC蒸汽内的Si组分会与石墨保温毡发生化合生成SiC，将石墨毡转化成细碎的SiC粉末。保温毡糟腐蚀破坏后，整体保温性能将，并且腐蚀会集中在特定位置造成热场温度梯度偏离设计要求，造成晶体生长的不稳定。
[0003]为此，如何提供一种减轻保温部件腐蚀的结构，是本实用新型研究的目的。
[0004]
【发明内容】
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[0005]为克服现有技术不足，本实用新型提供一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构，对长晶过程泄露出的SiC蒸汽进行遮挡和导流，保证在晶体生长全过程中，顶部保温材料维持恒定的保温效果，从而保证晶体生长的稳定性。
[0006]为解决现有技术问题，本实用新型所采用的技术方案是:
[0007]—种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构，包括坩祸、护板、发热体、顶保温层、侧保温层和底保温层;所述的发热体位于坩祸外周、包围住坩祸的侧面和底面;所述的顶保温层位于坩祸上方，所述的护板位于顶保温层下方，并覆盖顶保温层下表面;所述的侧保温层和底保温层分别位于发热体外围和底部。
[0008]进一步的，所述的护板与坩祸顶部间距大于10mm。
[0009]进一步的，顶部保温层使用石墨软毡或石墨硬毡材料。
[0010]进一步的，所述的位于顶保温层下方的护板层数根据需要，可选择一层或多层。
[0011]本实用新的有益效果是:避免SiC蒸汽在保温材料内部沉积和腐蚀，从而保证在晶体生长全过程中，顶部保温材料维持恒定的保温效果，从而保证晶体生长的稳定性。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型的结构示意图。
[0013]其中:坩祸I，护板2、发热体3、顶保温层4、侧保温层5、底保温层6、感应圈7、碳化硅原料8、碳化硅晶体9。
【具体实施方式】
[0014]为了使本领域技术人员能够更加理解本实用新型技术方案，下面结合附图1对本实用新型做进一步分析。
[0015]如图1所示，一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构，包括坩祸I，护板2，发热体3，顶保温层4，侧保温层5，底保温层6，其中发热体3位于坩祸I外周、包围住坩祸I的侧面和底面，顶保温层4位于坩祸I上方，护板2位于顶保温层4下方，并覆盖顶保温层下表面，侧保温层5、底保温层6分别位于发热体3外围和底部。晶体生长过程中，由于顶保温层4及护板2温度低于坩祸I温度，SiC蒸汽降优先沉积在护板2表面，顶保温层能够在晶体生长过程保持基本恒定的保温状态。
[0016]护板2与坩祸I顶部间距大于10mm，护板2可以遮挡顶保温层4下表面、中孔表面。位于顶保温层4下方的护板2层数可大于I层。当坩祸I选用的石墨材料孔隙率增大或生长温度较高时，穿透坩祸I泄漏的SiC蒸汽量增大，可通过增加护板2的层数提高其保护能力。
[0017]本实用新型所述结构在SiC晶体生长顶部保温下表面及测温孔位置使用本专利设计的石墨零件进行包裹，对长晶过程泄露出的SiC蒸汽进行遮挡和导流，避免SiC蒸汽在保温材料内部沉积和腐蚀，从而保证在晶体生长全过程中，顶部保温材料维持恒定的保温效果，从而保证生长工艺的稳定性。
[0018]以上对本申请所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了实施例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
【主权项】
1.一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构，其特征在于:包括坩祸、护板、发热体、顶保温层、侧保温层和底保温层;所述的发热体位于坩祸外周、包围住坩祸的侧面和底面;所述的顶保温层位于坩祸上方，所述的护板位于顶保温层下方，并覆盖顶保温层下表面;所述的侧保温层和底保温层分别位于发热体外围和底部。2.根据权利要求1所述的一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构，其特征在于:所述的护板与坩祸顶部间距大于10mm。3.根据权利要求1所述的一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构，其特征在于:顶部保温层使用石墨软毡或石墨硬毡材料。4.根据权利要求1所述的一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构，其特征在于:所述的位于顶保温层下方的护板层数根据需要，可选择一层或多层。
【文档编号】C30B29/36GK205711037SQ201620576078
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年6月14日
【发明人】郑清超, 高宇, 杨坤
【申请人】河北同光晶体有限公司