技术特征：
技术总结
本发明属于石墨烯生长设备技术领域，具体涉及一种激光冷壁环境控制的石墨烯生长系统，通过将加热单元由传统的电阻丝加热改为激光加热，为石墨烯晶体的形核与生长过程提供了稳定的催化背景，为高质量二维晶体的生长提供了有力保障；同时激光加热使反应腔内环境温度始终保持低温，不需提供额外的冷却系统，使得设备结构更加紧凑，并且有效地缩短了石墨烯生长的时间，提高了制备效率；通过四极质谱仪和关联双向反馈系统，可以实时追踪石墨烯生长气氛，实现精确调控反应环境，并使得供气系统与侦测系统形成动态输出与反馈体系，从而实现对石墨烯生长参数的精确调控；通过精确调控反应气氛实现一台设备生产不同品质用途的石墨烯。
技术研发人员：王竹君;胡毅
受保护的技术使用者：王竹君;胡毅;西安星门低维纳米材料有限公司
技术研发日：2017.06.27
技术公布日：2017.11.24