技术特征：
技术总结
一种石墨电阻加热SiC晶体生长炉，包括炉腔、坩埚和加热单元，炉腔的上端和下端分别设置有上法兰盖和下法兰盖，上法兰盖上设置有上炉盖；坩埚设置在炉腔中，坩埚上部设有籽晶盖，坩埚的上方和下方均设置有保温毡，坩埚的外部自下至上设置至少一段石墨加热单元，石墨加热单元为石墨电阻加热，每段石墨加热单元独立设置加热功率控制装置，各段加热单元的外围设置有保温层。该生长炉采用多段石墨电阻加热，能够方便的进行晶体生长温场调控，包括生长界面前沿的温度梯度以及生长恒温区间的长度，可以用于生长高质量大尺寸的SiC晶体，可以大大提高产品的直径和厚度，大大提高SiC晶体的利用率，从而降低SiC晶体的生长成本。
技术研发人员：董春明
受保护的技术使用者：济南金曼顿自动化技术有限公司
技术研发日：2018.04.27
技术公布日：2018.07.13