技术特征：
技术总结
本发明提供一种双层石墨烯插层化合物的制备方法。利用氯化碘作为插层剂得到二阶石墨插层化合物，对二阶石墨插层化合物高温处理，氯化碘分解产生气体剥离石墨片层得到双层高质量石墨烯材料，利用三氯化铁等作为插层剂，运用熔融盐法对双层高质量石墨烯进行插层，得到双层石墨烯插层化合物。本发明方法，利用双层石墨烯的可控制备，得到双层石墨烯插层化合物，插层剂的存在使得层间距增大，插层剂也会让片层的自由载流子发生迁移，从而获得不同的电学、热学和磁学等性质。以双层石墨烯为基础的石墨烯插层化合物克服了传统的石墨插层化合物尺寸太大的缺点，可应用在新型微纳电子、透明电极、高频晶体管等器件的制造方面。
技术研发人员：苗中正
受保护的技术使用者：盐城师范学院
技术研发日：2018.04.24
技术公布日：2018.07.24