本发明属于显示屏刻蚀液领域，更具体地说，尤其涉及一种液晶显示屏减薄用洗屏废液的处理工艺。
背景技术：
薄膜晶体液晶显示屏在生产制造中会产生几类刻蚀废液，如基板玻璃减薄废刻蚀液、铝刻蚀废液和铟锡氧化物废刻蚀液等，这些废液的直接排放会导致资源浪费和环境污染。液晶显示屏洗屏废液具有较高的回收利用价值。
几类刻蚀废液中的铝刻蚀废液中含有磷酸、硝酸以及废酸，铝刻蚀废液中金属元素含量达到废料生产用酸的标准，可以作为农用化肥生产的混酸原料，废酸中的铝离子以及铜离子在中性条件下会形成不可溶性物质，不会构成对土壤的影响。
因此，为避免铝刻蚀废液的直接丢弃浪费，将铝刻蚀废液与磷矿粉结合生产磷肥，提出一种废物利用的液晶显示屏减薄用洗屏废液的处理工艺。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种液晶显示屏减薄用洗屏废液的处理工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种液晶显示屏减薄用洗屏废液的处理工艺，包括如下步骤：
s1、废铝刻蚀液收集：将液晶显示品减薄洗洗屏刻蚀后的废酸进行收集，收集到废液箱中，得到废铝刻蚀液；
s2、磷矿预处理：将磷矿原矿颗粒倒入棒磨机中，加水湿式棒磨，得到磷矿矿浆，将制得的磷矿矿浆倒在抽滤机上，抽水浓缩，将浓缩后的矿浆泥饼放入烘干箱中烘干，烘干后的泥饼，经碾压和筛分后得到磷矿粉；
s3、废铝刻蚀液与磷矿粉制备磷复肥：将步骤s2中经破碎、研磨和筛分后制得的磷矿粉与步骤s1中收集的废铝刻蚀液投加入搅拌罐中搅拌，搅拌15-20min后向搅拌罐中加入土壤改良剂、复合菌剂以及氧化铝粘合剂，继续搅拌45-60min后，将搅拌后的产物经烘干、熟化后得到磷复肥产品。
优选的，所述步骤s2中磷矿粉的细度为0.15mm-0.25mm。
优选的，所述步骤s3中磷矿粉与废铝刻蚀液的在反应罐中的反应温度为80-90℃。
优选的，所述步骤s3中废铝刻蚀液与磷矿粉的质量比为0.71-0.75:1。
优选的，所述步骤s3中磷复肥的熟化时间为14-16天，且熟化温度为25-30℃。
优选的，所述步骤s3中土壤改良剂、复合菌剂以及氧化铝粘合剂与废铝刻蚀液和磷矿粉总量的比重为：5-10:100、5-10:100以及15-30:100。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明对铝刻蚀废液进行回收利用，作为农用化肥生产的混酸原料，对铝刻蚀废液与磷矿的直接利用，以铝刻蚀废液与磷矿作为原料进行磷复肥的制备生产，铝刻蚀废液与磷矿粉在搅拌罐中反应时投加入土壤改良剂、复合菌剂以及氧化铝粘合剂，搅拌充分反应后，再经过烘干、熟化后得到磷复肥产品，不但确保了磷肥营养元素浓度，还避免了废渣量的产生，做到了综合利用废物资源，避免了铝刻蚀废液的直接排放处理，有效节约资源。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种液晶显示屏减薄用洗屏废液的处理工艺，包括如下步骤：
s1、废铝刻蚀液收集：将液晶显示品减薄洗洗屏刻蚀后的废酸进行收集，收集到废液箱中，得到废铝刻蚀液；
s2、磷矿预处理：将磷矿原矿颗粒倒入棒磨机中，加水湿式棒磨，得到磷矿矿浆，将制得的磷矿矿浆倒在抽滤机上，抽水浓缩，将浓缩后的矿浆泥饼放入烘干箱中烘干，烘干后的泥饼，经碾压和筛分后得到磷矿粉；
s3、废铝刻蚀液与磷矿粉制备磷复肥：将步骤s2中经破碎、研磨和筛分后制得的磷矿粉与步骤s1中收集的废铝刻蚀液投加入搅拌罐中搅拌，搅拌15-20min后向搅拌罐中加入土壤改良剂、复合菌剂以及氧化铝粘合剂，继续搅拌45-60min后，将搅拌后的产物经烘干、熟化后得到磷复肥产品。
具体的，所述步骤s2中磷矿粉的细度为0.15mm-0.25mm。
具体的，所述步骤s3中磷矿粉与废铝刻蚀液的在反应罐中的反应温度为80-90℃。
具体的，所述步骤s3中废铝刻蚀液与磷矿粉的质量比为0.71-0.75:1。
具体的，所述步骤s3中磷复肥的熟化时间为14-16天，且熟化温度为25-30℃。
具体的，所述步骤s3中土壤改良剂、复合菌剂以及氧化铝粘合剂与废铝刻蚀液和磷矿粉总量的比重为：5-10:100、5-10:100以及15-30:100。
本发明对铝刻蚀废液进行回收利用，作为农用化肥生产的混酸原料，对铝刻蚀废液与磷矿的直接利用，以铝刻蚀废液与磷矿作为原料进行磷复肥的制备生产，铝刻蚀废液与磷矿粉在搅拌罐中反应时投加入土壤改良剂、复合菌剂以及氧化铝粘合剂，搅拌充分反应后，再经过烘干、熟化后得到磷复肥产品，不但确保了磷肥营养元素浓度，还避免了废渣量的产生，做到了综合利用废物资源，避免了铝刻蚀废液的直接排放处理，有效节约资源。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。