用于宽频高导磁环生产的制造工艺的制作方法

文档序号:21402075发布日期:2020-07-07 14:34阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于宽频高导磁环生产的制造工艺,包括主料和辅料,其特征在于:其制备步骤包括:

s1、混合处理,取用fe2o365.0mol%、mn3o444.0mol%、zno15.0mol%混合处理,然后在1150℃下进行预烧;

s2、粉碎处理,将经预烧处理后原料震荡粉碎65min,粉碎后颗粒粒径为150μm;

s3、加醇搅拌,向经过粉碎后物料当中加入醇溶液,超声波震荡120min;

s4、向物料中中分别加入tio2、moo3、v2o5、bi2o3、caco3、sio2、nb2o5、sno2、co2o3、cuo作为添加剂,改善材料的频率特性和损耗特性;

s4、喷雾造粒;

s5、成型处理;

s6、烧结处理,成型后所得的毛坯置于氮气燃烧窑当中,在氧含量0.50%-35.00%的气氛中烧结处理;

所述醇溶液为pva溶液;

步骤s4中添加剂的各组分量为tio245-65ppm、moo360-78ppm、v2o520-42ppm、bi2o358-65ppm、caco332-42ppm、sio255-61ppm、nb2o550-66ppm、sno248-68ppm、co2o333-42ppm、cuo45-65ppm;

所述氮气燃烧窑包括窑体(1)、用于推送磁环进入至窑体内的进料装置及出料装置,所述窑体(1)内设有用于将磁环由所述窑体(1)一端输送至另一端的输送部件(2)、设于所述窑体(1)内的多个加热部件(3)、用于向所述窑体(1)内输入气体的送气部件(4)及用于降低所述窑体(1)一端温度以冷却磁环的冷却部件(5),所述冷却部件(5)设于所述窑体(1)一端;

所述窑体(1)为一方形的窑体,该窑体(1)上设有两块由上至下倾斜设置的导热板(11),该导热板(11)为的弧形设置,该导热板(11)有两块,并且两块导热板(11)为对称设置;

所述输送部件(2)包括设于所述窑体(1)内的支架(21)、设于所述支架(21)上的履带(22)、用于驱动所述履带(22)转动的驱动结构(23)及支撑所述履带(22)的轨道(28),所述轨道(28)设于所述支架(21)上;

所述履带(22)包括多个第一横杆(221)和多个与所述第一横杆(221)间隔设置的第二横杆(222),所述第一横杆(221)与所述第二横杆(222)活动连接;

所述第一、第二横杆上均设有的第三滚珠(281),所述第三滚珠(281)位于所述轨道(28)内;

所述第一横杆(221)为一金属方条,所述第二横杆(222)同样为金属方条;在所述第一横杆(221)的一侧设有第一凸出部(291),另一侧设有深度与所述第一凸出部(291)厚度相同的第一凹部(292),第二横杆(222)的一侧设有厚度与所述第一第一凸出部(291)深度一致的第二凸出部(293),第二横杆(222)的另一侧设有深度与所述第一凸出部(291)厚度一致的第二凹部(294),因此在所述履带(22)转动的时候,所述第一凸出部(291)可嵌入到所述第二凹部(294)内,同样的第二凸部(293)可嵌入到所述第一凹部(291)内;

所述输送部件(2)还包括用于供磁环放置的支撑板(27),所述支撑板(27)上设有圆盘形设置齿块(271),所述支架(21)上设有与所述齿块(271)相配合的齿条(211);

所述履带(22)上端面向下凹陷形成有环形的旋转凹轨(223),所述凹轨(223)内设有多个第一滚珠(224),所述履带(22)上设有直径大于所述第一滚珠(224)的第二滚珠(225),所述齿块(231)中部设有与所述第二滚珠(225)相配合的凹陷部(272);

所述第二滚珠(225)设于所述旋转凹轨(223)所圈起来的圆形正中间;

所述凹陷部(272)为锥形设置,所述齿块(271)上设有与所述凹陷部(272)相连通的防滑凹部(273),该防滑凹部(273)为近似于半球形的凹部,该防滑凹部(273)位于所述防滑凹部(273)的顶端。


技术总结
本发明公开了一种用于宽频高导磁环生产的制造工艺,包括主料和辅料,其制备步骤包括:S1、混合处理,取用Fe2O3 45.0‑65.0mol%、Mn3O4 25.0‑44.0mol%、ZnO 5‑15.0mol%混合处理,然后在800‑1500℃下进行预烧;S2、粉碎处理,将经预烧处理后原料震荡粉碎45‑65min;S3、加醇搅拌,向经过粉碎后物料当中加入醇溶液,超声波震荡60‑120min;S4、向物料中中分别加入TiO2、MoO3、V2O5、Bi2O3、CaCO3、SiO2、Nb2O5、SnO2、Co2O3、CuO作为添加剂,改善材料的频率特性和损耗特性;S4、喷雾造粒;S5、成型处理。本发明满足了轻薄小型化、高性能化和高密度化的电子元器件的日益增长的需求,具有更高的磁导率,初始磁导率达5K。

技术研发人员:燕杰;陈志华;谢文革;赵武奇;吴斌
受保护的技术使用者:浙江春晖磁电科技有限公司
技术研发日:2019.01.30
技术公布日:2020.07.07
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