多晶硅还原炉封头及多晶硅还原炉的制作方法

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅还原炉封头及多晶硅还原炉。

背景技术：

一般地，多晶硅还原炉封头包括夹套封头和内封头，夹套封头套设在内封头外侧，两者之间形成夹套空间，且两者之间没有连接，夹套封头与内封头之间互不影响。该种多晶硅还原炉封头在使用过程中存在以下问题：当夹套空间内的介质的温度和压力升高时，受介质的温度和压力影响，内封头的壁厚会显著增加，内封头厚度增加后会大幅度降低传热效率，影响多晶硅还原炉正常使用。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提出一种多晶硅还原炉封头及多晶硅还原炉，以克服传统多晶硅还原炉封头存在的内封头的厚度受介质的温度和压力变化影响大，传热效率低的技术问题。

为达此目的，一方面，本实用新型采用以下技术方案：

一种多晶硅还原炉封头，包括：内封头、夹套封头和导流板，所述夹套封头套设在所述内封头外侧，所述夹套封头和所述内封头之间形成夹套空间，所述导流板设置在所述夹套空间内，且所述导流板分别与所述内封头和所述夹套封头焊接连接。

在其中一个实施例中，所述夹套封头包括多个夹套板，多个所述夹套板依次相邻设置，且每个所述夹套板均与所述导流板焊接连接。

在其中一个实施例中，所述导流板呈螺旋形，所述导流板于所述夹套空间内形成螺旋形通道。

在其中一个实施例中，所述导流板为环状导流板，所述环状导流板的数量为多个，且多个所述环状导流板在所述夹套空间内同心间隔设置，相邻的两个所述环状导流板在所述夹套空间内形成导流通道。

在其中一个实施例中，每个所述环状导流板上均开设有导流缺口，相邻的两个所述导流通道之间通过所述导流缺口连通。

在其中一个实施例中，所述夹套封头上设置有出液口，所述出液口与所述夹套空间连通。

在其中一个实施例中，所述多晶硅还原炉封头还包括阀门，所述阀门连接至所述出液口。

另一方面，本实用新型还提供一种多晶硅还原炉，包括上述任一项所述的多晶硅还原炉封头。

上述的多晶硅还原炉封头中，导流板分别与内封头和夹套封头焊接连接，将内封头和夹套封头连接为一个整体，两个封头之间可以相互加强，互相支撑，封头整体结构稳定可靠，并且，当夹套空间内的介质温度和压力升高时，内封头和夹套封头相互加强，能够显著减少内封头的厚度变化，内封头厚度增加量较小，不会影响传热效率，不影响多晶硅还原炉正常使用。另外，夹套封头与内封头通过导流板连接在一起，形成密闭流道，不会有串流的问题。综上，与传统多晶硅还原炉封头结构相比，上述的多晶硅还原炉封头具有结构稳定可靠、传热效率稳定且能够有效避免串流的有益效果。

上述的多晶硅还原炉通过应用上述的多晶硅还原炉封头具有传热效率稳定、运行稳定可靠且能够有效避免串流的有益效果。

附图说明

图1是一个实施例中多晶硅还原炉的结构示意图；

图2是一个实施例中多晶硅还原炉封头的结构示意图。

附图标记说明：

10-多晶硅还原炉封头，11-内封头，12-夹套封头，121-夹套板，13-导流板，14-夹套空间，15-出液口，16-阀门，20-还原炉筒体，21-夹套冷却空间，22-进液口。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

本实施例公开一种多晶硅还原炉封头和包括该多晶硅还原炉封头的多晶硅还原炉。如图1所示，一实施例的多晶硅还原炉包括多晶硅还原炉封头10和还原炉筒体20，多晶硅还原炉封头10与还原炉筒体20连接。

如图2所示，一实施例的多晶硅还原炉封头10包括内封头11、夹套封头12和导流板13，夹套封头12套设在内封头11外侧，夹套封头12和内封头11之间形成夹套空间14，导流板13设置在夹套空间14内，且导流板13分别与内封头11和夹套封头12焊接连接。具体地，夹套封头12包括多个夹套板121，多个夹套板121依次相邻设置，且每个夹套板121均与导流板13焊接连接。更为具体地，夹套板121为环形板，多个夹套板121同心设置。

上述的多晶硅还原炉封头20中，导流板13分别与内封头11和夹套封头12焊接连接，将内封头11和夹套封头12连接为一个整体，两个封头之间可以相互加强，互相支撑，封头整体结构稳定可靠，并且，当夹套空间14内的介质温度和压力升高时，内封头11和夹套封头12相互加强，能够控制内封头11的厚度变化在可接受范围内，可以显著减少内封头11的厚度变化，内封头11厚度增加量较小，不会影响传热效率，不影响多晶硅还原炉10正常使用。另外，夹套封头12与内封头11通过导流板13连接在一起，形成密闭流道，不会有串流的问题。

在一个实施例中，导流板13呈螺旋形，导流板13于夹套空间内形成螺旋形通道。在另一个实施例中，导流板13为环状导流板，环状导流板的数量为多个，且多个环状导流板在夹套空间14内同心间隔设置，相邻的两个环状导流板在夹套空间14内形成环状导流通道。具体地，在一个实施例中，每个环状导流板上均开设有导流缺口，相邻的两个导流通道之间通过导流缺口连通。

具体地，还原炉筒体20具有夹套冷却空间21，夹套空间14和夹套冷却空间21连通。在一个实施例中，夹套封头11上设置有出液口15，出液口15与夹套空间14连通。进一步地，还原炉筒体20上设置有进液口22，进液口22与夹套冷却空间21连通，进液口22和出液口15之间通过夹套冷却空间21和夹套空间14连通。冷却介质(可以但不局限为水)从进液口22进入夹套冷却空间21内，流经夹套冷却空间21和夹套空间14后经出液口排出，对多晶硅还原炉进行冷却。

在一个实施例中，多晶硅还原炉封头10还包括阀门16，阀门16连接至出液口15。进一步地，进液口22上也连接阀门16，通过在进液口22和出液口15处设置阀门16，可以方便结合不同的工况条件及时调节进水量及出水量，以控制多晶硅还原炉上部和下部的温度差，结合工艺生长，达到更好的生长效果。

上述的多晶硅还原炉封头具有结构稳定可靠、传热效率稳定且能够有效避免串流的有益效果。

上述的多晶硅还原炉通过应用上述的多晶硅还原炉封头具有传热效率稳定、运行稳定可靠且能够有效避免串流的有益效果。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。