一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构的制作方法

1.本技术涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构。


背景技术：

2.在现有技术中，碳化硅（sic）高温外延生长设备一般包括传输系统、外延反应室系统及真空抽气系统，且为一一配套设置；而外延反应室系统每使用一段时间便需要进行停机清洗维护，而在停机清洗维护的过程中，需要用户人工进行反应室系统的分离，具有反应室系统与传输系统之间的连接结构复杂，导致反应室系统的拆除和连接过程十分繁琐。
3.针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，以达到快速完成反应室机构与传输机构之间的快速拆除、连接的目的。
5.第一方面，本技术提供了一种反应室机构，用于碳化硅的外延生长，所述反应室机构包括：反应室本体，用于对衬底进行外延生长；快拆装置，设于所述反应室本体的出口端，用于对所述反应室本体与多腔式碳化硅外延设备的传输机构进行固定连接；平移机构，设于所述反应室本体底部，用于驱动所述反应室本体发生位移；控制器，用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态；所述控制器还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动。
6.本技术的一种反应室机构，利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，有效简化、缩短反应室本体与传输机构的拆装流程，其次，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间，即减少了停机时间，且反应室机构的分离和连接过程无需用户手动完成，有效节省劳动成本。
7.所述的一种反应室机构，其中，所述快拆装置为气缸手指。
8.所述的一种反应室机构，其中，所述反应室本体上还设有对位结构，所述对位结构用于对位限定所述反应室本体与所述传输机构的连接位置。
9.第二方面，本技术还提供了一种多腔式碳化硅外延设备，用于碳化硅的外延生长，所述设备包括：反应室机构，用于对衬底进行外延生长；传输机构，与所述反应室机构连接，用于对反应室机构进行上下料操作；
控制器，用于控制所述传输机构对反应室机构进行上下料操作，还用于控制所述反应室机构对衬底进行外延生长；其中，所述反应室机构包括：反应室本体，用于对衬底进行外延生长；快拆装置，设于所述反应室本体的出口端，用于对所述反应室本体与所述传输机构进行固定连接；平移机构，设于所述反应室本体底部，用于驱动所述反应室本体发生位移；所述传输机构连接有两个以上的反应室机构；所述控制器还用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，以及用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室机构靠近或远离所述传输机构移动。
10.本技术的一种多腔式碳化硅外延设备，通过一个传输机构连接两个以上的反应室机构，使得多个反应室机构共用一个传输机构进行衬底的上下料操作，使得设备资源配对更合理，从而减少设备成本；反应室本体均利用快拆装置与传输机构进行连接，使得本技术的一种多腔式碳化硅外延设备能根据实际生产情况，在传输机构中接入合适数量的反应室机构，从而使得本技术的一种多腔式碳化硅外延设备能同时配备合适数量的反应室机构进行外延生长，而调节衬底的产出效率。
11.所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述传输机构包括：传输腔架；上下料机械手，设于所述传输腔架内，用于对所述反应室机构进行上下料操作；装载腔，与所述传输腔架连接，用于存放所述衬底；所述传输腔架上设有两个以上的取放口，所述取放口用于连接所述反应室机构。
12.所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述传输机构还包括：缓存腔，与所述传输腔架连接，用于暂时存放完成外延生长的所述衬底。
13.所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述传输机构还包括：插板阀，所述插板阀设于所述取放口上。
14.所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述快拆装置为气缸手指，所述传输机构上设有能与反应室本体出口端配合的连接法兰，所述控制器用于控制所述气缸手指闭合扣紧所述连接法兰而将所述反应室本体固定在所述传输机构上。
15.所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述反应室本体上还设有对位结构，所述传输机构设有与所述对位结构配合的对位孔而限定所述反应室本体与所述传输机构的连接位置。
16.所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述反应室机构为两个，且两个所述反应室机构呈垂直布置。
17.由上可知，本技术提供了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，有效简化、缩短反应室本体与传输机构的拆装流程，其次，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间，即减少了停机时间，且反应室机构的
分离和连接过程无需用户手动完成，有效节省劳动成本。
附图说明
18.图1为本技术实施例提供的一种反应室机构的结构示意图。
19.图2为本技术实施例提供的一种多腔式碳化硅外延设备的结构示意图。
20.图3为反应室本体与传输机构的连接结构示意图。
21.图4为图3中构件的俯视结构示意图。
22.图5为传输机构的结构示意图。
23.图6为本技术实施例提供的一种多腔式碳化硅外延设备中的反应室机构的结构示意图。
24.附图标记：1、传输机构；2、反应室机构；3、抽真空机构；11、传输腔架；12、对位孔；13、装载腔；14、缓存腔；15、插板阀；16、连接法兰；21、反应室本体；22、快拆装置；23、出口端；24、平移机构；25、对位结构；211、反应室机架；212、气体工艺柜；213、反应腔；214、感应加热器。
具体实施方式
25.下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
26.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
27.本技术实施例提供的一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，用于碳化硅片的外延生长，其为水平式cvd外延设备，水平式cvd外延设备一般包括传输机构1、反应室机构2、抽真空机构3和用于控制设备运行的控制器，其中，反应室机构2用于对其内反应腔213提供反应气体和高温环境，使得经传输机构1置入反应室机构2内的衬底在反应气体及高温氛围下进行外延生长。
28.具体地，水平式cvd外延设备的反应室机构2的反应腔213为水平设置，即反应气体为水平送入反应腔213中，反应气体反应后产生的尾气水平地从反应腔213中送出，反应室机构2中发生反应的部位为反应腔213，反应腔213在反应室机构2的供热作用下达到外延工艺需求的温度，如达到碳化硅外延生长的1600-1700℃。
29.反应室机构2在完成一个周期的外延生长后，需要从传输机构1上分离以进行清洗维护。
30.第一方面，请参照图1，图1是本技术一些实施例中的一种反应室机构，用于碳化硅的外延生长，反应室机构包括：反应室本体21，用于对衬底进行外延生长；
快拆装置22，设于反应室本体21的出口端23，用于对反应室本体21与多腔式碳化硅外延设备的传输机构1进行固定连接；平移机构24，设于反应室本体21底部，用于驱动反应室本体21发生位移；控制器（图示未画出），用于控制快拆装置22的开合以改变反应室本体21与传输机构1的连接状态；控制器还用于在快拆装置22处于打开状态时，控制平移机构24运动以使反应室本体21靠近或远离传输机构1移动。
31.具体地，当快拆装置22关闭时，反应室本体21与传输机构1固定连接；当快拆装置22打开时，反应室本体21与传输机构1为活动状态，即反应室本体21与传输机构1为分离状态，使得反应室机构2可从传输机构1上拆除以进行清洗维护。
32.具体地，控制器还用于控制反应室机构2运行以使反应室本体21内的衬底进行外延生长。
33.更具体地，在反应室机构2需要进行清洗维护时，控制器控制反应室机构2在传输机构1取出反应室本体21内的衬底后暂停供气、供热，然后控制快拆装置22打开，将反应室本体21与传输机构1之间的固定连接关系转变为活动连接关系，接着控制平移机构24运行使得反应室本体21离开传输机构1，从而完成反应室机构2与传输机构1的分离，其后，等待用户对反应室机构2完成清洗维护后，控制器再控制反应室机构2与传输机构1连接。
34.更具体地，在反应室机构2需要与传输机构1连接时，控制器控制平移机构24运行使得反应室本体21靠近传输机构1运动，使得反应室本体21与传输机构1对接，在反应室本体21与传输机构1对接到位后，控制器控制快拆装置22关闭，将反应室本体21固定在传输机构1上。
35.本技术实施例的一种反应室机构，利用快拆装置22连接反应室本体21和传输机构1，使得控制器能迅速改变反应室本体21和传输机构1的连接状态，有效简化、缩短反应室本体21与传输机构1的拆装流程，其次，反应室本体21底部设置由控制器控制运行的平移机构24，使得反应室本体21在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构2清洗维护的时间，即减少了停机时间，且反应室机构2的分离和连接过程无需用户手动完成，有效节省劳动成本。在一些优选的实施方式中，快拆装置22为气动型快拆装置，如气缸手指、气涨轴和真空吸盘等，控制器控制快拆装置22进出气可快速切换快拆装置22的开合状态，具有反应迅速、连接稳固的特点。
36.在一些优选的实施方式中，快拆装置22优选为气缸手指。
37.具体地，气缸手指紧固力度相对较强，能保证反应室机构2与传输机构1连接严密稳固，从而防止反应气体和温度泄露。
38.更具体地，气缸手指在控制器控制下夹紧传输机构1的凸出部位以固定反应室本体21，凸出部位如连接法兰16、外壳等。
39.在一些优选的实施方式中，气缸手指为两个以上；利用两个以上的气缸手指进行连接操作，能使得反应室本体21的出口端23与传输机构1连接处紧固受力均匀，从而使得反应室本体21与传输机构1连接更严密稳固，从而防止反应气体和温度泄露。
40.在一些优选的实施方式中，反应室本体21上还设有对位结构25，对位结构25用于对位限定反应室本体21与传输机构1的连接位置。
41.在实际生产场景中，平移机构24驱动反应室本体21移动时可能会产生一定位移偏差，因此设置对位结构25对位限定反应室本体21与传输机构1的连接位置，能使反应室本体21在连接过程中能顺利与传输机构1对位连接，确保反应室本体21的出口端23能正对传输机构1的连接部位，从而使得反应室本体21与传输机构1连接更严密稳固，从而防止反应气体和温度泄露，也免去了用户进行位置校正调节操作，简化反应室本体21与传输机构1的连接流程。
42.具体地，对位结构25为对位销、限位块、激光器等，在一些优选的实施方式中，对位结构25为对位销。
43.在一些优选的实施方式中，对位销为一个以上，在本实施例中，优选为两个，且分别设置在出口端23两侧。
44.第二方面，请参照图2-图6，图2-图6是本技术一些实施例中的一种多腔式碳化硅外延设备，用于碳化硅的外延生长，设备包括：反应室机构2，用于对衬底进行外延生长；传输机构1，与反应室机构2连接，用于对反应室机构2进行上下料操作；控制器（图示未画出），用于控制传输机构1对反应室机构2进行上下料操作，还用于控制反应室机构2对衬底进行外延生长；其中，反应室机构2包括：反应室本体21，用于对衬底进行外延生长；快拆装置22，设于反应室本体21的出口端23，用于对反应室本体21与传输机构1进行固定连接；平移机构24，设于反应室本体21底部，用于驱动反应室本体21发生位移；传输机构1连接有两个以上的反应室机构2；控制器还用于控制快拆装置22的开合以改变反应室本体21与传输机构1的连接状态，以及用于在快拆装置22处于打开状态时，控制平移机构24运动以使反应室机构2靠近或远离传输机构1移动。
45.本技术实施例的一种多腔式碳化硅外延设备，通过一个传输机构1连接两个以上的反应室机构2，使得多个反应室机构2共用一个传输机构1进行衬底的上下料操作，使得设备资源配对更合理，从而减少设备成本；反应室本体21均利用快拆装置22与传输机构1进行连接，使得本技术实施例的一种多腔式碳化硅外延设备能根据实际生产情况，在传输机构1中接入合适数量的反应室机构2，从而使得本技术实施例的一种多腔式碳化硅外延设备能同时配备合适数量的反应室机构2进行外延生长，而调节衬底的产出效率。
46.本技术实施例的多腔式碳化硅外延设备采用快拆装置22连接反应室本体21和传输机构1，且反应室本体21底部设有可移动的平移机构24，使得反应室本体21能进行快速安装与拆除，并能在拆除后从传输机构1上便捷分离，从而利于用户对反应室机构2进行清洗维护操作。
47.具体地，由于传输机构1能连接一个以上的反应室机构2，并能对连接了的反应室机构2进行上下料操作，因此，反应室机构2拆除后还可接入新的反应室机构2至传输机构1上，从而使得本技术实施例的外延设备能一直进行外延生长，确保生产的连贯性，使得拆除下来的反应室机构2能独立进行清洁、维护操作，避免反应室机构2的清洁、维护操作过程影
响生产过程；更具体地，反应室本体21底部设有y型导轨（图示未画出），平移机构24能沿着y型导轨移动，反应室机构2从传输机构1上分离后移动至y型导轨的一分叉端上，y型导轨的另一分叉端上预先置有另一个反应室机构2，控制器能驱动另一分叉端上的反应室机构2移动而与传输机构1连接，进而确保生产连贯性。
48.在一些优选的实施方式中，多腔式碳化硅外延设备还包括：抽真空机构3，用于对反应室机构2进行抽真空处理。
49.在一些优选的实施方式中，控制器与传输机构1、反应室机构2、抽真空机构3、快拆装置22以及平移机构24电性连接，控制器用于根据使用需求控制传输机构1与对应数量的反应室机构2连接，具体过程表现为控制快拆装置22的开合状态以改变相应的反应室机构2与传输机构1的连接状态，以及控制平移机构24运行驱动相应的反应室机构2朝向或远离传输机构1移动。
50.更具体地，反应室机构2在通过快拆装置22固定在传输机构1上后，即可开始进行碳化硅外延生长，具体过程为：抽真空机构3对反应室机构2进行抽真空处理，使得反应室机构2的反应腔213内排除所有能与碳化硅反应气体进行反应的气体，然后控制反应室机构2的反应腔213调节至满足碳化硅外延生长的工况（包括温度、气压、反应气体浓度等），接着传输机构1将衬底置于反应室机构2的反应腔213内，使衬底开始进行晶体生长。
51.在一些优选的实施方式中，传输机构1包括：传输腔架11；上下料机械手（图示未画出），设于传输腔架11内，用于对反应室机构2上下料操作；装载腔13，与传输腔架11连接，用于存放衬底；传输腔架11上设有两个以上的取放口，取放口用于连接反应室机构2。
52.具体地，控制器用于在反应室机构2内空载时控制上下料机械手将装载腔13中未生长的衬底置入对应空载的反应室机构2内的反应腔213中，以进行外延生长，控制器内设有碳化硅外延生长的需求时间，用于在反应室机构2的内衬底进行需求时间的外延生长后，控制上下料机械手从该反应室机构2内取出已完成外延生长的衬底。
53.具体地，在传输机构1准备开始第一次上料前，需对传输腔架11内进行抽真空处理，即使得传输腔架11内充满不与碳化硅及制备碳化硅原料进行反应的气体，从而避免上下料机械手取出完成外延生长的衬底后，衬底上的晶体在尚未完全冷却前与传输腔架11内气体反应而影响产品质量；传输机构1可通过抽真空机构3进行抽真空处理，或基于额外的安装在传输机构1上的真空机构进行抽真空处理。
54.具体地，在本实施例中，反应室机构2和传输机构1采用氢气或氩气进行抽真空处理（通过填充不参与反应的气体构成伪真空状态）。
55.具体地，传输腔架11通过取放口与反应室机构2连接，取放口的数量限定了传输机构1连接的反应室机构2的数量上限，因此，根据使用需求设计传输腔架11的结构能改变本技术实施例的一种多腔式碳化硅外延设备的反应室机构2的可安装数量。
56.在一些优选的实施方式中，传输腔架11呈正棱柱状，传输腔架11的棱边数越多，能安装的反应室机构2越多，在本技术的实施例中，传输腔架11最多连接有两个反应室机构2，能确保设备整体能保持外延生长的持续运行状态，传输腔架11呈正八棱柱状，使得在传输
腔架11能顺利配对连接反应室机构2及装载腔13的情况下，使得传输腔架11内体积更小、结构更紧凑，减少其抽真空时通入的气体用量。
57.在一些优选的实施方式中，传输机构1还包括：缓存腔14，与传输腔架11连接，用于暂时存放完成外延生长的衬底。
58.具体地，装载腔13用于存放未进行外延生长的衬底和已完成外延生长的衬底，在上下料机械手从反应室机构2内处于高温状态的反应腔213中取出已完成外延生长的衬底时，该衬底温度较高，若直接置于装载腔13中会引起装载腔13的温升而影响未进行外延生长的衬底的质量，因此，需要对刚从反应腔213中取出的已完成外延生长的衬底进行冷却处理，故在传输腔架11上设置缓存腔14，该缓存腔14用于暂时存放从反应室机构2的反应腔213中取出的已完成外延生长的衬底，使得衬底能在缓存腔14中进行冷却处理，待缓存腔14中衬底完成冷却处理后，上下料机械手再将该衬底转移至装载腔13中存放。
59.更具体的，由于本技术实施例的一种多腔式碳化硅外延设备设有多个反应室机构2，因此，装载腔13为分层式结构，其可存放多个衬底；在开始外延生长前，碳化硅外延设备通过装载腔13批量置入多个衬底，在结束外延生长后，碳化硅外延设备通过装载腔13批量取出多个完成外延生长的衬底。
60.具体地，控制器预设有冷却时间，衬底在缓存腔14中的存放时间达到预设的冷却时间后，控制器控制上下料机械手将缓存腔14中的衬底移动至装载腔13中，腾空缓存腔14。
61.更具体地，在本实施例中，传输腔架11最多可连接两个反应室机构2，以及传输腔架11设置一个缓存腔14，由此，使得两个反应室机构2产出的衬底可交替重复使用一个缓存腔14进行冷却，从而合理分配设备资源、节省设备成本。
62.具体地，如图2所示，在本实施例中，呈正八棱柱状的传输腔架11可将传输腔架11上连接的两个反应室机构2、缓存腔14和装载腔13隔开，具有结构布局均匀的特点，并方便了上下料机械手运动而将衬底转移。
63.在一些优选的实施方式中，传输机构1还包括：插板阀15，插板阀15设于取放口上。
64.具体地，由于取放口用于连接反应室机构2，因此，插板阀15关闭时，能密封传输腔架11和反应室机构2，使得两者的气体环境完全隔离，从而使得反应室机构2从传输机构1上拆除时，能利用插板阀15阻断气体流通，以避免传输腔架11内流入外界气体而影响还在进行外延生长的反应室机构2的运行效果。
65.具体地，插板阀15与控制器电性连接，控制器用于控制插板阀15运行以封闭或打开反应室机构2与传输机构1的连接通道，反应室机构2与传输机构1之间的连接通道打开时，上下料机械手能将衬底送入反应室机构2的反应腔213内或能将反应室机构2的反应腔213内的衬底取走。
66.更具体地，在反应室机构2从传输机构1上拆除的过程中，插板阀15在快拆装置22打开前关闭阀门；在反应室机构2连接传输机构1的过程中，插板阀15在快拆装置22闭合且抽真空机构3完成反应室机构2的抽真空处理后打开阀门。
67.在一些优选的实施方式中，快拆装置22为气缸手指，传输机构1上设有能与反应室本体21出口端23配合的连接法兰16，所述控制器用于控制所述气缸手指闭合扣紧所述连接法兰16而将所述反应室本体21固定在所述传输机构1上。
68.具体地，反应室机构2通过连接法兰16与传输机构1配合连接，从而避免气体从反应室机构2和传输机构1之间的连接间隙中泄漏，以确保本技术实施例的一种多腔式碳化硅外延设备在进行外延生长反应时的真空效果。
69.具体地，在确保反应室机构2与传输机构1的连接密封效果满足生产需求的情况下，快拆装置22可以是常见的电动连接结构，如电动夹具、气缸手指、气涨轴等，在实施例中，快拆装置22优选为气缸手指，其通过闭合扣紧所述连接法兰16而将所述反应室本体21固定在所述传输机构1上，具有反应迅速、连接稳固的特点。
70.在一些优选的实施方式中，气缸手指为两个以上；在实施例中，气缸手指优选为6个，且为圆周阵列设置，6个圆周阵列的气缸手指均匀地紧固连接法兰16外周边缘，从而保证反应室机构2与传输机构1的连接稳固性、密封性。具体地，反应室机构2与传输机构1的连接过程为，平移机构24驱动反应室机构2沿预设路线朝向传输机构1运动，使得反应室机构2出口端23正对连接法兰16，直至出口端23与连接法兰16配合连接，此时，6个气缸手指恰好位于连接法兰16外周，控制器控制气缸手指闭合而将连接法兰16紧紧锁定在反应室本体21上，进而将反应室机构2固定在传输机构1上，从而完成反应室机构2的连接安装，反之即可将反应室机构2从传输机构1上拆除，该连接和拆除过程具有操作便捷迅速、对位准确的特点，利于反应室机构2拆装，缩短反应室机构2的停机时间。
71.更具体地，连接法兰16呈圆柱状，因此，圆周阵列设置的气缸手指恰好对应于连接法兰16外边缘位置，从而能对连接法兰16施加紧固力而将反应室本体21固定在传输机构1上。
72.在一些优选的实施方式中，反应室本体21上还设有对位结构25，传输机构1设有与对位结构25配合的对位孔12而限定反应室本体21与传输机构1的连接位置。
73.具体地，对位结构25优选采用对位销，利用对位销和对位孔12的对位配合能迅速完成反应室本体21与传输机构1的位置对位。
74.更具体地，对位销外端具有倒角，在反应室本体21产生一定位置偏移时，对位销外端倒角处依然能顺利插入对位孔12中，然后利用倒角偏置导向而自动矫正反应室本体21的对位位置。
75.在一些优选的实施方式中，反应室机构2为两个，且两个反应室机构2呈垂直布置。
76.具体地，由于反应室机构2整体布置较长，占地面积较大，因此将两个反应室机构2设置为相对于传输机构1呈垂直布置，可避免两个反应室机构2布置时相互妨碍，也使得反应室机构2拆除后能从传输机构1上移走，还便于上下料机械手设计移动路径进行上下料。
77.在一些优选的实施方式中，反应室本体21包括：反应室机架211；气体工艺柜212，安装在反应室机架211上，用于提供碳化硅外延生长所需的反应气体（包括碳源气体、硅源气体和携带气体，携带气体为氢气或氩气等不参与外延生长反应的气体）；感应加热器214，安装在反应室机架211上，用于在通电作用下使反应腔213具备高温工况。
78.其中，反应腔213安装在反应室机架211上，用于接收来自气体工艺柜212提供的反应气体，及用于放置衬底，使衬底在其内持续旋转并在高温工况下进行外延生长。
79.具体地，反应腔213出口端23通过反应室机架211与传输机构1连接，气缸手指设于反应室机架211上。
80.具体地，气体工艺柜212与反应腔213之间还设有将反应气体均匀送入反应腔213中的导气组件。
81.具体地，平移机构24设于反应室机架211底部，用于驱动整个反应室机构2在地面上运动，其为电动轮或其他能驱动对象在地面上发生位移的移动设备。
82.在别的实施例中，平移机构24还可以是无动力移动设备，如滑轮，在快拆装置22分离后，用户可通过平移机构24推动反应室机构2以进行反应室机构2的移动。
83.为进一步阐述控制器控制反应室机构2与传输机构1之间的连接及分离过程，下面以反应室机构2与传输机构1的分离过程为例，阐述控制器控制反应室机构2与传输机构1的分离方法，具体步骤如下：s101、控制反应室机构2停止供热、供气；具体地，分别通过控制反应室机构2的感应加热器214和气体工艺柜212停止运作以使得反应室机构2停止供热、供气，从而避免反应腔213内气体继续反应而继续污染反应腔213。
84.s102、控制反应室机构2与传输机构1之间的快拆装置22打开；具体地，通过控制快拆装置22打开，使得反应室机构2相对于传输机构1为可活动状态，利于后续取出反应室机构2。
85.s103、控制反应室机构2底部的平移机构24运行，以使反应室机构2朝远离传输机构1的方向移动。
86.具体地，通过传输机构1驱动反应室机构2运动，使得反应室机构2与传输机构1之间连接的连接法兰16分离，从而使得反应室机构2彻底脱离传输机构1。
87.上述的多腔式碳化硅外延设备在运行一段时间后，反应室机构2的反应腔213内会产生脏污，若继续使用存在过多脏污的反应室机构2进行外延生长，会导致产品上出现掉落物缺陷，因此需要对使用时间过长的反应室机构2进行清理，此时，需要进行反应室机构2的拆除。
88.在一些优选的实施方式中，若反应室机构2需要进行清理时仍在进行衬底外延生长，则待该衬底完成外延生长后，由传输机构1取出该衬底，再控制反应室机构2停止供热、供气，避免碳化硅外延设备提前结束外延生长而产出半成品产品。
89.在一些优选的实施方式中，由于传输机构1与反应室机构2的连接端上设有插板阀15，步骤s101和步骤s102之间还包括步骤：s101’、控制插板阀15切断反应室机构2与传输机构1之间的气路。
90.具体地，通过控制插板阀15切断反应室机构2与传输机构1之间的气路，可避免反应室机构2分离过程中及分离之后，外界气体进入至传输机构1中而影响余下仍在进行外延生长的反应室机构2运行。
91.为进一步阐述控制器控制反应室机构2与传输机构1之间的连接及分离过程，下面以反应室机构2与传输机构1的连接过程为例，阐述控制器控制反应室机构2与传输机构1的连接方法，具体步骤如下：s201、控制反应室机构2底部的平移机构24运行，以使反应室机构2朝靠近传输机
构1的方向移动；s202、控制反应室机构2与传输机构1之间的快拆装置22闭合，使输送反应室与传输机构1固定连接。
92.在一些优选的实施方式中，由于传输机构1与反应室机构2的连接端上设有插板阀15，执行步骤202之后还包括步骤：s203、控制插板阀15打开，使得反应室机构2与传输机构1之间的气路连通。
93.具体地，设置事先关闭的插拔阀，可确保反应室机构2连接过程中传输机构1中气体不会泄漏，避免在传输机构1尚未完全连接相应的反应室机构2前，其内部导入外界气体而影响正在进行的外延生长产品质量。
94.综上，本技术实施例提供了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构2利用快拆装置22连接反应室本体21和传输机构1，使得控制器能迅速改变反应室本体21和传输机构1的连接状态，有效简化、缩短反应室本体21与传输机构1的拆装流程，其次，反应室本体21底部设置由控制器控制运行的平移机构24，使得反应室本体21在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构2清洗维护的时间，即减少了停机时间，且反应室机构2的分离和连接过程无需用户手动完成，有效节省劳动成本。
95.在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
96.另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
97.再者，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
98.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
99.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。