一种星钻裂纹釉、釉浆及其陶瓷的制作方法

1.本发明属于陶瓷领域，具体涉及一种星钻裂纹釉、釉浆及其陶瓷。


背景技术：

2.裂纹釉的产生十分地偶然，是一种在陶瓷釉面炸裂形成许多小裂纹的艺术釉，裂纹有疏有密、有曲有直、有长有短。裂纹的产生是因为釉的膨胀系数大于坯的膨胀系数，在烧制过程中釉面产生应力形成裂纹。釉面产生裂纹原本是陶瓷烧成中的一种缺陷，但人们从一些制品表面裂纹纹路均匀清晰、布满器面获得启发，认为它有种别具一格的艺术美感，因此以产生裂纹为目的研发釉料，这样就逐渐创造出了裂纹釉。
3.裂纹釉以其独特的裂纹效果受到许多消费者的喜爱，但现有的裂纹釉釉面效果单一，多数只含有裂纹效果，因为釉面内部存在裂纹，导致其防污效果差、不易清洗，难以运用在建筑陶瓷行业中。烧成的裂纹釉产品中一般只具有单纯的裂纹效果，其装饰效果也相对单一。
4.裂纹釉的这些缺陷，导致其应用受限。开发出一种具有独特装饰效果的裂纹釉，对于扩展裂纹釉的应用场合，提升其装饰效果，具有非常重要的意义。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于克服现有技术的至少一个不足，提供一种星钻裂纹釉、釉浆及其陶瓷。
6.本发明所采取的技术方案是：本发明的第一个方面，提供：一种星钻裂纹釉，其化学质量组成为：sio2：65～80%、al2o3：10～15%、k2o：2～7%、na2o：3～10%、fe2o3：0～0.5%、cao：0～0.5%、mgo：0～1%、tio2：0～0.5%及不可避免的杂质。
7.在一些星钻裂纹釉的实例中，其膨胀系数为354～367。
8.在一些星钻裂纹釉的实例中，其完全熔融的温度不低于1220 ℃。
9.在一些星钻裂纹釉的实例中，其原料按质量组成为：钠长石8～18份，钾长石45～60份，烧滑石1～5份，高岭土3～7份，石英20～35份，低温熔块3～7份；所述低温熔块的始熔温度不超过950℃，膨胀系数为380～395。
10.本发明的第二个方面，提供：一种星钻裂纹釉浆，由本发明第一个方面所述的星钻裂纹釉、悬浮剂、解胶剂和水组成。
11.在一些星钻裂纹釉浆的实例中，其中颗粒的平均粒径为35～70 μm。
12.在一些星钻裂纹釉浆的实例中，水的质量百分含量为30～50%，悬浮剂的质量百分含量为0.1～0.3%，解胶剂的质量百分含量为0.2～0.5%，余量为星钻裂纹釉。
13.在一些星钻裂纹釉浆的实例中，其比重为1.69～1.91。
14.在一些星钻裂纹釉浆的实例中，25℃时的粘度为50.72～71.18 cp。
15.本发明的第三个方面，提供：一种星钻裂纹陶瓷，包括坯体、星钻裂纹釉层和抛釉层，所述星钻裂纹釉层由本发明第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本发明第二个方面所述的星钻裂纹釉浆烧成得到。
16.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述坯体的膨胀系数为220～245。
17.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的膨胀系数为290～330。
18.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的熔融温度较所述星钻裂纹釉的熔融温度低至少50℃。
19.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述星钻裂纹釉层的厚度为0.5～0.8mm。
20.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的厚度为0.2～0.5mm。
21.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的熔融温度为1165～1180℃。
22.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，其制备方法包括：坯体工艺：将本发明第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本发明第二个方面所述的星钻裂纹釉浆混入或数码定位布入通体或薄层布料中，压制成型，施透明抛釉，烧成，全抛光、半抛光或不抛光。
23.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，其制备方法包括：釉面工艺：直接在坯上或面釉上，通过喷釉或淋釉的生产方法结合其他材料定位或者整面布施本发明第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本发明第二个方面所述的星钻裂纹釉浆，施抛釉，烧成，全抛光、半抛光或不抛光。
24.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，其制备方法包括：全抛工艺：在坯体面釉上喷墨设计图案，在上面通过喷釉或淋釉的生产方法结合其他材料定位或者整面布施本发明第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本发明第二个方面所述的星钻裂纹釉浆，施全抛釉或干粒抛釉，烧成，全抛光。
25.本发明的有益效果是：本发明一些实例的星钻裂纹釉，膨胀系数大于素坯、面釉(抛釉)。在烧制的坯釉冷却过程中，由于星钻裂纹釉膨胀系数大于上下釉层，星钻裂纹釉层收缩大于坯体的收缩，坯体收到压应力而釉受到张应力，导致釉层开裂形成网状裂纹。同时抛釉层局部薄弱区域发生局部屈服和塑性变形而周围材料并未屈服，局部拉伸时所需的横向收缩受到限制，在星钻裂纹釉与抛釉间产生微裂纹，光线在微裂纹表面发生完全反射，形成星钻效果。具有意料之外的效果。
26.本发明一些实例的星钻裂纹陶瓷，窑内温度升温至1185～1213℃，该温度并未达到星钻裂纹釉釉料全部熔融的温度，使得星钻裂纹釉层有玉石般半乳浊的深厚光泽；表面抛釉层在高温煅烧中，外层充分熔融而内里不熔融，使釉面平整光滑而不掩盖裂纹效果，克服了现有技术裂纹釉易吸污，应用场合受限的不足。
附图说明
27.图1是实施例s1的瓷砖样品的照片；图2是实施例s2的瓷砖样品的照片；图3是实施例s3的瓷砖样品的照片；图4是实施例s4的瓷砖样品的照片；图5是实施例s5的瓷砖样品的照片；
图6是实施例s6的瓷砖样品的照片；图7是实施例s7的瓷砖样品的照片；图8是实施例s8的瓷砖样品的照片；图9是对比例d1瓷砖样品的照片；图10是对比例d2的瓷砖样品的照片；图11是对比例d3的瓷砖样品的照片；图12是对比例d4的瓷砖样品的照片；图13是对比例d5的瓷砖样品的照片；图14是对比例d6的瓷砖样品的照片；图15是对比例d7的瓷砖样品的照片；图16是对比例d8的瓷砖样品的照片。
具体实施方式
28.本发明的第一个方面，提供：一种星钻裂纹釉，其化学质量组成为：sio2：65～80%、al2o3：10～15%、k2o：2～7%、na2o：3～10%、fe2o3：0～0.5%、cao：0～0.5%、mgo：0～1%、tio2：0～0.5%及不可避免的杂质。该组成的星钻裂纹釉具有较大的膨胀系数，有利于得到星钻裂纹效果。
29.在一些星钻裂纹釉的实例中，其膨胀系数为354～367。在这一膨胀系数下，更有利于得到星钻裂纹效果，且可以配合更多种类的抛釉使用。
30.在一些星钻裂纹釉的实例中，其完全熔融的温度不低于1220 ℃。这样可以保证其在过程中不会完全熔融，而抛釉可以完全熔融形成完整的面釉层，提高烧成后产品的抗污性。
31.本发明中，星钻裂纹釉的主要成分为二氧化硅、氧化铝、氧化钠、氧化钾等，其中：二氧化硅是网络形成体，有很强的硅氧键，引入碱金属与碱土金属离子能够削弱或打断硅氧键，使釉料的膨胀系数增大。当釉料与坯面形成一定的膨胀系数差，釉面受到应力拉伸就会形成裂纹。而且二氧化硅与碱金属和碱土金属氧化物在高温下能生成玻璃物质，能提高釉料的硬度，保证釉料一定的黏度不易从坯面流落。氧化铝与二氧化硅在高温下生成莫来石形成骨架，提高了釉料机械强度、热稳定性和化学稳定性，扩大釉料烧结范围。二氧化硅主要由石英引入。氧化钠和氧化钾为碱金属是强助熔剂，能够帮助降低釉料的熔融温度和黏度，主要由钾、钠长石引入。
32.同时，低温熔块的加入能够降低星钻裂纹釉料的熔融温度，适量加入不会导致釉面出现气泡和针孔等缺陷，且能增大釉料膨胀系数，有利于形成星钻裂纹釉面裂纹与微裂纹；为了不使星钻裂纹釉整体的膨胀系数过低，低温熔块优选膨胀系数较大的低温熔块。低温熔块的种类没有特殊要求，可以是透明的、亮光的或哑光的，以满足不同产品的需要。
33.在一些星钻裂纹釉的实例中，其原料按质量组成为：钠长石8～18份，钾长石45～60份，烧滑石1～5份，高岭土3～7份，石英20～35份，低温熔块3～7份；所述低温熔块的始熔温度不超过950℃，膨胀系数为380～395。
34.本发明的第二个方面，提供：一种星钻裂纹釉浆，由本发明第一个方面所述的星钻裂纹釉、悬浮剂、解胶剂和水
组成。
35.在一些星钻裂纹釉浆的实例中，其中颗粒的平均粒径为35～70 μm。
36.在一些星钻裂纹釉浆的实例中，水的质量百分含量为30～50%，悬浮剂的质量百分含量为0.1～0.3%，解胶剂的质量百分含量为0.2～0.5%，余量为星钻裂纹釉。
37.在一些星钻裂纹釉浆的实例中，其比重为1.69～1.91。
38.在一些星钻裂纹釉浆的实例中，25℃时的粘度为50.72～71.18 cp。
39.本发明的第三个方面，提供：一种星钻裂纹陶瓷，包括坯体、星钻裂纹釉层和抛釉层，所述星钻裂纹釉层由本发明第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本发明第二个方面所述的星钻裂纹釉浆烧成得到。
40.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述坯体的膨胀系数为220～245。
41.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的膨胀系数为290～330。
42.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的熔融温度较所述星钻裂纹釉的熔融温度低至少50℃。
43.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述星钻裂纹釉层的厚度为0.5～0.8mm。
44.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的厚度为0.2～0.5mm。
45.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的熔融温度为1165～1180℃。
46.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，其制备方法包括：坯体工艺：将本发明第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本发明第二个方面所述的星钻裂纹釉浆混入或数码定位布入通体或薄层布料中，压制成型，施透明抛釉，烧成，全抛光、半抛光或不抛光。
47.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，其制备方法包括：釉面工艺：直接在坯上或面釉上，通过喷釉或淋釉的生产方法结合其他材料定位或者整面布施本发明第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本发明第二个方面所述的星钻裂纹釉浆，施抛釉，烧成，全抛光、半抛光或不抛光。
48.在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，其制备方法包括：全抛工艺：在坯体面釉上喷墨设计图案，在上面通过喷釉或淋釉的生产方法结合其他材料定位或者整面布施本发明第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本发明第二个方面所述的星钻裂纹釉浆，施全抛釉或干粒抛釉，烧成，全抛光。
49.本发明中，膨胀系数为陶瓷领域常用表达方式，为无量纲的单位，由测得的膨胀系数(10-6
/℃)
×
30得到。如测得的热膨胀系数为10
×
10-6
/℃，则其膨胀系数为10
×
30=300。
50.此外，釉料的施釉厚度对釉面效果也有影响。薄釉层在煅烧时组分的改变比厚釉层相对变动大，釉的膨胀系数变化的比较多，使坯、釉的膨胀系数相接近，同时中间层相对厚度增加，故有利于提高釉的压应力使坯釉结合良好。当釉层较厚时，坯釉中间层厚度相对地降低，因而不足以缓和两者之间的膨胀系数差异而出现的应力，从而产生温润清晰的裂纹釉面效果。
51.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合实施例对本发明作为进一步地详细描述，s代表实施例，d代表对比例。
52.各实例中星钻裂纹釉料的原料组成及施釉厚度如表1所示，其中低温熔块的始熔温度为930～950℃之间，膨胀系数为380～395。各实例中使用的抛釉为同一透明抛釉，抛釉的膨胀系数为312，烧成温度为1185～1196℃时间60min；使用坯体为常规坯体，其膨胀系数
为220～245。
53.各实例中星钻裂纹釉膨胀系数及完全熔融温度如表2所示。
54.实施例s1工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光星钻裂纹釉施釉厚度为0.8mm，透明抛釉施釉厚度为0.3mm。得到釉面平整防污效果好的星钻裂纹效果的砖面。
55.烧成瓷砖样品如图1所示。
56.实施例s2
工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光星钻裂纹釉施釉厚度为0.8mm，透明抛釉施釉厚度为0.3mm。得到釉面平整防污效果较好的星钻裂纹效果的砖面。
57.烧成瓷砖样品如图2所示。
58.实施例s3工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光星钻裂纹釉施釉厚度为0.8mm，透明抛釉施釉厚度为0.5mm。得到釉面平整防污效果较好的星钻裂纹效果的砖面。
59.烧成瓷砖样品如图3所示。
60.实施例s4工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光星钻裂纹釉施釉厚度为0.8mm，透明抛釉施釉厚度为0.5mm。得到釉面平整防污效果较好的星钻裂纹效果的砖面。
61.烧成瓷砖样品如图4所示。
62.实施例s5工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光星钻裂纹釉施釉厚度为0.8mm，透明抛釉施釉厚度为0.5mm。得到釉面平整防污效果较好的星钻裂纹效果的砖面。
63.烧成瓷砖样品如图5所示。
64.实施例s6工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光星钻裂纹釉施釉厚度为0.8mm，透明抛釉施釉厚度为0.5mm。得到釉面平整防污效果较好的星钻裂纹效果的砖面。
65.烧成瓷砖样品如图6所示。
66.实施例s7工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光低温熔块使用亮光低温熔块，星钻裂纹釉施釉厚度为0.8mm，透明抛釉施釉厚度为0.5mm。得到釉面平整防污效果较好的星钻裂纹效果的砖面。
67.烧成瓷砖样品如图7所示。
68.实施例s8工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光低温熔块使用哑光低温熔块，星钻裂纹釉施釉厚度为0.8mm，透明抛釉施釉厚度为0.5mm。得到釉面平整防污效果较好的星钻裂纹效果的砖面。
69.烧成瓷砖样品如图8所示。
70.对比例d1工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光与实施例s1对比，对比例d1的钾长石含量大大降低小于范围，导致釉料熔融温度大大提高釉面未烧熟，熔融温度范围缩小，釉面形成大量孔隙。
71.烧成瓷砖样品如图9所示。
72.对比例d2工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光与实施例s1对比，对比例d2的钾长石含量大大提高超出范围，导致釉料熔融温度大大降低裂纹被熔平，釉料黏度大气泡难以排出，釉面效果差。
73.烧成瓷砖样品如图10所示。
74.对比例d3工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光与实施例s2对比，对比例d3的石英含量大大提高超出范围，导致釉料熔融温度大大提高，釉料膨胀系数过大将砖坯拉扯变形，裂纹裂至抛釉表面防污性能差。
75.烧成瓷砖样品如图11所示。
76.对比例d4工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光与实施例s2对比，对比例d4的石英含量大大降低小于范围，导致釉料熔融温度大大降低裂纹被熔平，釉料膨胀系数降低与坯体相差较小不能形成裂纹。
77.烧成瓷砖样品如图12所示。
78.对比例d5工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光与实施例s1对比，对比例d5的低温熔块含量低小于范围，导致釉料熔融温度提高釉面未烧熟。
79.烧成瓷砖样品如图13所示。
80.对比例d6工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光与实施例s1对比，对比例d6的低温熔块含量提高超出范围，导致釉料形成大量玻璃相，熔融温度降低裂纹稍被熔平，釉料与抛釉接触面难以形成微裂纹，不能得到星钻效果。
81.烧成瓷砖样品如图14所示。
82.对比例d7工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光与实施例s3对比，对比例d7的釉料施釉厚度更薄小于范围，导致釉层在煅烧时组分的变动大，使得釉料膨胀系数与坯体接近难以形成裂纹，施釉厚度过薄还易形成干釉现象。
83.烧成瓷砖样品如图15所示。
84.对比例d8工艺流程：坯体
→
喷墨设计
→
淋星钻裂纹釉
→
喷全抛釉
→
烧成
→
全抛光与实施例s3对比，对比例d8的釉料施釉厚度更厚超出范围，导致釉料膨胀系数增大与坯体、抛釉产生强压应力，砖坯拉扯变形，且裂纹裂至抛釉表面防污性能差。
85.烧成瓷砖样品如图16所示。
86.防污等级测定：根据gb/t 3810.14-2016陶瓷砖试验方法第14部分：耐污染性的测定，测试瓷砖耐
污染性的污染剂包含膏状污染剂、可发生氧化反应的污染剂、能生成薄膜的污染剂、橄榄油等多种，按清洗的难易度将耐污染性分为1-5级，等级越高表示防污性越好。
87.各实例的耐磨及耐污染性测试结果如表3所示。
88.以上是对本发明所作的进一步详细说明，不可视为对本发明的具体实施的局限。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的简单推演或替换，都在本发明的保护范围之内。