石英坩埚及单晶炉的制作方法

1.本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种石英坩埚及单晶炉。


背景技术：

2.相关技术中，对于ccz生长装置，在晶棒生长的过程中，需要不断地向坩埚中添加硅料，以保证坩埚内的硅熔汤量保持不变，但是在加料过程中，对硅料的化料效率低，化料时间长，同时硅料的落入会对熔汤液面造成冲击，引起液面波动，影响晶棒的生长品质。


技术实现要素：

3.本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型在于提出一种石英坩埚，可实现分区域化料，从而可以提升化料效率，缩短化料时间，同时经化料后形成的硅熔汤，可从第二坩埚的底部补入生长空间，可避免熔汤液面发生波动，有利于保证晶棒的生长品质。
4.本实用新型还提出一种具有上述石英坩埚的单晶炉。
5.根据本实用新型实施例的石英坩埚，包括：第一坩埚；第二坩埚，所述第二坩埚设于所述第一坩埚的内侧且与所述第一坩埚间隔开，所述第二坩埚限定出适于盛放硅熔汤的生长空间，所述第二坩埚和所述第一坩埚之间限定出加料空间，所述第二坩埚的底壁设有多个用于连通所述加料空间和所述生长空间的第一连通孔；分隔件，所述分隔件设于所述加料空间内且位于所述硅熔汤的液面的上方，所述分隔件形成为环形，所述分隔件的内边沿与所述第二坩埚相连，所述分隔件的外边沿与所述第一坩埚相连，所述分隔件将所述加料空间分隔成第一化料空间和第二化料空间，所述分隔件上设有过滤孔，所述过滤孔用于分隔一类硅料和二类硅料，所述二类硅料的直径大于所述一类硅料的直径，且所述过滤孔的直径大于一类硅料的直径且小于二类硅料的直径。
6.根据本实用新型实施例的石英坩埚，通过在加料空间内设置分隔件，且分隔件可以将加料空间分隔成第一化料空间和第二化料空间，在添加混合在一起的一类硅料和二类硅料时，由于一类硅料的直径小于过滤孔的直径，因此一类硅料可以穿过过滤孔进入第一化料空间进行化料，而二类硅料由于直径大于过滤孔的直径，因此二类硅料在分隔件的阻隔下留存在第二化料空间进行化料，由此，一类硅料和二类硅料可以实现分区加热，从而可以避免一类硅料和二类硅料聚集在同一位置吸收热量，进而可以提升化料的效率，缩短化料时间，同时经过化料后形成的硅熔汤，在大气压的作用下，可以通过第一连通孔进入生长空间，从而实现对生长空间的补料，而且由于是从第二坩埚的底部的补入，从而不会造成液面的波动，进而保证了晶棒的生长品质。
7.在本实用新型的一些实施例中，所述过滤孔为多个，多个所述过滤孔均匀间隔开排布，所述过滤孔的孔径为d1，d1满足：30mm≤d1≤40mm。
8.在本实用新型的一些实施例中，所述分隔件平行于所述硅熔汤的液面，在上下方向上，所述分隔件与所述硅熔汤的液面之间的间距为h，h满足：h≥50mm。
9.在本实用新型的一些实施例中，所述石英坩埚还包括：第一连接壁，所述第一连接壁设于所述加料空间内且位于所述硅熔汤的液面的下方，所述第一连接壁形成为环形，所述第一连接壁、所述第二坩埚和所述第一坩埚之间限定出缓冲空间，所述第一连接壁设有多个适于所述硅熔汤穿过的第二连通孔，所述缓冲空间与所述生长空间通过所述第一连通孔连通。
10.在本实用新型的一些实施例中，所述第二坩埚包括自上而下依次相连的内直筒部、内圆角部和内平面部，所述第一坩埚包括自上而下依次相连的外直筒部、外圆角部和外平面部，在自上而下的方向上，所述第一连接壁朝向远离所述第一连接壁的中心轴线的方向倾斜向外延伸，所述第一连接壁的顶部与所述内圆角部相连，所述第一连接壁的底部与所述外圆角部相连。
11.在本实用新型的一些实施例中，将所述第一连接壁与所述内圆角部连接的一端定义为第一端，将所述第一连接壁与所述外圆角部连接的一端定义为第二端，其中，所述内圆角部与所述第一端连接处的切面与所述第一连接壁的延伸方向垂直，且所述外圆角部与所述第二端连接处的切面与所述第一连接壁的延伸方向垂直。
12.在本实用新型的一些实施例中，多个所述第二连通孔均匀间隔开排布，所述第二连通孔在所述第一连接壁的厚度方向上贯穿所述第一连接壁，所述第一连通孔的孔径为d2,d2 满足：4mm≤d2≤15mm；和/或，多个所述第一连通孔在所述第二坩埚的周向上均匀间隔，在自下而上的方向上，所述第一连通孔的横截面积逐渐增大。
13.在本实用新型的一些实施例中，所述石英坩埚还包括：第二连接壁，所述第二连接壁位于所述第一连接壁的内侧，所述第二连接壁形成为环形，且在所述第一坩埚的径向方向上，所述第二连接壁位于所述第一连通孔的外侧，所述第二连接壁将所述缓冲空间分割成内圈空间和外圈空间，所述第二连接壁设有多个缓冲孔，所述缓冲孔用于连通所述内圈空间和所述外圈空间。
14.在本实用新型的一些实施例中，多个所述缓冲孔均匀间隔开设置，每个所述缓冲孔的中心轴线沿水平方向延伸，所述缓冲孔的孔径为d3，d3满足：2mm≤d3≤10mm。
15.根据本实用新型实施例的单晶炉，包括：上述的石英坩埚。
16.根据本实用新型实施例的单晶炉，通过在加料空间内设置分隔件，且分隔件可以将加料空间分隔成第一化料空间和第二化料空间，在添加混合在一起的一类硅料和二类硅料时，由于一类硅料的直径小于过滤孔的直径，因此一类硅料可以穿过过滤孔进入第一化料空间进行化料，而二类硅料由于直径大于过滤孔的直径，因此二类硅料在分隔件的阻隔下留存在第二化料空间进行化料，由此，一类硅料和二类硅料可以实现分区加热，从而可以避免一类硅料和二类硅料聚集在同一位置吸收热量，从而可以提升化料的效率，缩短化料时间，同时经过化料后形成的硅熔汤，在大气压的作用下，可以通过第一连通孔进入生长空间，从而实现对生长空间的补料，而且由于是从第二坩埚的底部的补入，从而不会造成液面的波动，进而保证了晶棒的生长品质。
17.本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
18.图1是根据本实用新型一个实施例的石英坩埚的示意图；
19.图2是根据本实用新型一个实施例的第二坩埚的俯视示意图；
20.图3是根据本实用新型另一个实施例的石英坩埚的示意图。
21.附图标记：
22.石英坩埚100；
23.第一坩埚10；外直筒部11；外圆角部12；外平面部13；
24.第二坩埚20；生长空间21；硅熔汤的液面211；第一连通孔22；内直筒部23；内圆角部24；内平面部25；
25.加料空间30；缓冲空间31；内圈空间311；外圈空间312；第一化料空间32；第二化料空间33；
26.第一连接壁40；第二连通孔41；
27.分隔件50；过滤孔51；
28.第二连接壁60；缓冲孔61。
具体实施方式
29.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
30.下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。
31.下面参考图1-图3描述根据本实用新型实施例的石英坩埚100及具有其的单晶炉。
32.参照图1所示，根据本实用新型实施例的石英坩埚100，可以包括：第一坩埚10、第二坩埚20和分隔件50。
33.参照图1所示，第二坩埚20设于第一坩埚10的内侧且与第一坩埚10间隔开，第二坩埚20限定出适于盛放硅熔汤的生长空间21，可通过提拉法在生长空间21内生长出晶棒，第二坩埚20和第一坩埚10之间限定出加料空间30。例如，如图1所示，加料空间30的顶部敞开以形成环形的加料口，生产人员可以通过加料空间30顶部的加料口添加硅料。
34.参照图1所示，第二坩埚20的底壁设有多个用于连通缓冲空间31和生长空间21的第一连通孔22，也就是说，每个第一连通孔22在第二坩埚20的底壁的厚度方向上贯穿第二坩埚20的底壁，第一连通孔22可以连通缓冲空间31和生长空间21内的硅熔汤。例如，第一连通孔22可以为圆孔、椭圆形或多边形孔，当然，这里也不是对第一连通孔22的形状的具体限定，第一连通孔22还可以构造形成其它形状。
35.参照图1所示，分隔件50设于加料空间30内且位于硅熔汤的液面211的上方，分隔
件50形成为环形，分隔件50的内边沿与第二坩埚20相连，分隔件50的外边沿与第一坩埚10相连，分隔件50将加料空间30分隔成第一化料空间32和第二化料空间33，分隔件 50上设有过滤孔51，过滤孔51用于分隔一类硅料和二类硅料，二类硅料的直径大于一类硅料的直径，且过滤孔51的直径大于一类硅料的直径且小于二类硅料的直径，例如，过滤孔51可以为圆孔、椭圆形或多边形孔，需要说明的是，这里所提到的“多边形孔”可以为三角形孔、四边形孔、矩形孔或正五边形孔等。当然，这里不是对过滤孔51的形状的具体限定，过滤孔51还可以构造形成其它形状。
36.例如，参照图1所示，一类硅料可以指直径介于4mm-15mm之间的硅料，二类硅料可以指直径介于45mm-110mm的硅料，过滤孔51被构造成仅适于直径介于4mm-15mm的一类硅料通过的圆孔，加料空间30位于分隔件50下方的部分形成第一化料空间32，加料空间30位于分隔件50上方的部分形成第二化料空间33，在添加混合在一起的一类硅料和二类硅料时，由于一类硅料的直径小于过滤孔51的直径，一类硅料可以穿过过滤孔51进入第一化料空间32内化料；而由于二类硅料的直径大于过滤孔51的直径，因此二类硅料在分隔件50的阻隔下在第二化料空间33内化料。
37.需要说明的是，发明人在实际研究中发现，在相关技中的ccz生长炉，使用两层石英坩埚，内层石英坩埚限定出生长空间，内层石英坩埚和外侧石英坩埚之间限定出补料空间，且内层石英坩埚的侧壁上设置连通孔，用于连通生长空间和补料空间，当生长空间的硅料较少时，将硅料加入补料空间，并在补料空间内加热熔化后形成硅熔汤，硅熔汤可以通过连通孔进入生长空间，大料和小料在同一区域加热，因此相关技术中的ccz生长炉存在化料效率低、化料时间长的技术问题，同时硅熔汤在进入生长空间时，会对生长空间内的熔汤形成径向的冲击，形成旋转的涡流，容易造成熔汤液面的波动，影响晶棒的生长。
38.而根据本实用新型实施例的石英坩埚100，通过在加料空间30内设置分隔件50，分隔件50将加料空间30分隔成第一化料空间32和第二化料空间33，在添加混合在一起的一类硅料和二类硅料时，由于一类硅料的直径小于过滤孔51的直径，一类硅料可以穿过过滤孔51进入第一化料空间32进行化料，而由于二类硅料的直径大于过滤孔51的直径，二类硅料在分隔件50的阻隔下留存在第二化料空间33进行化料，由此，一类硅料和二类硅料可以实现分区加热，从而可以避免一类硅料和二类硅料聚集在同一位置吸收热量，进而可以提升化料的效率，缩短化料时间，同时经过化料后形成的硅熔汤，在大气压的作用下，可以通过第一连通孔22进入生长空间21，从而实现对生长空间21的补料，而且由于是从第二坩埚20的底部的补入，从而不会造成液面的波动，进而保证了晶棒的生长品质。
39.在本实用新型的一些实施例中，参照图1所示，过滤孔51为多个，多个过滤孔51均匀间隔开排布，过滤孔51可在上下方向贯穿分隔件50，过滤孔51的孔径为d1,d1满足： 30mm≤d1≤40mm。换言之，过滤孔51的孔径d1可以取30mm-40mm中的任一值。例如，过滤孔51的孔径d1可以取值为30mm、31mm、32mm、33mm、34mm、35mm、36mm、37mm、38mm、 39mm或40mm。由此，一方面，可以保证过滤孔51的孔径d1不至于过小，有利于保证一类硅料全部进入第一化料空间32，另一方面，可以保证过滤孔51的孔径d1不至于过大，有利于防止二类硅料进入第一化料空间32，保证二类硅料被阻隔在第二化料空间33化料，可进一步避免一类硅料和二类硅料聚集在同一位置吸收热量，从而有利于进一步保证分区化料的效率。
40.需要说明的是，“过滤孔51的孔径”指的是过滤孔51的等效直径，当过滤孔51为椭
圆形孔或多边形孔时，过滤孔51的等效直径为与过滤孔51截面积相等的圆的直径，当过滤孔51的轮廓线为圆形时，此时过滤孔51的直径与过滤孔51的等效直径相等。
41.在本实用新型的一些实施例中，参照图1所示，分隔件50平行于硅熔汤的液面211，在上下方向上，分隔件50与硅熔汤的液面211之间的间距为h,h满足：h≥50mm。例如，分隔件50水平设置，分隔件50与硅熔汤的液面211之间的间距可以为51mm、52mm、53mm、 54mm、55mm、56mm、57mm、58mm、59mm或60mm等。由此，可以使得分隔件50与硅熔汤的液面211之间的距离不至于过小，有利于保证分区化料的效率。
42.进一步地，h满足：50mm≤h≤70mm，由此还可以使得分隔件50与硅熔汤的液面211 之间的距离不至于过大，有利于防止自分隔件50落下的硅料对硅熔汤的液面211的造成冲击，有利于提高单晶炉工作的可靠性。
43.在本实用新型的一些实施例中，参照图1所示，石英坩埚100还包括第一连接壁40，第一连接壁40设于加料空间30内且位于硅熔汤的液面211的下方，第一连接壁40形成为环形且环绕第一连通孔22设置，第一连接壁40、第二坩埚20和第一坩埚10之间限定出缓冲空间31，第一连接壁40设有多个适于硅熔汤穿过的第二连通孔41，缓冲空间31和生长空间21通过第一连通孔22连通。例如，参照图1所示，在上下方向上，硅熔汤的液面 211位于分隔件50和第一连接壁40之间，第二连通孔41在第一连接壁40的厚度方向上贯穿第一连接壁40，第二连通孔41可以为圆孔、椭圆形或多边形孔等。
44.可以理解的是，分隔件50和第一连接壁40配合将加料空间30分隔成了第二化料空间 33、第一化料空间32和缓冲空间31，经过化料后形成的硅熔汤，在大气压的作用下，可以依次通过第二连通孔41、缓冲空间31和第一连通孔22后进入生长空间21，以实现对生长空间21的补料，由此通过分隔件50和第一连接壁40的配合使用，不仅可以实现分区域化料，还有利于防止较大尺寸的硅料进入生长空间21，有利于进一步减少液面波动。
45.在本实用新型的一些实施例中，参照图1所示，第二坩埚20包括自上而下依次相连的内直筒部23、内圆角部24和内平面部25，第一坩埚10包括自上而下依次相连的外直筒部 11、外圆角部12和外平面部13，在自上而下的方向上，第一连接壁40朝向远离第一连接壁40的中心轴线的方向倾斜向外延伸，第一连接壁40的顶部与内圆角部24相连，第一连接壁40的底部与外圆角部12相连。由此，可以增大第一连接壁40在加料空间30内的设置面积，从而可以通过增加第一连接壁40上的第二连通孔41的设置数量，从而可以保证第一连接壁40的过流量，保证硅熔汤的补液量。
46.进一步地，参照图1所示，在石英坩埚100的竖截面上，将第一连接壁40与内圆角部 24连接的一端定义为第一端，将第一连接壁40与外圆角部12连接的一端定义为第二端，其中，内圆角部24与第一端连接处的切面与第一连接壁40的延伸方向垂直，且外圆角部12与第二端连接处的切面与第一连接壁40的延伸方向垂直。例如，参照图1所示，第一连接壁40形成为自上而下渐扩的筒状结构，在石英坩埚100的竖截面上，内圆角部24的轮廓线和外圆角部12的轮廓线均为圆弧，第一连接壁40垂直于与内圆角部24的连接处的切线且直于与外圆角部12的连接处的切线，第一连接壁40的横截面包括呈八字形间隔开设置的两个部分，两个部分之间的夹角为90
°
。由此，可以进一步增大第一连接壁40在加料空间30内的设置面积，且结构简单，有利于降低生产成本。
47.在本实用新型的一些可选的实施例中，参照图1所示，多个第二连通孔41均匀间隔
开排布，第二连通孔41在第一连接壁40的厚度方向上贯穿第一连接壁40，第二连通孔41 的孔径为d2,d2满足：4mm≤d2≤15mm。换言之，第二连通孔41的孔径d2可以取4mm-15mm 中的任一值。例如，第二连通孔41的孔径d2可以取值为4mm、5mm、6mm、7mm、8mm、9mm、 10mm、11mm、12mm、13mm或14mm。由此，一方面，可以保证第二连通孔41的孔径d2不至于过小，有利于减少一类硅料进入缓冲空间31，保证第一化料空间32的化料效率；另一方面，可以保证第二连通孔41的孔径d2的直径不至于过大，有利于防止一类硅料中较大尺寸的硅料进入缓冲空间31，进而有利于防止较大尺寸的硅料进入生长空间21，有利于减少液面波动。
48.需要说明的是，“第二连通孔41的孔径”指的是过滤孔51的等效直径，当第二连通孔41为椭圆形孔或多边形孔时，第二连通孔41的等效直径为与第二连通孔41截面积相等的圆的直径，当第二连通孔41的轮廓线为圆形时，此时第二连通孔41的直径与第二连通孔41的等效直径相等。
49.和/或，参照图1和图2所示，多个第一连通孔22在第二坩埚20的周向上均匀间隔开排布。可以理解的是，通过使得多个第一连通孔22在第二坩埚20的底壁均匀间隔开排布，有利于降低补入的硅熔汤的流速，且有利于保证硅熔汤从底部均匀地补入，从而有利于减少硅熔汤的液面211波动。例如，第一连通孔22为六个，六个第一连通孔22均设置在上述的内平面部25上，且六个第一连通孔22在第二坩埚20的周向上均匀间隔开排布。
50.进一步地，参照图1所示，在自下而上的方向上，第一连通孔22的横截面积逐渐增大。例如，如图1和图2所示，第一连通孔22为六个，在周向上相邻的两个第一连通孔22之间的夹角为60
°
，每个第一连通孔22的横截面形成为等腰梯形。可以理解的是，在硅熔汤自下而上地流经第一连通孔22时，通过使得第一连通孔22的过流面积逐渐增大，可以降低流速，有利于进一步减少硅熔汤的液面211波动。
51.在本实用新型的一些示例中，参照图1所示，第一连通孔22的横截面形成为等腰梯形、直角梯形或喇叭口形。由此，可以使得第一连通孔22的结构简单，有利于降低加工成本。
52.在本实用新型的另一些实施例中，参照图3所示，石英坩埚100还包括：第二连接壁 60，第二连接壁60位于第一连接壁40的内侧，第二连接壁60形成为环形，在第一坩埚 10的径向方向上，第二连接壁60位于所述第一连通孔22的外侧，第二连接壁60将缓冲空间31分割成内圈空间311和外圈空间312，第二连接壁60设有多个缓冲孔61，缓冲孔 61用于连通内圈空间311和外圈空间312。由此，经过化料后形成硅熔汤，可以依次通过第二连通孔41、外圈空间312、缓冲孔61、内圈空间311和第一连通孔22后进入生长空间 21，有利于进一步降低加料空间30内的硅熔汤的流动速度，有利于减少硅熔汤中心的液面波动，有利于保证晶棒的生长品质。
53.进一步地，参照图3所示，多个缓冲孔61均匀间隔开设置，每个缓冲孔61的中心轴线沿水平方向延伸，缓冲孔61的孔径为d3，d3满足：2mm≤d3≤10mm。换言之，缓冲孔 61的孔径d3可以取2mm-10mm中的任一值。例如，缓冲孔61形成为圆孔，缓冲孔61的孔径d3可以取值为2mm、3mm、4mm、5mm、6mm、7mm、8mm、9mm或10mm。当然，本实用新型不限于此，缓冲孔61还可以形成椭圆形孔或多边形孔等。
54.由此，一方面，可以保证缓冲孔61的孔径d3不至于过小，有利于保证缓冲孔61的过流量；另一方面，可以保证缓冲孔61的孔径d3不至于过大，有利于防止硅料颗粒进入内圈空间311，有利于进一步保证晶棒的生长质量。
55.根据本实用新型实施例的单晶炉，包括：根据本实用新型上述实施例的石英坩埚100。
56.根据本实用新型实施例的单晶炉，通过在加料空间30内设置分隔件50，分隔件50将加料空间30分隔成第一化料空间32和第二化料空间33，在添加混合在一起的一类硅料和二类硅料时，由于一类硅料的直径小于过滤孔51的直径，一类硅料可以穿过过滤孔51进入第一化料空间32进行化料，而由于二类硅料的直径大于过滤孔51的直径，二类硅料在分隔件50的阻隔下留存在第二化料空间33进行化料，由此，一类硅料和二类硅料可以实现分区加热，从而可以避免一类硅料和二类硅料聚集在同一位置吸收热量，进而可以提升化料的效率，缩短化料时间，同时经过化料后形成的硅熔汤，在大气压的作用下，可以通过第一连通孔22进入生长空间21，从而实现对生长空间21的补料，而且由于是从第二坩埚20的底部的补入，从而不会造成液面的波动，进而保证了晶棒的生长品质，有利于提高单晶炉的整体性能。
57.根据本实用新型实施例的单晶炉的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。
58.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
59.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
60.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
61.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
62.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域
的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
63.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。