一种除硼装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅领域，尤其涉及一种除硼装置。
【背景技术】
[0002]半导体和太阳能电池行业的发展，使得原料多晶硅的生产成为热点行业，同时对多晶硅的纯度要求也越来越高，如何有效地去除多晶硅中的杂质成为我国多晶硅行业的难题。含硼化合物种类繁多，成分复杂，与氯硅烷体系沸点十分接近，如何有效地去除含硼杂质成为多晶硅行业面临的主要问题。并且现有的除硼装置往往很难将硼杂质的含量降到符合要求的范围，从而使得多晶硅的品质降低，影响发电效率。
【实用新型内容】
[0003]有鉴于此，本实用新型提供了一种除硼装置，该除硼装置能够有效去除含硼杂质，提高金属硅的纯度。
[0004]本实用新型的技术方案是这样实现的:
[0005]—种除硼装置，包括吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔；
[0006]所述吸附塔、所述造渣剂塔和所述树脂填料塔通过管道串联连接；
[0007]所述树脂填料塔内的树脂填料为螯合树脂。
[0008]优选地，所述吸附塔内的吸附物质为离子交换树脂。
[0009]优选地，所述吸附塔包括第一吸附塔和第二吸附塔，所述第一吸附塔和所述第二吸附塔通过管道串联连接。
[0010]优选地，所述造渣剂塔内的造渣剂为偏硅酸钠。
[0011]优选地，所述螯合树脂为Lsc树脂。
[0012]本实用新型的有益效果为:
[0013]本实用新型中树脂填料塔内的树脂填料为螯合树脂，螯合树脂能够与硼杂质通过配位键形成螯合物，从而将硼化合物从氯硅烷中去除。另外，本实用新型通过采用串联连接的方式将吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔连接，提高了多晶硅的纯度，使得多晶硅中硼杂质在0.3ppm以下。
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本实用新型除硼装置的结构示意图。
[0016]图中:
[0017]1、第一吸附塔；2、第二吸附塔；3、造渣剂塔；4、树脂填料塔；5、管道。
【具体实施方式】
[0018]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0019]如图1所示，本实用新型提供的除硼装置，包括吸附塔、造渣剂塔3和树脂填料塔4，所述吸附塔、所述造渣剂塔3和所述树脂填料塔4通过管道5串联连接。
[0020]吸附塔用于吸附氯硅烷中的硼杂质，具体实施时，吸附塔内填装吸附树脂，所述吸附树脂优选离子交换树脂；所述吸附塔包括第一吸附塔I和第二吸附塔2，两个吸附塔的设置能够显著降低多晶硅中硼杂质含量.
[0021]造渣剂塔3用于吸附硼杂质，并将硼杂质氧化成渣，具体实施时，造渣剂塔内的造渣剂为偏硅酸钠，偏硅酸钠在吸附、氧化硼杂质的同时，没有其他杂质形成。
[0022]树脂填料塔4用于进一步吸附硼杂质，提高多晶硅的纯度，具体实施时，所述树脂填料塔4内的树脂填料为螯合树脂，优选Lsc树脂，该树脂通过与硼杂质形成螯合物，将硼杂质从氯硅烷中去除，提高了多晶硅的纯度。
[0023]本实用新型通过采用串联连接的方式将第一吸附塔1、第二吸附塔2、造渣剂塔3和树脂填料塔4连接，提高了多晶硅的纯度，使得多晶硅中硼杂质在0.3ppm以下。
[0024]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种除硼装置，其特征在于:包括吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔； 所述吸附塔、所述造渣剂塔和所述树脂填料塔通过管道串联连接； 所述树脂填料塔内的树脂填料为螯合树脂。2.如权利要求1所述的除硼装置，其特征在于:所述吸附塔内的吸附物质为离子交换树脂。3.如权利要求2所述的除硼装置，其特征在于:所述吸附塔包括第一吸附塔和第二吸附塔，所述第一吸附塔和所述第二吸附塔通过管道串联连接。4.如权利要求1所述的除硼装置，其特征在于:所述造渣剂塔内的造渣剂为偏硅酸钠。5.如权利要求1所述的除硼装置，其特征在于:所述螯合树脂为Lsc树脂。
【专利摘要】本实用新型公开了一种除硼装置，包括吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔；所述吸附塔、所述造渣剂塔和所述树脂填料塔通过管道串联连接；所述树脂填料塔内的树脂填料为螯合树脂。本实用新型中树脂填料塔内的树脂填料为螯合树脂，螯合树脂能够与硼杂质通过配位键形成螯合物，从而将硼化合物中从氯硅烷中去除。另外，本实用新型通过采用串联连接的方式将吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔连接，提高了多晶硅的纯度，使得多晶硅中硼杂质在0.3ppm以下。
【IPC分类】C01B33/107
【公开号】CN204897419
【申请号】CN201520654452
【发明人】王增林
【申请人】宁夏金海金晶光电产业有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年8月27日