专利名称：光刻胶树脂,化学增强光刻胶组合物及图样的形成方法
技术领域：
本发明涉及适用于基于短波激光的微细加工(microfabrication)中的化学增强光刻胶树脂。
但是，使用这样的短波激光不能用目前使用的含有芳香环的光刻胶树脂，这是因为会发生对激光束的显著吸收。
因此，现在正在研究用含脂环基的树脂材料作为光刻胶树脂。那些用于ArF激发物激光的光刻胶树脂包括下述树脂 在上述光刻胶树脂中，结构单元A具有使其耐刻蚀性的功能。结构单元B是其中有保护基团连接在基础树脂上的片段，其作用是具有光刻胶显示分辨率。另一方面，结构单元C是使其具有基体附着性的片段。由于这些结构单元的作用是分别使其具有耐刻蚀性、光刻胶分辨率和对基体的附着性，并企图改善这些性能中的一种，而这不可避免地会降低其余的性能。因此，在传统技术中难以充分地改善所有这些性能。
下面的结构式在传统的光刻胶树脂中公知作为保护基团的结构，下面的结构式公开在如JP-A11-352694中。 其中，一些结构式所附的数字表示组成各个环的碳原子数目。
在上述保护基团中，保护基团(3)和(4)几乎不能用在使用波长是200nm或更短的曝光辐射源的光刻技术中，因为它们含有π电子共轭体系并且在紫外区有吸收带。其余所有的保护基团的碳原子数是10或更少，它们不具有足够的耐刻蚀性。
在本发明的光刻胶树脂具有这样的分子结构保护基团连接在基础树脂上，这种从所述的光刻胶树脂上去除所述的保护基团能够增加其碱溶性，其特征在于保护基团是用下式(I)表示的残基 其中 表示具有12-25个碳原子的取代或未取代的稠环，R表示有1-4个碳原子的烷基。
另外，本发明的另一种光刻胶树脂的特征在于其包括用下式(A)表示的单元 其中，R1、R3和R5各自独立地表示氢原子或甲基，R2表示有7-25个碳原子的脂环烃基，保护基团R4是用下式(I)表示的残基 其中 表示具有12-25个碳原子的取代或未取代的稠环，R表示有1-4个碳原子的烷基。R6表示氢原子或γ-丁内酯基，l、m和n各自表示各个单元的百分含量，l+m+n＝100，0＜l＜100，0＜m＜100且0＜n＜100。
另外，本发明的化学增强光刻胶组合物的特征在于其包括75-99.8wt％的上述光刻胶树脂中的一种和0.2-25wt％的光致产酸剂。
另外，本发明的图样形成方法的特征在于其包括如下步骤将上述化学增强光刻胶组合物涂布在衬底上；将得到的涂层膜加热；将所述的加热后的涂层膜在高能辐下射进行曝光；将所述的曝光后的涂层膜热处理；和使所述的热处理后的涂层膜显影，形成图样。
本发明的光刻胶树脂具有结构特定的保护基团，因此，该光刻胶树脂具有优秀的耐刻蚀性、光刻胶分辨率和对基体的附着性及具有各种优异的光刻胶树脂所需要的其它性能。依靠使用这种光刻胶树脂的化学增强光刻胶组合物和图样形成方法，可以进行目前无法进行的高度微细加工。
优选使本发明的光刻胶树脂和光致产酸剂一起使用。在这种情况下，光致产酸剂通过暴露在光线下产生的酸能够去除保护基团，因此，碱溶性基团曝光能使光刻胶树脂具有碱溶性。
可以使用各种树脂作为本发明的基础树脂。但是，优选使用羧酸酯骨架的树脂。
对于本发明的光刻胶树脂，用下式定义的α优选不大于3.1α＝N/(Nc-No)其中，N表示所述的光刻胶树脂中的总原子数，Nc表示所述的光刻胶树脂中的碳原子数，No表示所述的光刻胶树脂中的氧原子数。这样设定α值能够使光刻胶树脂具有进一步改进的耐刻蚀持久性。
对于本发明的光刻胶树脂，优选不含有芳香环，因为芳香环通常在200nm附近有吸收带，带芳香环的光刻胶树脂很难作为用于ArF激光的光刻胶。
本发明优选的光刻胶树脂的例子包括那些含有下式(A)表示的单元的那些树脂 其中，R1、R3和R5各自独立地表示氢原子或甲基，R2表示有7-25个碳原子的脂环烃基，保护基团R4是用下式(I)表示的残基 其中 表示具有12-25个碳原子的取代或未取代的稠环，R表示有1-4个碳原子的烷基。R6表示氢原子或γ丁内酯基，l、m和n各自表示各个单元的百分含量，l+m+n＝100，0＜l＜100，0＜m＜100且0＜n＜100。
本发明中的保护基团(式(A)中的R4)本身具有良好的耐刻蚀性。在传统的光刻胶树脂中使用的保护基团有10个和更少的碳原子，如四氢吡喃基或三环癸烯基。本发明不使用这些保护基团，而选择有12-25个碳原子的基团作为保护基团，更优选地是，如上所述选择能使光刻胶树脂的总碳密度是3.1或更低的那些基团作为保护基团。因此，得到的光刻胶树脂具有优秀的耐刻蚀性。
本发明中的保护基团具有下式(I)表示的结构 其中 表示具有12-25个碳原子的取代或未取代的稠环，R表示有1-4个碳原子的烷基。
因为保护基团中包括具有12-25个碳原子的稠环，所以保护基团本身具有耐刻蚀性，因此在不削弱对基体的附着性和分辨率情况下能够提高耐刻蚀性。
一般来说，带有具有12-25个碳原子的稠环的保护基团不易于用酸去除。因此，本发明采用的结构是有1-4个碳原子的烷基另外连结在连结基础树脂的键位上，具体来说是连结在碳原子上，通过这样的连结使保护基团连结在基础树脂上。这种烷基有利于用酸去除保护基团，因此，能够改善刻蚀分辨率。当该烷基是甲基或乙基时是特别优选的，因为这样还可以进一步加速保护基团的去除。
本发明中的稠环是由两个或多个环稠合在一起形成的，并且可以是没有π电子共轭体系的环，特别优选脂环。要求该稠环结构中的环上不含有任何的杂原子如氧、氮或硫。另外，要求该稠环不含有C＝O等键。这样的结构在实际上可以避免吸收200nm或更短波长的紫外线，因此，这种结构使光刻胶树脂适用于利用短波长的光线如ArF激光的光刻技术中。
稠环的具体例子用下式表示 在上述的保护基团中，其包括三环[5.2.1.02.6]癸基，六环[6.6.1.13.6.110.13.02.7.09.14]十七烷基，八环[8.8.12.9.14.7.111.18.113.16.0.03.8.012.17]二十二烷基，胆甾烷基及其衍生物。优选的保护基团的例子包括下述保护基团 其中，R表示具有1-4个碳原子的烷基。 其中，R表示具有1-4个碳原子的烷基。
另一方面，式(A)中的R2是有助于改善耐刻蚀性的残基。其例子是三环[5.2.1.02.6]癸基，正冰片基，甲基正冰片基，异冰片基，四环[4.4.0.12.5.17.10]十二烷基，甲基四环[4.4.0.12.5.17.10]十二烷基，2，7-二甲基四环[4.4.0.12.5.17.10]十二烷基，2，10-二甲基四环[4.4.0.12.5.17.10]十二烷基，11，12-二甲基四环[4.4.0.12.5.17.10]十二烷基，六环[6.6.1.13.6.110.13.02.7.09.14]十七烷基，八环[8.8.12.9.14.7.111.18.113.16.0.03.8.012.17]二十二烷基，金刚烷基，及其衍生物。
式(A)中含有R6的结构单元是有助于改善对基体的附着性的单元。R6是氢原子或用下式表示的γ-丁内酯残基(γ-丁内酯基) 由于这些保护基团R4本身具有优秀的耐刻蚀性，所以，即使所有含有保护基团的单元的百分数m增加而所有含有耐刻蚀性基团的单元的百分数l降低时，式(A)表示的本发明的光刻胶树脂也能够保持足够的耐刻蚀性。因此，与传统技术相比，本发明的光刻胶树脂在耐刻蚀性、光刻胶分辨率和对基体的附着性的平衡性能上有显著地改善。
在式(A)中，优选将l设定为35-75，更优选40-50。优选将m设定为10-50，更优选10-40。另外，优选将n设定为15-50，更优选20-45。
式(A)的光刻胶树脂的碳密度优选是3.1或更低。碳密度α定义为α＝N/(Nc-No)其中，N表示光刻胶树脂中的总原子数，Nc表示光刻胶树脂中的碳原子数，No表示光刻胶树脂中的氧原子数。
光刻胶树脂的碳密度值可以计算，计算方法是根据上式确定各种结构单元的碳密度，用碳密度乘以相应的百分数，然后得到乘积的总和。
式(A)表示的光刻胶树脂可以通过将相应的单体在自由基聚合引发剂的存在下进行溶液聚合得到。例如，在惰性气氛如氩气或氮气下将相应的单体和自由基引发剂如偶氮二异丁腈一起在溶剂如四氢呋喃中搅拌加热就可制得这样的光刻胶树脂。光刻胶树脂的平均聚合度可以是10-500，优选10-200，其重均分子量可以是1000-500000，更优选1000-100000。
本发明的化学增强光刻胶组合物包括上述光刻胶树脂和光致产酸剂。
至于光刻胶树脂和光致产酸剂的含量，后者可以设定为0.2-25wt％，前者可以设定为75-99.8wt％，优选地是，后者可以设定为1-15wt％，前者可以设定为85-99wt％。设定这样的比例可以得到非常好的分辨率，使涂层膜仍然具有较好的厚度均匀性，并且可以进一步防止显影后出现残渣(浮渣)。
对于本发明使用的光致产酸剂没有特殊的限制，只要其与本发明的光刻胶树脂及其它任选组分的混合物在有机溶剂中有足够的溶解性并且得到的溶液可通过制膜方法如旋涂法形成均一的涂层膜。要求这样的光致产酸剂在波长为200nm或更短的光线下曝光时能够产生酸。这样的光致产酸剂可以单独使用也可以结合使用，还可以和合适的感光剂结合使用。
可以使用的光致产酸剂的例子是三苯基锍盐衍生物如三苯基锍三氟甲基磺酸盐，用如三苯基锍盐衍生物表示的其它鎓盐(如，化合物如锍盐、碘鎓盐，磷鎓盐，重氮盐和铵盐)，2，6-二硝基苯基酯，1，2，3-三(甲基磺酰基氧代)苯，磺基琥珀酰亚胺，和下式(C)或(D)表示的化合物 其中，R7和R8各自独立地表示直链、支链或环烷基，R9表示直链、支链或环烷基、2-氧代环烷基或2-氧代(直链或支链)烷基，A-表示平衡离子如BF4-、AsF6-、SbF6-、PF6-、CF3COO-、CIO4-、CF3SO3-、烷基磺酸根离子或芳香基磺酸根离子。 其中，R10和R11各自独立地表示氢原子或直链、支链或环烷基，R12表示直链、支链或环烷基、或用全氟烷基如三氟甲基表示的卤代烷基。
当使用波长为200nm或更短的光线曝光且重要的是要提高透光性能时，更需要使用式(C)表示的光致产酸剂或式(D)表示的光致产酸剂，因为这两种光致产酸剂在185.5-200nm的远紫外区的光线的吸收性极低并且对这样的曝光光线具有优秀的透光性。具体的例子包括环己基甲基(2-氧代环己基)锍三氟甲基磺酸盐，二环己基(2-氧代环己基)锍三氟甲基磺酸盐，二环己基磺酰基环己酮，二甲基(2-氧代环己基)锍三氟甲基磺酸盐，三苯基锍三氟甲基磺酸盐，二苯基碘三氟甲基磺酸盐，和N-羟基琥珀酰亚胺三氟甲基磺酸盐。
为了将上述光刻胶组合物涂布在衬底上，可以采用的方法是将该组合物溶解或分散在溶剂中，然后用旋涂法将得到的溶液进行涂布。优选使用任何溶剂，只要这种有机溶剂能充分溶解由高分子化合物、烷基锍盐和其它任选成分组成的组分并且得到的溶液可通过制膜方法如旋涂法形成均一的涂层膜。这样的溶剂可以单独使用也可以结合使用，其具体例子包括正丙醇、异丙醇、正丁醇、叔丁醇、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、丙二醇单乙基醚乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、2-乙氧基乙基乙酸酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、环己酮、环戊酮、环己醇、甲乙酮，1，4-二氧杂环乙烷，乙二醇单甲基醚、乙二醇单甲基醚乙酸酯、乙二醇单乙基醚、乙二醇单异丙基醚、二甘醇单乙基醚、和二甘醇单甲基醚。
如果需要，可以往本发明的化学增强光刻胶组合物中加入其它组分如表面活性剂、着色剂、稳定剂、涂布性能改进剂和染料。
当用本发明的化学增强光刻胶组合物作为显影剂形成亚微米的图样时，可以根据本发明所用的高分子化合物的溶解性选择合适的有机溶剂或混合溶剂或在溶剂或水中有足够浓度的碱性溶液或这些溶液的混合物。可以使用的有机溶剂的例子包括酮如丙酮、丁酮、甲基异丁基酮、环戊酮和环己酮；醇如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、叔丁醇、环戊醇和环己醇；及其它有机溶剂如四氢呋喃、二氧杂环乙烷、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸异戊酸、甲苯、二甲苯和苯酚。另一方面，可以使用的碱性溶液的例子包括水溶液和有机溶剂溶液及这些溶液的混合物，其中含有无机碱性物质如氢氧化钠、氢氧化钾、硅酸钠和氨水，有机胺如乙胺、丙胺、二乙胺、二丙胺、三甲胺和三乙胺，和有机铵盐如氢氧化四甲铵、氢氧化四乙铵、氢氧化三甲基羟甲基铵、氢氧化三乙基羟甲基铵和氢氧化三甲基羟乙基铵。
通过加入合适的光致产酸剂或适于吸收水银灯、KrF激发物激光、电子束和X射线及其它高能辐射所产生的g或i光线的着色剂可以使本发明的化学增强光刻胶组合物同时具有在这些光线束下形成图样的能力。
本发明的图样形成方法的特征在于其包括如下步骤将上述化学增强光刻胶组合物涂布在衬底上，将得到的涂层膜加热，将加热后的涂层膜曝光，进行高能辐射，将曝光后的涂层膜热处理，然后使热处理后的涂层膜显影，形成图样。
优选用波长为200nm或更短的光线作为高能辐射光线。特别优选使用短波激光如ArF激发物激光或F2激光。
下面具体说明使用的光刻胶树脂和光致产酸剂。(i)光刻胶树脂 上述光刻胶树脂都可通过使相应的单体在自由基聚合引发剂的存在下进行溶液聚合得到。例如，如下所述制备A1和A2。A1的制备方法将四环十二烷-4酮在二乙醚中的溶液冷却到-50℃，然后将已冷却到-50℃的甲基锂在二乙醚中的溶液滴加到该溶液中。将得到的混合物加热到0℃，然后滴加甲基丙烯酰氯。滴加完以后，使得到的这种混合物的温度升至室温，在室温下搅拌预定长的时间。先用碳酸氢钠的水溶液然后用水冲洗通过过滤得到的有机层。然后将该混合物浓缩得到甲基丙烯酸4-甲基-4-三环十二烷基酯。然后，以45∶35∶20的摩尔比将乙酸三环癸烯酯、甲基丙烯酸4-甲基-4-三环十二烷基酯和甲基丙烯酸装料，加入偶氮二异丁腈作为聚合引发剂，然后使得到的混合物加热静置。使这样得到的反应产物沉淀，然后纯化得到光刻胶树脂A1。该光刻胶树脂的重均分子量是10000。A2的制备方法将5α-胆甾烷-3-酮(商品)在二乙醚中的溶液冷却到-50℃，然后将已冷却到-50℃的甲基锂在二乙醚中的溶液滴加到该溶液中。将得到的混合物加热到0℃，然后滴加甲基丙烯酰氯。滴加完以后，使得到的这种混合物的温度升至室温，在室温下搅拌预定长的时间。先用碳酸氢钠的水溶液然后用水冲洗通过过滤得到的有机层。然后将该混合物浓缩得到甲基丙烯酸3-甲基-3-胆甾烷基酯。以45∶15∶40的摩尔比将乙酸三环癸烯酯、甲基丙烯酸3-甲基-3-胆甾烷基酯和甲基丙烯酸装料，加入偶氮二异丁腈作为聚合引发剂，然后使得到的混合物加热静置。使这样得到的反应产物沉淀，然后纯化得到光刻胶树脂A2。该光刻胶树脂的重均分子量是10000。
其余的光刻胶树脂A3、A4和A5都同样是通过使相应的单体在自由基聚合引发剂的存在下进行溶液聚合得到的。其重均分子量都是约10000。(ii)光致产酸剂使用三苯基锍三氟甲基磺酸盐。
将上述五种光刻胶树脂分别和三苯基锍三氟甲基磺酸盐一起溶解在乳酸乙酯中得到五种光刻胶溶液。
分别含有光刻胶树脂A1-A5和光致产酸剂的光刻胶溶液各自旋涂在硅片上，然后在加热盘上烘焙以得到厚0.4μm的光刻胶薄膜。
用活性离子蚀刻(RIE)系统测定Cl2气体对得到的膜的蚀刻速率。
作为对比，测定i线光刻胶树脂(“PFI-38”，Sumitomo Chemical Co.，Ltd的产品)的蚀刻速率。
将i线光刻胶树脂的蚀刻速率假定是1，用光刻胶树脂的蚀刻速率与i线光刻胶树脂的蚀刻速率的比评价每一种光刻胶的耐刻蚀性。具体来说，将用每一种光刻胶树脂的蚀刻速率除以i线光刻胶树脂的干蚀速率得到的值作为蚀刻速率比。该蚀刻速率比的值越低，就评价这种光刻胶树脂具有越高的耐刻蚀性。
另外，如下所述计算每一种光刻胶树脂的碳密度α。首先，分别确定构成光刻胶树脂的各种单元的碳密度，用各种单元的碳密度乘以其相应的含量，然后将乘积加和。用这种方法可以确定光刻胶树脂的总碳密度。
表1示出评价的结果。从实际应用的观点看，蚀刻速率比(相对于i线光刻胶)要求是1.5或更低。这些试验证明本发明的光刻胶树脂具有优秀的耐刻蚀性，足以达到实际应用的要求。
另外，测定用A1和A2表示的光刻胶树脂的薄膜(膜厚0.4μm)对ArF激发物激光束(193nm)的透射率。得到的值高达65％或更高。还发现这些光刻胶树脂对硅衬底有良好的附着性。
表1
实施例2将含有A1的光刻胶组合物旋涂在抗反射膜(“AR19”；厚度82nm；Shipley Company LLC的产品)上后，涂层膜在加热盘上在80℃下预焙1分钟。使用ArF激发物激光曝光系统(Nikon Corporation生产；NA＝0.60)选择性地使预焙后的涂层膜在穿过带有其上刻有各种宽度的L&S图样的刻线的波长为193nm的ArF激光束下曝光。曝光能量设定为20.0mJ/cm2。
然后，将抗蚀膜于加热盘上在130℃下烘焙90秒。随后将曝光后的抗蚀膜浸渍在碱性显影剂(2.38wt％的四甲基氢氧化铵)中，然后用纯净水冲洗。结果，曝光部分的抗蚀膜溶解掉，得到图样。
当用电子显微镜观察这样得到的抗蚀图样时，可以证实形成了良好的图样，其分辨率高达0.12μm L&S。另外，没有观察到诸如未显影区域和图样脱皮的问题。
另一方面，用同样的方法对含有A3的光刻胶组合物进行了评价。其可以形成良好的图样，其分辨率高达0.17μm L&S。
权利要求
1.一种光刻胶树脂，在其分子结构中，保护基团连接在基础树脂上，这种从所述的光刻胶树脂上去除所述的保护基团能够增加其碱溶性，其中所述的保护基团是用下式(I)表示的残基 其中 表示具有12-25个碳原子的取代或未取代的稠环，R表示有1-4个碳原子的烷基。
2.根据权利要求1所述的光刻胶树脂，其中所述的式(I)中的 是三环[5.2.1.02.6]癸基，六环[6.6.1.13.6.110.13.02.7.09.14]十七烷基，八环[8.8.12.9.14.7.111.18.113.16.0.03.8.012.17]二十二烷基，胆甾烷基及其衍生物。
3.根据权利要求1所述的光刻胶树脂，其中所述的保护基团是用下式(II)表示的残基 其中，R表示有1-4个碳原子的烷基。
4.根据权利要求1所述的光刻胶树脂，其中所述的保护基团是用下式(III)表示的残基 其中，R表示有1-4个碳原子的烷基。
5.根据权利要求1-4中任何一个所述的光刻胶树脂，其中用下式定义的α不大于3.1α＝N/(Nc-No)其中，N表示所述的光刻胶树脂中的总原子数，Nc表示所述的光刻胶树脂中的碳原子数，No表示所述的光刻胶树脂中的氧原子数。
6.根据权利要求1-4中任何一个所述的光刻胶树脂，其分子结构中不含有芳香环。
7.根据权利要求5所述的光刻胶树脂，其分子结构中不含有芳香环。
8.一种光刻胶树脂，含有下式(A)表示的单元 其中，R1、R3和R5各自独立地表示氢原子或甲基，R2表示有7-25个碳原子的脂环烃基，保护基团R4是用下式(I)表示的残基 其中 表示具有12-25个碳原子的取代或未取代的稠环，R表示有1-4个碳原子的烷基，R6表示氢原子或γ-丁内酯基，l、m和n各自表示各个单元的百分含量，l+m+n＝100，0＜l＜100，0＜m＜100且0＜n＜100。
9.根据权利要求8所述的光刻胶树脂，其中在所述的保护基团R4中的 是三环[5.2.1.02.6]癸基，六环[6.6.1.13.6.110.13.02.7.09.14]十七烷基，八环[8.8.12.9.14.7.111.18.113.16.0.03.8.012.17]二十二烷基，胆甾烷基及其衍生物。
10.根据权利要求8所述的光刻胶树脂，其中所述的保护基团R4是用下式(II)表示的残基 其中，R表示有1-4个碳原子的烷基。
11.根据权利要求8所述的光刻胶树脂，其中所述的保护基团R4是用下式(III)表示的残基 其中，R表示有1-4个碳原子的烷基。
12.根据权利要求8-11中任何一个所述的光刻胶树脂，其中用下式定义的α不大于3.1α＝N/(Nc-No)其中，N表示所述的光刻胶树脂中的总原子数，Nc表示所述的光刻胶树脂中的碳原子数，No表示所述的光刻胶树脂中的氧原子数。
13.根据权利要求8-11中任何一个所述的光刻胶树脂，其中所述的式(A)中的R2是选自于三环[5.2.1.02.6]癸基，六环[6.6.1.13.6.110.13.02.7.09.14]十七烷基，八环[8.8.12.9.14.7.111.18.113.16.0.03.8.012.17]二十二烷基，金刚烷基，及其衍生物的残基。
14.根据权利要求12所述的光刻胶树脂，其中，所述的式(A)中的R2是选自于三环[5.2.1.02.6]癸基，六环[6.6.1.13.6.110.13.02.7.09.14]十七烷基，八环[8.8.12.9.14.7.111.18.113.16.0.03.8.012.17]二十二烷基，金刚烷基，及其衍生物的残基。
15.一种化学增强光刻胶组合物，其包括75-99.8wt％的根据权利要求1或8所述的光刻胶树脂和0.2-25wt％的光致产酸剂。
16.一种图样形成方法，其包括如下步骤将根据权利要求15所述的化学增强光刻胶组合物涂布在衬底上；将得到的涂层膜加热；将所述的加热后的涂层膜在高能辐射下进行曝光；将所述的曝光后的涂层膜热处理；和使所述的热处理后的涂层膜显影，形成所述的图样。
17.根据权利要求16所述的图样形成方法，其中所述的高能辐射线使用波长不大于200nm的光线。
18.根据权利要求17所述的图样形成方法，其中所述的高能辐射线使用ArF激发物激光。
全文摘要
在本发明涉及具有这种分子结构的光刻胶树脂:其保护基团连接在基础树脂上,这种从所述的光刻胶树脂上去除所述的保护基团能够增加其碱溶性,其中:所述的保护基团是用右式(I)表示的残基:其中表示具有12－25个碳原子的取代或未取代的稠环,R表示有1－4个碳原子的烷基。本发明的光刻胶树脂具有结构特定的保护基团,因此,该光刻胶树脂具有优秀的耐刻蚀性、光刻胶分辨率和对基体的附着性及具有各种优异的光刻胶树脂所需要的其它性能。依靠使用这种光刻胶树脂的化学增强光刻胶组合物和图样形成方法,可以进行目前无法进行的高度微细加工。
文档编号C08F220/00GK1356594SQ01140069
公开日2002年7月3日 申请日期2001年11月23日 优先权日2000年11月24日
发明者山名慎治 申请人:日本电气株式会社