专利名称：数据存储介质的制作方法
相关申请的交叉引用本申请要求在此引用的2001年3月29日提交的发明名称为“能减少径向倾斜的介质(Radial Tilt Reduced Media)”的临时申请第60/279887号的优先权。
背景技术：
本发明涉及应用于存储介质的聚合物。更具体地讲，本发明涉及通过测量聚合物水致形变来减少存储介质的倾斜(tilt)。
对光学数据存储介质的改进，包括提高数据存储密度，是非常有必要的，并且人们期望这样的改进能提高已成体系的和新发展起来的计算机技术，例如只读光盘、一次写入光盘、可重写光盘、数字通用光盘和磁光(MO)盘。
随着光学数据存储介质中的数据存储密度的不断增加，为了适应越来越新的技术，比如数字通用光盘(DVD)和用于短时间或长时间数据存档的更高密度数据光盘如数字录象机(DVR)，对光学数据存储器件中透明塑料元件的设计要求变得越来越严格。研制具有日益缩短的“读和写”波长的光盘，已经成为光学数据存储器件领域中迫切的努力目标。
对于光学数据存储介质领域所用材料的设计要求包括低水致形变/吸水率、低双折射率、高透明度、耐热性、延展性、高纯度和很少出现不均匀或微粒。我们发现目前所用的材料缺少一项或多项这样的特性，而为了得到更高的数据存储密度的光学数据存储介质，就需要研制新的材料。
在需要更高存储密度的应用领域，构成光学产品的聚合物材料对水吸收的特性变得越来越重要。吸收水后，材料体积随之发生变化。由于水的吸收引起的材料的线性形变，称之为“水致形变(water strain)”。为了得到更高的数据存储密度，水致形变是一种影响光学产品倾斜(tilt)或盘面平整度的物理特性。盘面平整度是高数据存储密度应用领域一个重要的性能。众所周知，水致形变过大导致盘面弯曲，进而又使可靠性降低。由于大量光盘都是由聚合物材料组成，盘面的平整就取决于该聚合物材料的低水致形变。
所以需要一种能保持盘面平整度的合成物。我们一直在寻找一种能优化物理性能的适用于数据存储介质的材料和方法。
发明内容
在一个
具体实施例方式
中，本发明提供了一种数据存储介质，包含多个层a)含聚合物的衬底层，以及b)至少一个位于衬底上的数据层；其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度的情况下具有由下式(I)计算得出的水致形变 其中，t为衬底厚度；r为预定的存储介质半径；Δrh为相对湿度变化值。
另一
具体实施例方式
中，本发明还提供了一种数据存储介质，包含多个层a)至少一个含聚合物的衬底层，b)至少一个位于衬底上的数据层；以及c)至少一个位于数据层上的薄膜层，其中薄膜层的材料其物理性质基本上与衬底聚合物的物理性质相同。其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度的情况下具有由下式(II)计算得出的水致形变 其中，t为衬底厚度；ρ为预定的薄膜层厚度与衬底层厚度的比值；r为预定的存储介质半径；Δrh为相对湿度变化值。
本发明的又一具体实施方式
，提供了一种通过测量从多层制品的一面吸收水分的水致形变的方法，该方法包括预先测定制品的最大径向倾斜度和半径，并且用公式(I)计算水致形变。
本发明的又一具体实施方式
，提供了一种通过测量从多层产品的多于一面吸收水分的水致形变的方法，该方法包括预先测定制品的最大径向倾斜度和半径，并且用公式(II)计算水致形变。
本发明的又一具体实施方式
，提供了一种用于数据存储介质的聚合物，其中该存储介质包含含聚合物的衬底层；以及至少一个数据层；其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度的情况下具有由公式(I)计算得出的水致形变。
本发明的又一具体实施方式
，提供了一种用于数据存储介质的聚合物，其中该存储介质包含a)至少一个包含该聚合物的衬底层，b)至少一个位于衬底上的数据层；以及c)至少一个位于数据层上的薄膜层，其中薄膜层包含的材料其物理性质基本上与该聚合物的物理性质相同。其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度的情况下具有由公式(II)计算得出的水致形变。
图1概述了一个配合体系的体系倾斜的降低与膜厚的函数关系。
图2描述了半径为53mm的含BPA-PC膜的2，2-二(4-羟基苯基)丙烷(BPA-PC)衬底径向倾斜的变化。
发明详述在本说明书以及所附的权利要求书中将会提及多种术语，这些术语应当被定为下述含义。
单数形式的“一”、“一个”和“该”包括多个所讨论的对象，除非上下文中另外有明确规定。
“任意的”或“任意地”意思是，其后所介绍的事件或情况可能发生也可能不发生，并且这样描述包括了所述事件或情况发生的实例和不发生的实例。
本发明基于用于数据存储介质的聚合物的应用。在本发明的一个实施方式中，数据存储介质包含多个层，它们含有衬底部分和至少一个位于该衬底上的数据层。在本发明的另一个实施方式中，该数据存储介质包含多个层，它们含有至少一个衬底部分、至少一个位于衬底上的数据层以及至少一个位于该数据层上的薄膜层。
数据存储层可以包括任何能够存储可再现数据的材料，例如光学层、磁性层，或更优选的是磁光层的厚度等于约600埃()，优选为等于约300。信息可以直接刻录在该盘面上，也可以保存在光、热或磁记录介质(沉积在该衬底表面上)中。可能采用的数据存储层包括，但不限于，氧化物(如二氧化硅)、稀土元素—过渡金属合金、镍、钴、铬、钽、铂、铽、钆、铁、硼等等以及包含至少前述其中之一的合金或组合物、有机染料(如花青或酞菁型染料)、和无机相变化合物(如TeSeSn或InAgSb)。典型地，该数据层具有至少约1500奥斯特的矫顽力，特别优选为具有约3000奥斯特或更大的矫顽力。
可应用于所述衬底上的其它层可以包括一个或多个介质层、绝缘层、粘接层，包含这些层中至少之一的组合等等。通常用作热控制器的所述介质层典型地可以具有多达或超过约1000的厚度，并且最低为约200。可以采用的介质层包括氮化物(如氮化硅、氮化铝等等)；氧化物(如氧化铝)；碳化物(如碳化硅)；以及包含至少由前述之一组成的组合物，与环境兼容，且最好不与周围的层发生反应。
所述反射层具有的厚度应当足以反射足够的能量使数据再现。典型地，反射层的厚度可以达到约700，一般优选为在约300到约600的范围之间。可以作为反射层的材料包括任何能够反射特定能量场的材料，包括金属(如铝、银、金、钛，以及含有前述至少一种的合金和混合物等等)。
粘接层典型地用于将通读薄膜与衬底所载的其它层粘接在一起。典型的粘接剂为橡胶基或类橡胶的材料，如天然橡胶、硅橡胶或丙烯酸酯聚合物等等。基于橡胶或丙烯酸酯聚合物等的柔性聚合粘接剂具有弹性体的某些特性，例如挠性、耐蠕变性、回弹性及弹性，并提供有效阻尼以提高数据存储盘的回放质量。柔性聚合粘接剂的化学组成是多种多样的，并且包括这里所介绍的几类聚合物如弹性体和橡胶、柔性热塑性树脂、及热塑性弹性体。这样的可以用于粘接剂层的聚合材料的适当的例子包括聚异戊二烯、丁苯橡胶、乙丙橡胶、氟乙烯基甲基硅氧烷、氯化异丁烯-异戊二烯、氯丁二烯、氯化聚乙烯、氯磺化聚乙烯、丙烯酸丁酯、发泡聚苯乙烯、发泡聚乙烯、发泡聚丙烯、发泡聚氨酯、增塑的聚氯乙烯、二甲基硅氧烷聚合物、甲基乙烯基硅氧烷、聚醋酸乙烯酯等等。粘接剂层可以通过传统的方法例如旋涂、溶液沉积、注射模塑、挤出模塑等添加到数据存储介质上。典型地，在这样的应用场合优选采用压敏粘接剂。除了数据存储层、介质层、保护层、粘接剂层及反射层之外，还可以采用如润滑剂层等的其它层。可用的润滑剂包括氟化合物，如氟化油和脂等。
用于这些高密度格式的膜具有一些光学特性，比如这些膜的同面延迟为10纳米(nm)或更低。这些膜还具有低的厚度不均一性和表面粗糙度。对于100μm厚的膜，在超过2厘米(cm)长度范围的厚度不均一性小于2μm的数量级，而1毫米(mm)长度范围的表面粗糙度为40nm的数量级或更小。常见的用于制备具有这些特性的膜的方法的例子有溶液浇注、挤出浇注、挤出砑光、旋转涂布和注射模塑。优选为采用溶液浇注。
可以采用许多方法来生产存储介质，包括，但不限于，注射模塑、发泡法、溅镀、等离子气相沉积、真空镀膜、电镀、旋转涂布、喷涂、凹凸面涂布、数据冲压、压纹、表面抛光、夹紧固定、层叠压制、旋转成形、二次注塑、共注射成型、膜的折叠成形(over-molding of film)、微孔成型及其组合。优选地，所采用的技术使就地生产的衬底能具有所需特征，如凹坑和凹槽。这样的工艺包括注射模塑-压缩工艺，其中的模具用这里定义的熔融的聚合物填充。该模具内可以包含预制体、镶嵌件等。将聚合物体系冷却同时至少局部仍处熔融状态，在衬底的需要的部分上如所需区域内的一面或两面，对其进行压制以形成所需的表面特征，比如按螺旋线同圆心方向或其它方向排列的凹坑和凹槽。然后将该衬底冷却到室温。
通常，在高面密度(比如每平方英寸约5吉比特(Gbits/in2)或更高)的应用中，要将读/写器件放置于比较接近存储介质的表面(工作距离)。一般来说，寻找密度越高，读/写器件就应当越接近存储介质的表面。在这些情况下比较典型地，工作距离通常小于0.3毫米(mm)，且往往小于760纳米(nm)。对于超高密度记录，读/写器件最好极其接近存储介质的表面，例如，距离介质表面小于约0.064微米(μm)，更常见的是小于约0.013μm。本发明用于读取数据的系统典型地工作在约1Hz与500Hz之间的频率范围之内，并且优选为工作在约100Hz与约200Hz间的频率范围内。为了获得高面密度的光学存储介质，需要减小光束的点直径。在单纯的衍射极限情况下，该光束直径与数值孔径和波长的关系如下式所示 其中，λ为光源波长，而NA为物镜的数值孔径。
通常需要改变激光的波长和数值孔径，以达到所需的密度增加。这会对磁盘的倾斜容限造成影响。这里所述的“倾斜(Tilt)”指的是材料在水平轴上弯曲的角度，且一般将其测定为在存储介质的外径上的垂直偏差。典型地，所述倾斜是通过测量向盘上以某个角度入射的激光束的偏转而得到的。从几何学的角度考虑，激光束的偏转等于径向倾斜的两倍。将其称为径向偏差，其等于按角度测得倾斜的两倍。倾斜公差以下述方式与数值孔径和波长相关倾斜容限 其中，d为通读介质的厚度。
当存储介质包括至少一个衬底层和至少一个数据层时，水吸收的不对称性典型地是由于水通过数据层(如金属溅镀层和有机/无机层)的渗透接近于零造成的。假设存储介质的结构是一个在面内方向上无限延伸的弹性平板，并且材料的性质不是厚度的函数，那么由于吸收水造成的各向同性的形变的数值由下述表达式给出ϵ‾(t)=βl∫l/2-l/2c(z,t)dz]]>其中，ε为形变；z为厚度方向；l为厚度；c为浓度；而β为膨胀系数，这里ε(t)＝βc(z，t)。
衬底的曲率与盘内的水分布的一阶矩相关，如下所示κ(t)=12βl∫l/2-l/2c(z,t)zdz]]>并且水的浓度是厚度和时间的函数c(z，t)，通过对扩散方程的求解计算得到。
对于从一侧水吸收性(由另一侧的水不渗透性造成)的多层制品来说，给定温度(T)下因吸水造成的径向倾斜度(tilt range)的最大值是由下述表达式给出的 其中，k是曲率(长度-1)；Δrh为阶跃相对湿度；β是给定温度(T)下的形变/水的质量分数；s为相对湿度(rh)＝1和温度T下的水的质量分数；ε＝βs为在rh＝1和温度T下的水致形变；t为衬底厚度；r为有效的半径。这里所说的“最大径向倾斜度”是指在吸收水的过程和随后的解吸过程中盘的曲率，因此其为通常本行业中研究人员所规定的径向倾斜规格的两倍。
对于从单面吸水、在该面上的具体半径处具有特定给定最大径向倾斜程度和具有给定的衬底厚度的多层产品，材料的水致形变需要满足下述等式(I)的条件
对于从单面吸水和在具体半径处具有特定的给定最大径向倾斜的给定材料制成的多层产品来说，衬底的厚度需要满足下述条件 对于具有多于一面吸水的多层制品(比如包括至少一个衬底层、至少一个衬底层上的数据层和至少一个薄膜层的存储介质)，衬底曲率的积分可以分解成对包括各层的材料参数的各个特定层厚的积分之和。下面给出了所得到的分析解的通式 其中，t为衬底厚度；ρ为厚度；γ为硬度；δ为形变；而q为扩散系数(其中下标1表示薄膜层；下标2表示衬底层)。
当存储介质包括至少一个衬底层、至少一个衬底层上的数据层以及至少一个薄膜层时，不渗透层处于衬底层和薄膜层之间的界面处。该不渗透层不能充分渗透水。这里所说的“不充分渗透”是指吸水性对存储介质的空间稳定性没有可测量到的影响。在本发明中，衬底层和薄膜层是使用具有基本上相同的物理性质的材料构成的，因而如上面所限定的薄膜和衬底性质的比值约等于1。其它有用的性质是热膨胀系数(CTE)和热传导率。因此对于任何环境温度的变化，平的光盘的膜和衬底的CTE和热传导率的比率都约为1。
在存储介质上加与衬底的材料基本相同(即匹配)的膜，使得这种存储介质结构的最大动态倾斜小于单纯的衬底。对于给定膜厚的双层系统，该倾斜可以通过单纯衬底(用于给定的合适材料体系)的倾斜进行归一化。图1概述了合适体系，倾斜的减少作为膜厚的函数。通过将膜与衬底的比值选定为在约0.22到约0.3范围内，能够使倾斜减到最小。该曲线的初始部分的膜与衬底的厚度比值处于0到约0.22范围内，可以由下述函数表示结构的倾斜度/衬底的倾斜＝11.474ρ2-6.6ρ+0.99其中，ρ为薄膜层厚度与衬底层厚度的预定厚度比值。
因此，对于厚度比值处于0到约0.22范围内时，双层结构的最大径向倾斜度是由下述表达式给出的
对于具有给定的衬底部分厚度、膜厚度和阶跃湿度变化的存储介质结构来说，倾斜应当保持在某一要求的范围之内，从而使材料的水致形变落在一定的范围之内。可以使用下述方程(II)来确定材料水致形变的范围 其中，t、ρ、r和Δrh和前面所定义的一样。
这里所介绍的存储介质可以用在常规的光、磁-光及磁系统中，也可以用在需要更高质量存储介质、更高面密度或者二者兼备的高级系统中。在使用期间，将存储介质与读/写器件一起布置，因此能量(比如磁、光、电或其组合)以能量场的形式入射到存储介质上，从而与数据存储层发生联系。能量场接触到设置在存储介质上的这(些)层。该能量场在存储介质内引起某些物理变化、化学变化或两者的组合，从而在数据层的那一点处记录下能量的入射。例如，入射磁场可能会在数据层内引发磁畴方向的变化，或者入射光束能够在被光加热的材料处引发相转变。
目前，存储介质的尺寸已经工业规范化，以使它们能够应用在当前可用的存储介质读取/写入器件中。该存储介质典型地具有通常采用的处于约15mm到约40mm范围之内的内径和处于约65mm到约130mm范围之内的外径，并且通常优选为具有53mm的直径，具有处于约0.4mm到约2.5mm范围之内的衬底厚度，且通常优选为具有等于约1.2mm的厚度。典型地，对于具有衬底层和至少一个数据层的存储介质来说，1.2mm厚的衬底具有1.2°的最大倾斜度以及小于0.06％的最大水致形变，更加典型地，具有0.8°的最大倾斜度和小于0.04％的最大水致形变，并且最典型的是，具有0.3°的最大倾斜度和小于0.015％的最大水致形变。任选的是，0.6mm厚的衬底具有1.2°的最大倾斜度和小于0.03％的最大水致形变，更加典型地，具有0.8°的最大倾斜度和小于0.02％的最大水致形变，并且最典型地是，具有0.3°的最大倾斜度和小于0.0008％的最大水致形变。典型地，对于具有至少一个衬底层、至少一个数据层以及至少一个薄膜层的存储介质来说，具有0.068的厚度比的1.1mm厚的衬底具有1.2°的最大倾斜度和小于0.095％的最大水致形变，更加典型地，具有0.8°的最大倾斜度和小于0.064％的最大水致形变，并且最典型地是，具有0.3°的最大倾斜度和小于0.024％的最大水致形变。任选的是，具有0.091的厚度比的1.1mm厚的衬底具有1.2°的最大倾斜度和小于0.117％的最大水致形变，更加典型地，具有0.8°的最大倾斜度和小于0.078％的最大水致形变，并且最典型地是，具有0.3°的最大倾斜度和小于0.029％的最大水致形变。如果需要的话，可以采用其它直径和厚度来获得对水引起的倾斜而言更加坚固的结构。
存储介质的主要组分为至少一种热塑性聚合物或热固性聚合物。加聚物和缩聚物也都包括在本发明中。用作说明的热塑性聚合物的例子包括但不限于烯烃衍生的聚合物，如聚乙烯、聚丙烯、及它们的共聚物；聚甲基戊烯；二烯烃衍生的聚合物，如聚丁二烯、聚异戊二烯、及它们的共聚物；烯键式不饱和羧酸及其官能团衍生物的聚合物，包括丙烯酸聚合物，如聚丙烯酸烷基脂、聚甲基丙烯酸烷基脂、聚丙烯酰胺、聚丙烯腈和聚丙烯酸；烯基芳烃聚合物，如聚苯乙烯、聚-α-甲基苯乙烯、聚甲基苯乙烯及橡胶改性聚苯乙烯；聚酰胺，如尼龙-6、尼龙-66、尼龙-11和尼龙-12；聚酯；聚碳酸酯；聚醚碳酸酯；聚醚，如聚亚芳基醚、聚醚砜、聚醚酮、聚醚醚酮及聚醚酰亚胺；聚亚芳基硫化物、聚砜和聚硫化物砜；以及液晶聚合物。
热塑性聚酯和热塑性弹性体聚酯都适合用于本发明。说明性的热塑性聚酯的例子包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸-1，4-丁二醇酯、聚对苯二甲酸-1，3-丙二醇酯、聚对苯二甲酸环己基二甲醇酯、聚对苯二甲酸环己基二甲醇酯-共-乙二醇酯共聚物、聚萘二甲酸乙酯、聚萘二甲酸丁酯及多芳基化合物。说明性的二醇热塑性弹性体聚酯(通常称为TPE)的例子包括但不限于聚醚酯如含有聚烷撑氧的嵌段软链段、特别是含聚环氧乙烷和聚环氧丁烷链段的聚对苯二甲酸亚烃基酯(特别是聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸丁二醇酯)；以及聚酯酰胺，如通过芳香二异氰酸酯与二羧酸和羧酸封端的聚酯或聚醚预聚物发生缩聚反应合成的那些聚酰胺酯。
合适的多芳基化合物包括但不限于2，2-双(4-羟苯基)丙烷(通常称为双酚A)的聚邻苯二甲酸酯，以及由下述化学式I的结构单元构成的聚酯
其中，R16是氢或C1-4烷基，任选地可与化学式II表示的结构单元组合 其中，R17是二价C4-12脂肪族、脂环族或混合的脂肪族-脂环族基团。后一聚酯可以通过1，3-苯二酚的一部分(moiety)与至少一个芳香基二羧酸氯化物在碱性条件下发生反应来制备。化学式II的结构单元中含有一个1，3-苯二酚的部分，它可以被卤素取代，通常为氯或溴，或者优选为C1-4烃基取代，如甲基、乙基、异丙基、丙基、丁基。所述的烷基优选为伯烷基或仲烷基，更加优选为甲基，并且最常见的是位于与两个氧原子都相邻的位置上，尽管其它位置也可以考虑。最优选的部分是间苯二酚的部分，其中R16为氢原子。所述的1，3-苯二酚的部分与芳香族二羧酸的部分(可以为单环的部分，如间苯二酸酯或对苯二酸酯，或者为多环的部分，如萘二羧酸酯)相连。
在化学式II的任选柔软嵌段单元中，间苯二酚或烷基间苯二酚的部分再次与R17(二价C4-12脂肪族、脂环族或混合的脂肪族-脂环族基团)组合出现在形成酯的化合物中。
本发明的组分中可用的聚碳酸酯包括那些含有化学式III的结构单元的化合物
其中，至少R18官能团总数的约60％为芳香族有机基团，其余的为脂肪族、脂环族或混合的脂肪族-脂环族基团。
合适的R18基团包括间-亚苯基、对-亚苯基、4，4’-联苯撑、4，4’-二(3，5-二甲基)苯撑、2，2-二(4-亚苯基)丙烷、6，6’-(3，3，3’，3’-四甲基-1，1’-螺二[1H-茚满])、1，1’-二(4-亚苯基)-3，3，5-三甲基环己烷、以及类似基团，比如与在美国专利US 4217438中用名字或分子式(泛指或特指)公开的二羟基取代的芳烃相应的基团。
R18更加优选为芳香族有机基团，并且再进一步优选为具有结构式IV的基团(IV)——A1—Y1—A2——其中，每一个A1和A2均为一个单环二价芳基基团，Y1为桥接基团、其中包括一或两个原子将A1和A2分开。比如典型地，A1和A2代表没有取代的亚苯基或者其取代衍生物。桥接基团Y1大多数情况为烃基官能团，并且特别是饱和官能团，如亚甲基、亚环己基、3，3，5-三甲基亚环己基或者异亚丙基。最优选的聚碳酸酯为双酚A聚碳酸酯，其中，A1和A2每个为对-亚苯基，Y1为异亚丙基。合适的聚碳酸酯可以通过本领域公知的任何工艺制备，如界面、溶液、固相或熔融聚合工艺。
在一个
具体实施例方式
中，本发明包括的存储介质为其中至少一层包含有至少一种聚碳酸酯。另一个实施方式中，本发明包括的存储介质，其中至少一层包含有两种不同的聚碳酸酯。包括由单一的二羟基化合物制备的均聚聚碳酸酯和由超过一种二羟基化合物制备的共聚聚碳酸酯。
本发明的一个具体实施方式
中，本发明的聚合物包括如结构式(V)或(VI)的均聚聚碳酸酯或共聚聚碳酸酯
或 其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自选自于C1～C6烷基和氢原子；R7和R8各自选自C1～C6的烷基、苯基、C1～C6烷基取代的苯基或氢原子；m为介于0到12之间的整数；q为介于0到12之间的整数；m+q为介于4到12之间的整数；n为介于1到2之间的整数；以及p为介于1到2之间的整数。
结构式(V)的代表性单元包括但不限于1，1-二(4-羟基-3-甲基苯基)环己烷(DMBPC)、1，1-二(4-羟基-3-甲基苯基)环戊烷、1，1-二(4-羟基-3-甲基苯基)环庚烷、1，1-二(4-羟基-3-甲基苯基)-3，3，5-三甲基环己烷(DMBPI)、以及它们的混合物的残基。
结构式(VI)的代表性单元包括但不限于2，2-二(4-羟基-3-甲基)丙烷(DMBPA)和4，4’-(1-亚苯基)二(2-甲酚)(DMbisAP)的残基。
在本发明的又一具体实施方式
中，衬底包含结构单元(VIII)的聚碳酸酯或共聚聚碳酸酯
其中，R9、R10、R13和R14各自为C1～C6烷基，R11和R12各自为H或C1～C5烷基，每一个R15各自选自H和C1～C3的烷基，以及每一个n各自选自0、1和2。
结构式(VII)的代表性单元包括但不限于6，6’-二羟基-3，3，3’，3’-四甲基螺二茚满(spirobiindane)(SBI)、6，6’-二羟基-3，3，5，3’，3’，5’-六甲基螺二茚满、6，6’-二羟基-3，3，5，7，3’，3’，5’，7’-八甲基螺二茚满、5，5’-二乙基-6，6’-二羟基-3，3，3’，3’-四甲基螺二茚满、以及它们的混合物。
说明性的热固性聚合物的例子包括但不限于由下列物质衍生的聚合物硅氧烷、聚苯醚、环氧树脂、氰酸酯、不饱和聚酯、多官能团烯丙基化合物如邻苯二甲酸二烯丙酯、丙烯酸树脂、醇酸树脂、酚醛树脂、酚醛清漆、甲阶酚醛树脂、双马来酰亚胺、PMR树脂、三聚氰胺-甲醛树脂、脲醛树脂、苯并环丁烷(benzocyclobutane)、羟甲基呋喃、和异氰酸酯。在本发明的一个具体实施方式
中，热固性聚合物还包含至少一种热塑性聚合物比如但不限于聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酰亚胺、或聚酯。热塑性聚合物在所述的热固化之前典型地与热固性单体混合物组合。
本发明中的聚苯醚为由许多结构式(VIII)组成的公知的聚合物
其中，在每一个所述的独立结构单元中，每一个Q1独自为氢原子、低级的伯或仲烷基(比如，含有多达7个碳原子的烷基)、苯基、卤代烷基、氨基烷基、烃氧基或卤代烃氧基(其中卤原子和氧原子被至少二个碳原子隔开)；以及每一个Q2独自为氢原子、卤原子、低级的伯或仲烷基、苯基、卤代烷基、如Q1定义的烃氧基或卤代烃氧基。最常用的，每一Q1均为烷基或苯基，尤其为C1～C6的烷基，每一Q2均为氢原子。
本发明中既包括均聚聚苯醚，又包括共聚聚苯醚。合适的共聚物包括无规共聚物，含有比如2，3，6-三甲基-1，4-二苯醚这样的结构单元。本发明中也包括的聚苯醚含有用已知的方式将这样的材料如乙烯基单体或聚合物(如聚苯乙烯和合成橡胶)在聚苯醚上进行接枝制备的部分，以及偶联的聚苯醚，其中偶联剂为低分子量的聚碳酸酯、苯醌、杂环和甲缩醛，经过以已知的方式与两个聚苯醚链上的羟基反应，生成更高分子量的聚合物，条件是大多数游离OH官能团都保留了下来。
用于多种目的的特别有用的聚苯醚，是那些含有至少一个氨基烷基端基官能团的分子的聚苯醚。氨基烷基基团典型地位于羟基官能团的邻位。含有这样的端基的聚合物可以通过将一适当的伯或仲单胺如二正丁胺或二甲胺作为氧化性偶联反应混合物的组分来制备。常见的还有4-羟基二苯基末端基，典型地通过含有对苯醌的反应混合物制备，特别是在铜-卤素-仲或叔胺的体系中。聚合物分子的绝大部分，典型地组成为聚合物的约90％重量的聚合物中，可以含有至少一个所述的氨基烷基末端基和4-羟基二苯基末端基。
很显然对于本领域的技术人员来说，从上面的描述可以知道，可以考虑用于本发明的聚苯醚包括那些所有已知的聚苯醚，不管其结构上怎么变化或有其它什么化学性质。均聚热塑性聚合物和共聚热塑性聚合物都包括在本发明的化合物中。共聚物可以包括无规、嵌段或接枝型。因此，比如合适的聚苯乙烯包括均聚物，如无定型的聚苯乙烯和间同立构聚苯乙烯，和共聚物，也包括这些种类。后者包含高抗冲击聚苯乙烯(HIPS)、一种橡胶改性的聚苯乙烯(含有共混物和接枝物，其中橡胶为聚丁二烯或类似橡胶的共聚物，其苯乙烯的含量在约70％重量份至约98％重量份之间，而二烯单体的含量在约2％重量份至约30％重量份之间)。还包括ABS共聚物，典型的是苯乙烯和丙烯腈在预先形成的二烯聚合物(如聚丁二烯或聚异戊二烯)骨架上的接枝聚合物。合适的ABS共聚物可以通过本领域公知的任何方法制备。
为了使本领域的技术人员能够更好的实现本发明，以举例说明的方式给出下面的实施例，但不局限于此。我们已经努力确保数值(如用量、温度等)的精确，但有些错误和偏差还是应当考虑进去。除非另外指出来的，百分含量表示重量份，温度单位为摄氏度(℃)，在室温和接近于常压下进行。
实施例1从2，2-二(4-羟基苯基)丙烷(BPA)出发构建一系列的结构式，既用于膜材料，又用于衬底材料，然后将其置于湿度为40％、温度为25℃的环境。所有的测试系统都是将标称为80μm的膜粘附在1.15mm的衬底上，使厚度比值为0.070。BPA均聚碳酸酯(BPA-PC)的饱和水致形变为0.00048。这里定义的聚合物材料的膨胀指的是当材料置于100％相对湿度和一定温度环境下，相对于完全干燥材料的体积增加百分率。膨胀幅度通过TMA 2940热机械分析仪(来自于TA仪器)测量。薄膜固定在一个很小的恒定负荷下面，一开始保持在干燥空气中。随后当材料置于100％相对湿度环境下时，测量吸水而引起的长度变化。采用水致形变或膨胀表示材料的形变(长度变化/原始测量长度)。图2表示半径为53mm的BPA-PC衬底和BPA-PC膜的径向倾斜的变化。衬底层和薄膜层的层压模型与试验数据很吻合。此外，不同的粘接剂对结果几乎没有影响。平均的最大倾斜性能为0.25°～0.26°，等同于倾斜度0.50°～0.52°。它与材料所需的这样的膨胀系数非常一致。
实施例2几种聚合物材料的结构具有厚度比为0.089(98μm的薄膜置于1.1mm的衬底之上)。表1显示了在25℃相对湿度变化为40％的水致形变结果。它们是倾斜的预测值和形变的测量值。“PS”为聚苯乙烯，“PPO/PS”为聚苯醚和聚苯乙烯共混物，“BPA”为双酚A或2，2-二(4-羟基苯基)丙烷，“BHPM”为二(4-羟基苯基)甲烷、“DMBPA”为2，2-二(4-羟基-3-甲基)丙烷，“DMBPC”为1，1-二(4-羟基-3-甲基苯基)环己烷，“SBI”为6，6’-二羟基-3，3-，3’，3’-四甲基螺二茚满，以及“DDDA”为十二烷二酸。
表1
权利要求
1.一种数据存储介质，包含多个层a)包含聚合物的衬底层，以及b)至少一个位于该衬底上的数据层；其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度的情况下，具有由下式(I)计算得出的水致形变 其中，t为衬底厚度；r为预定的存储介质半径；Δrh为相对湿度变化值。
2.如权利要求1所述的存储介质，其中所述的半径为53mm。
3.如权利要求1所述的存储介质，其中所述的相对湿度变化值在温度25℃下为40％。
4.如权利要求1所述的存储介质，其中所述的聚合物包括热塑性聚合物或热固性聚合物。
5.如权利要求1所述的存储介质，其中所述的聚合物包括至少一种热塑性聚合物。
6.如权利要求5所述的存储介质，其中所述的热塑性聚合物选自聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚酰胺、芳香族聚醚(如聚醚砜和聚醚酰亚胺)、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚，以及它们的组合。
7.如权利要求6所述的存储介质，其中所述的热塑性聚合物包括聚碳酸酯。
8.如权利要求1所述的存储介质，其中所述的衬底厚度范围在0.4mm和2.5mm之间。
9.如权利要求8所述的存储介质，其中所述的衬底厚度为1.2mm。
10.如权利要求9所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.06％。
11.如权利要求9所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.04％。
12.如权利要求9所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.015％。
13.如权利要求8所述的存储介质，其中所述的衬底厚度为0.6mm。
14.如权利要求13所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.03％。
15.如权利要求13所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.02％。
16.如权利要求13所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.0008％。
17.一种数据存储介质，包含多个层a)包含聚碳酸酯的衬底层，以及b)至少一个位于所述衬底上的数据层；其中，在最大倾斜度1.2°时，该聚碳酸酯具有由下式(I)测得的水致形变 其中，t为1.2mm；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
18.一种包括多个层的数据存储介质，包括a)包含聚碳酸酯的衬底层，以及b)至少一个位于该衬底上的数据层；其中在最大倾斜度1.2°时，该聚碳酸酯具有由下式(I)测得的水致形变 其中，t为0.6mm；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
19.一种数据存储介质，包含多个层a)至少一个包含聚合物的衬底层，b)至少一个位于该衬底上的数据层；以及c)至少一个位于该数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与聚合物相同；并且其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度的情况下具有由下式(II)计算得出的水致形变 其中，t为衬底厚度；ρρ预定的薄膜层厚度与衬底层厚度的比值；r为预定的存储介质半径；Δrh为相对湿度变化值。
20.如权利要求19所述的存储介质，其中所述的半径为53mm。
21.如权利要求19所述的存储介质，其中厚度比值为0.068，衬底厚度为1.1mm。
22.如权利要求21所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.095％。
23.如权利要求21所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.064％。
24.如权利要求21所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.024％。
25.如权利要求19所述的存储介质，其中厚度比值为0.091，衬底厚度为1.1mm。
26.如权利要求25所述的存储介质，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.117％。
27.如权利要求25所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.078％。
28.如权利要求25所述的存储介质，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.029％。
29.如权利要求19所述的存储介质，其中所述的相对湿度变化值在温度25℃下为40％。
30.如权利要求19所述的存储介质，其中所述的聚合物包括热塑性聚合物或热固性聚合物。
31.如权利要求30所述的存储介质，其中所述的聚合物包括至少一种热塑性聚合物。
32.如权利要求31所述的存储介质，其中所述的热塑性聚合物选自聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚酰胺、芳香族聚醚如聚醚砜和聚醚酰亚胺、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚，以及它们的组合。
33.如权利要求32所述的存储介质，其中所述的热塑性聚合物包括聚碳酸酯。
34.如权利要求19所述的存储介质，其中所述的薄膜层的厚度范围在衬底厚度的5％至25％之间。
35.如权利要求34所述的存储介质，其中所述的薄膜层的厚度范围在衬底厚度的10％至20％之间。
36.一种数据存储介质，包含多个层a)至少一个包含聚碳酸酯的衬底层，b)至少一个位于该衬底上的数据层；以及c)至少一个位于该数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与所述聚碳酸酯的物理性质相同；其中在最大倾斜度为1.2°时，该聚碳酸酯具有由下式(II)测得的水致形变 其中，t为1.1mm；ρ为0.068；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
37.一种数据存储介质，包含多个层a)至少一个包含聚碳酸酯的衬底层，b)至少一个位于所述衬底上的数据层；以及c)至少一个位于所述数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与所述聚碳酸酯的物理性质相同；其中在最大倾斜度1.2°时，该聚碳酸酯具有由下式(II)测得的水致形变 其中，t为1.1mm；ρ为0.091；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
38.一种测量多层制品从一面吸收水分的水致形变的方法，该方法包括预先测定制品的最大径向倾斜度和半径，并且通过下式(I)计算得出其水致形变 其中，t为制品厚度；r为预定的制品半径；Δrh为相对湿度变化值。
39.如权利要求38所述的方法，其中该制品包括数据存储介质。
40.如权利要求39所述的方法，其中所述的数据存储介质包含a)一个包含聚合物的衬底层，以及b)至少一个数据层。
41.如权利要求40所述的方法，其中所述的半径为53mm。
42.如权利要求38所述的方法，其中所述的相对湿度变化值在温度25℃下为40％。
43.如权利要求40所述的方法，其中所述的聚合物包括热塑性聚合物或热固性聚合物。
44.如权利要求43所述的方法，其中所述的聚合物包括至少一种热塑性聚合物。
45.如权利要求44所述的方法，其中所述的热塑性聚合物选自聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚酰胺、芳香族聚醚如聚醚砜和聚醚酰亚胺、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚，以及它们的组合。
46.如权利要求45所述的方法，其中所述的热塑性聚合物包括聚碳酸酯。
47.如权利要求40所述的方法，其中所述的衬底厚度范围在0.4mm和2.5mm之间。
48.如权利要求47所述的方法，其中所述的衬底厚度为1.2mm。
49.如权利要求48所述的方法，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.06％。
50.如权利要求48所述的方法，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.04％。
51.如权利要求48所述的方法，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.015％。
52.如权利要求47所述的方法，其中所述的衬底厚度为0.6mm。
53.如权利要求52所述的方法，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.03％。
54.如权利要求52所述的方法，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.02％。
55.如权利要求52所述的方法，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.0008％。
56.一种测量数据存储介质水致形变的方法，其中该数据存储介质包含一个包含聚合物的衬底层，以及至少一个数据层；该方法包括用下式(I)计算水致形变 其中，最大倾斜度为1.2°；t为1.2mm；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
57.一种测量数据存储介质水致形变的方法，其中该数据存储介质包含一个包含聚合物的衬底层，以及至少一个数据层；该方法包括用下式(I)计算水致形变 其中，最大倾斜度为1.2°；t为0.6mm；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
58.一种通过测量多层制品从多于一面吸收水分的水致形变的方法，该方法包括预先测定制品的最大径向倾斜度和半径，用下式(II)计算水致形变 其中，t为衬底厚度；ρ为预定的薄膜层厚度与衬底层厚度的比值；r为预定的存储介质半径；Δrh为相对湿度变化值。
59.如权利要求58所述的方法，其中该制品包括数据存储介质。
60.如权利要求59所述的方法，其中所述的数据存储介质包含a)至少一个包含聚合物的衬底层，b)至少一个位于所述衬底上的数据层；以及c)至少一个位于所述数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与所述聚合物的物理性质相同。
61.如权利要求60所述的方法，其中所述的半径为53mm。
62.如权利要求60所述的方法，其中厚度比值为0.068，衬底厚度为1.1mm。
63.如权利要求62所述的方法，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.095％。
64.如权利要求62所述的方法，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.064％。
65.如权利要求62所述的方法，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.024％。
66.如权利要求60所述的方法，其中厚度比值为0.091，衬底厚度为1.1mm。
67.如权利要求66所述的方法，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.117％。
68.如权利要求66所述的方法，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.078％。
69.如权利要求66所述的方法，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.029％。
70.如权利要求58所述的方法，其中所述的相对湿度变化值在温度25℃下为40％。
71.如权利要求60所述的方法，其中所述的聚合物包括热塑性聚合物或热固性聚合物。
72.如权利要求71所述的方法，其中所述的聚合物包括至少一种热塑性聚合物。
73.如权利要求72所述的方法，其中所述的热塑性聚合物从下列物质中选出聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚酰胺、芳香族聚醚如聚醚砜和聚醚酰亚胺、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚，以及它们的组合。
74.如权利要求73所述的存储介质，其中所述的热塑性聚合物包括聚碳酸酯。
75.如权利要求58所述的存储介质，其中所述的薄膜层的厚度范围在衬底厚度的5％至25％之间。
76.如权利要求75所述的存储介质，其中所述的薄膜层的厚度范围在衬底厚度的10％至20％之间。
77.一种测量数据存储介质水致形变的方法，其中数据存储介质包含a)至少一个包含聚碳酸酯的衬底层，b)至少一个位于所述衬底上的数据层；以及c)至少一个位于所述数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与聚碳酸酯的物理性质相同；该方法包括用下式(II)计算水致形变 其中，最大倾斜度为1.2°；t为1.1mm；ρ为0.068；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
78.一种测量数据存储介质水致形变的方法，其中数据存储介质包含a)至少一个包含聚碳酸酯的衬底层，b)至少一个位于所述衬底上的数据层；以及c)至少一个位于所述数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与所述聚碳酸酯的物理性质相同；该方法包括用下式(II)计算水致形变 其中，最大倾斜度为1.2°；t为1.1mm；ρ为0.091；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
79.一种用于数据存储介质的聚合物，其中数据存储介质包括包含所述聚合物的衬底层，以及至少一个数据层；其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度时具有由下式(I)计算得出的水致形变 其中，t为衬底厚度；r为预定的存储介质半径；Δrh为相对湿度变化值。
80.如权利要求79所述的聚合物，其中所述的半径为53mm。
81.如权利要求79所述的聚合物，其中所述的相对湿度变化值在温度25℃下为40％。
82.如权利要求79所述的聚合物，包括热塑性聚合物或热固性聚合物。
83.如权利要求82所述的聚合物，包括至少一种热塑性聚合物。
84.如权利要求83所述的聚合物，其中所述的热塑性聚合物选自聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚酰胺、芳香族聚醚如聚醚砜和聚醚酰亚胺、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚，以及它们的组合。
85.如权利要求84所述的聚合物，其中所述的热塑性聚合物包括聚碳酸酯。
86.如权利要求79所述的聚合物，其中所述的衬底厚度范围在0.4mm和2.5mm之间。
87.如权利要求86所述的聚合物，其中所述的衬底厚度为1.2mm。
88.如权利要求87所述的聚合物，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.06％。
89.如权利要求87所述的聚合物，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.04％。
90.如权利要求87所述的聚合物，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.015％。
91.如权利要求86所述的聚合物，其中所述的衬底厚度为0.6mm。
92.如权利要求91所述的聚合物，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.03％。
93.如权利要求91所述的聚合物，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.02％。
94.如权利要求91所述的聚合物，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.0008％。
95.一种用于数据存储介质的聚碳酸酯，其中数据存储介质包含包含所述聚碳酸酯的衬底层，以及至少一个数据层；其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度时具有由下式(I)计算得出的水致形变 其中，t为1.1mm；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
96.一种用于数据存储介质的聚碳酸酯，其中数据存储介质包含包含所述聚碳酸酯的衬底层，以及至少一个数据层；其中该聚碳酸酯在最大倾斜度为1.2°时，具有由下式(I)计算得出的水致形变 其中，t为0.6mm；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
97.一种用于数据存储介质的聚合物，其中数据存储介质包含a)至少一个包含聚合物的衬底层，b)至少一个位于所述衬底上的数据层；以及c)至少一个位于所述数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与所述聚合物的物理性质相同；并且其中该聚合物在该存储介质的预定最大倾斜度时具有由下式(II)计算得出的水致形变 其中，t为衬底厚度；ρ为预定的薄膜层厚度与衬底层厚度的比值；r为预定的存储介质半径；Δrh为相对湿度变化值。
98.如权利要求97所述的聚合物，其中所述的半径为53mm。
99.如权利要求97所述的聚合物，其中厚度比值为0.068，衬底厚度为1.1mm。
100.如权利要求99所述的聚合物，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.095％。
101.如权利要求99所述的聚合物，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.064％。
102.如权利要求99所述的聚合物，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.024％。
103.如权利要求97所述的聚合物，其中厚度比值为0.091，衬底厚度为1.1mm。
104.如权利要求103所述的聚合物，其中最大倾斜度为1.2°，最大水致形变小于0.117％。
105.如权利要求103所述的聚合物，其中最大倾斜度为0.8°，最大水致形变小于0.078％。
106.如权利要求103所述的聚合物，其中最大倾斜度为0.3°，最大水致形变小于0.029％。
107.如权利要求97所述的聚合物，其中所述的相对湿度变化值在温度25℃下为40％。
108.如权利要求97所述的聚合物，包括热塑性聚合物或热固性聚合物。
109.如权利要求108所述的聚合物，包括至少一种热塑性聚合物。
110.如权利要求109所述的聚合物，其中所述的热塑性聚合物选自聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚酰胺、芳香族聚醚如聚醚砜和聚醚酰亚胺、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚，以及它们的组合。
111.如权利要求110所述的聚合物，其中所述的热塑性聚合物包括聚碳酸酯。
112.如权利要求97所述的聚合物，其中所述的薄膜层的厚度范围在衬底厚度的5％至25％之间。
113.如权利要求112所述的聚合物，其中所述的薄膜层的厚度范围在衬底厚度的10％至20％之间。
114.一种用于数据存储介质的聚碳酸酯，其中数据存储介质包含a)至少一个包含所述聚碳酸酯的衬底层，b)至少一个位于所述衬底上的数据层；以及c)至少一个位于所述数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与所述聚碳酸酯的物理性质相同；并且其中该聚碳酸酯在1.2°的最大倾斜度时具有由下式(II)计算得出的水致形变 其中，t为1.1mm；ρ为0.068；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
115.一种用于数据存储介质的聚碳酸酯，其中数据存储介质包含a)至少一个包含所述聚碳酸酯的衬底层，b)至少一个位于所述衬底上的数据层；以及c)至少一个位于所述数据层上的薄膜层，其中所述薄膜层包含的材料其物理性质基本上与所述聚碳酸酯的物理性质相同；并且其中该聚碳酸在具有1.2°的最大倾斜度时具有由下式(II)计算得出的水致形变 其中，t为1.1mm；ρ为0.091；r为53mm；Δrh在温度25℃下为40％。
全文摘要
本发明提供了一种通过预先测定制品的最大倾斜度和半径来测量该制品水致形变的方法。本发明的实施方案中还包括数据存储介质和用于数据存储介质的材料，其中数据存储介质包含多个层，并对该多层进行了上述水致形变的计算。
文档编号C08F120/18GK1568505SQ02820119
公开日2005年1月19日 申请日期2002年7月11日 优先权日2001年8月31日
发明者拉米什·哈里哈兰, 托马斯·P·费斯特, 格兰特·海, 凯瑟琳·L·朗利, 维特·C·布什科, 艾琳·德里斯, 阿扎·阿利扎德 申请人:通用电气公司