技术特征：
技术总结
本发明公开利用高能电子辐照促进等规聚1‑丁烯复合材料中晶型II‑I转变的方法，对等规聚1‑丁烯和低密度聚乙烯的共混复合材料进行高能电子辐照，采用高能电子辐射即可促进共混材料中iP‑1‑B中晶型II‑I转变。本发明适用于基于均聚iP‑1‑B的共混材料，采用较为简单的工艺过程，无需共聚或施加力场，可大大缩短此转变时间，在较快时间内达到较高的转化率，且无需共聚。
技术研发人员：李景庆;蔡晓倩;蒋世春;尚英瑞
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2016.12.28
技术公布日：2018.07.06