本公开涉及有机电致发光化合物、有机电致发光材料以及包含其的有机电致发光装置。
背景技术：
：在显示装置之中，电致发光装置(EL装置)是一种自发光显示装置，其具有的优势在于提供了更宽的视角、更高的对比率以及更快的响应时间。第一件有机EL装置由伊士曼柯达(EastmanKodak)在1987年通过使用小芳香族二胺分子和铝络合物作为用于形成发光层的材料开发[应用物理学报(Appl.Phys.Lett.)51,913,1987]。决定有机电致发光装置中发光效率的最重要因素是发光材料。到目前为止，荧光材料已被广泛用作发光材料。然而，从电致发光机理的观点来看，由于磷光发光材料与荧光发光材料相比理论上将发光效率提高了四(4)倍，所以磷光发光材料已被广泛研究。铱(III)络合物已广泛地已知为磷光材料，包括双(2-(2'-苯并噻吩基)-吡啶根-N,C-3')铱(乙酰基丙酮酸盐)((acac)Ir(btp)2)、三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)以及双(4,6-二氟苯基吡啶根-N,C2)吡啶甲酸铱(Firpic)分别作为发射红光、绿光以及蓝光的材料。在常规技术中，4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(CBP)是用于磷光材料的最广泛已知的主体材料。近来，先锋(Pioneer)(日本)等人开发了使用浴铜灵(BCP)和铝(III)双(2-甲基-8-喹啉盐)(4-苯基苯酚盐)(BAlq)等作为主体材料的高性能有机电致发光装置，所述主体材料被称为空穴阻挡材料。尽管这些材料提供良好发光特性，但其具有以下缺点：(1)由于其较低玻璃化转变温度和不良热稳定性，因此其可能在高温沉积工艺期间在真空中发生降解，并且装置的寿命可能缩短。(2)有机电致发光装置的功率效率由[(π/电压)×电流效率]给出，并且功率效率与电压成反比。尽管包含磷光主体材料的有机电致发光装置提供高于包含荧光材料的有机电致发光装置的电流效率(cd/A)，但显著高的驱动电压是必需的。因此，在功率效率(lm/W)方面没有优点。(3)此外，有机电致发光装置的使用寿命短，并且发光效率仍需改善。因此，必须适当选择构成装置中的有机层的材料，特别是构成发光材料的主体，以实现有机EL装置的优异特性。为了改善效率和稳定性，有机电致发光装置可以由其中包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等的多层结构组成。在该结构中，构成空穴输送层的化合物对于提高装置的特性，如空穴输送到发光层的效率、发光效率和寿命是重要的。在这点上，铜酞菁(CuPc)、4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N，N'-二苯基-N，N'-双(3-甲基苯基)(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺(TPD)、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)等用作用于有机电致发光装置的空穴注入和传输材料。然而，使用这些材料的有机电致发光装置在降低量子效率和寿命方面存在问题。当有机电致发光装置在大电流下驱动时，这是由于在阳极和空穴注入层之间发生热应力。热应力显著降低所述装置的使用寿命。此外，由于用于空穴注入层的有机材料具有极高空穴迁移率，所以空穴-电子电荷平衡可被打破并且量子产率(cd/A)可降低。因此，仍然需要开发用于改善有机电致发光装置的耐久性的空穴传输层。同时，为了改善有机电致发光装置的效率，需要优化装置，并且开发包含在装置中的有机电致发光材料。因此，已经进行了研究以通过在发光层和电子注入层之间插入电子缓冲层来改善有机电致发光装置的效率。电子缓冲层用于改善在制造面板的过程中装置暴露于高温时由于装置中电流性质的变化而可能发生的发光亮度降低的问题。因此，用于电子缓冲层的化合物的性质是重要的。另外，希望用于电子缓冲层的化合物具有通过吸电子特性和电子亲和力LUMO(最低未占用分子轨道)能级来控制电子注入的作用，因此可以起到改善有机电致发光装置的效率的作用。因此，为了改善根据有机电致发光装置的温度的劣化特性并通过控制电子注入来改善效率，需要开发构成电子缓冲层的电子缓冲材料。韩国专利申请特许公开第2015-0070827号公开了一种有机电致发光装置，其包含具有其中芳胺部分分别结合到咔唑部分的碳2位和3位并且彼此稠合形成8元环的骨架的化合物。然而，上述参考文献未公开具有如下结构的化合物：其中直接键合到碳位置1的两个芳基和咔唑部分的氮原子经由作为连接基团的氮原子、氧原子或硫原子形成8元环。技术实现要素：待解决问题本公开的目的首先是提供一种有效地制造具有低驱动电压和/或优异的发光效率如电流和/或功率效率的有机电致发光装置的有机电致发光化合物，其次，提供一种包含有机电致发光化合物的有机电致发光材料，以及第三，提供包含有机电致发光化合物的有机电致发光装置。问题解决方案作为本发明研究解决以上技术问题的结果，本发明人发现以上目的可以通过由下式1表示的有机电致发光化合物实现：其中Y表示S、O或NR5；R1至R5各自独立地表示氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(3至30元)杂芳基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷氧基、经取代或未经取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、经取代或未经取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的单或二(C1-C30)烷氨基、经取代或未经取代的单或二(C6-C30)芳氨基或经取代或未经取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳氨基；或键联到相邻R1至R5以形成经取代或未经取代的单环或多环(C3-C30)脂环族环或芳香族环或其组合，其(一个或多个)碳原子可以由至少一个选自氮、氧和硫的杂原子置换；杂芳基含有至少一个选自B、N、O、S、Si以及P的杂原子。a、b和d各自独立地表示0至4的整数，c表示0至3的整数；其中如果a至d各自独立地表示2或更大的整数，则R1至R4中的每一个可以相同或不同；和附带条件是，当Y表示NR5且a表示2时，两个R1不与它们所连接的芳基环稠合形成咔唑环。有机电致发光化合物具有基于咔唑的8元环的稠环结构，并且与低分子量相比具有相对高的玻璃化转变温度。具有高玻璃化转变温度的本公开化合物具有优异的热稳定性并且即使在装置操作期间的高温下也可以具有形态稳定性。另外，由于结构特性，本公开的化合物可以容易地被取代，并且可以取决于取代基而被应用于各种层。本发明的效果具体地说，本公开的有机电致发光化合物可提供具有低驱动电压以及高电流和功率效率的有机电致发光装置。具体实施方式在下文中，将详细描述本公开。然而，以下描述旨在解释本公开，并且不打算以任何方式限制本公开的范围。本公开中的术语“有机电致发光化合物”是指可用于有机电致发光装置中的化合物，并且如果需要，可以由构成有机电致发光装置的任何层组成。本公开中的术语“有机电致发光材料”是指可以用于有机电致发光装置中的材料，并且可以包含至少一种化合物。如果需要，有机电致发光材料可以由构成有机电致发光装置的任何层组成。例如，有机电致发光材料可以是空穴注入材料、空穴传输材料、空穴辅助材料、发光辅助材料、电子阻挡材料、发光材料、电子缓冲材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、电子注入材料等。下面详细描述由式1表示的化合物。在式1中，Y表示S、O或NR5。在式1中，R1到R5各自独立地表示氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(3至30元)杂芳基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷氧基、经取代或未经取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、经取代或未经取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的单或二(C1-C30)烷氨基、经取代或未经取代的单或二(C6-C30)芳氨基或经取代或未经取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳氨基；或键联到相邻R1至R5以形成经取代或未经取代的单环或多环(C3-C30)脂环族环或芳香族环或其组合，其(一个或多个)碳原子可以由至少一个选自氮、氧和硫的杂原子置换。附带条件是，当Y表示NR5和a表示2时，两个R1不与它们所连接的芳基环稠合形成咔唑环。优选地，R1至R4各自独立地表示经取代或未经取代的(C6-C25)芳基、经取代或未经取代的(5至25元)杂芳基或经取代或未经取代的二(C6-C25)芳氨基；或分别键联到相邻R1至R4以形成经取代或未经取代的单环或多环(C5-C25)芳香族环，其(一个或多个)碳原子可以由至少一个选自氮、氧和硫的杂原子置换。更优选地，R1至R4各自独立地表示经取代或未经取代的(C6-C20)芳基、经取代或未经取代的(5至20元)杂芳基或未取代的二(C6-C25)芳氨基；或分别键联到相邻R1至R4以形成未经取代的单环或多环(C5-C20)芳香族环。例如，R1至R4各自独立地表示经取代或未经取代的苯基、未经取代的联苯基、未经取代的三联苯基、经苯基取代的咔唑基、未经取代的二苯并呋喃基、未经取代的二苯并噻吩基、经苯基取代的喹喔啉基、经联苯基取代的喹唑啉基、经二联苯基氨基取代的吡啶基、经二苯基取代的三嗪基或未经取代的二联苯基氨基；或分别键联到相邻R1至R4形成苯环。优选地，R5表示经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(3至25元)杂芳基。更优选地，R5表示经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(5至18元)杂芳基。例如，R5表示经取代或未经取代的苯基、未经取代的萘基苯基、未经取代的萘基、未经取代或经二联苯基氨基取代的联苯基、未经取代的三联苯基、未经取代的四联苯基、未经取代的五苯基、景甲基或苯基取代的芴基、经苯基取代的咔唑基、未经取代的二苯并呋喃基、未经取代的二苯并噻吩基、经至少一个苯基取代的三嗪基、经苯基取代的喹喔啉基、经联苯基取代的喹唑啉基或经二联苯基氨基取代的吡啶基。在式1中，杂芳基含有至少一个选自B、N、O、S、Si和P的杂原子，并且优选至少一个选自N、O和S的杂原子。在式1中，a、b和d各自独立地表示0至4的整数，c表示0至3的整数；其中如果a至d各自独立地表示2或更大的整数，则R1至R4中的每一个可以相同或不同。优选地，a至d各自独立地表示0至2的整数。由式1表示的有机电致发光化合物可以由以下式2到4中的任一个表示：其中，R1至R5和a至d如式1中所定义。在式2中，当a表示2时，两个R1不与它们所连接的芳环稠合形成咔唑环。这里，术语“(C1-C30)烷基”意指具有构成链的1至30个碳原子的直链或支链烷基，其中碳原子数优选为1至20，更优选1至10，并且包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等。术语“(C3-C30)环烷基”为具有3至30个环骨架碳原子的单环或多环烃，其中碳原子数优选为3至20，更优选3至7，并且包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。术语“(3至7元)杂环烷基”为具有3至7，优选5至7个环骨架原子，包括至少一个选自B、N、O、S、Si和P，优选O、S和N的杂原子的环烷基，并且包括四氢呋喃、吡咯烷、硫杂环戊烷、四氢吡喃等。术语“(C6-C30)(亚)芳基”是衍生自具有6至30个环骨架碳的芳香族烃的单环或稠环基，其中环骨架碳原子的数目优选为6至20，更优选6至15，可以部分饱和，并且可以包含螺环结构。以上(亚)芳基包括苯基、联苯基、三联苯基、萘基、联萘基、苯基萘基、萘基苯基、芴基、苯基芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、苯基菲基、蒽基、茚基、联亚三苯基、芘基、并四苯基、苝基、屈基、稠四苯基、荧蒽基、螺联芴基等。术语“(3至30元)(亚)杂芳基”指具有3到30个环骨架原子的芳基，所述环骨架原子包括至少一个、优选地1至4个选自由B、N、O、S、Si和P组成的组的杂原子。以上(亚)杂芳基可为单环，或与至少一个苯环缩合的稠环；可为部分饱和的；可为经由(一个或多个)单键通过将至少一个杂芳基或芳基键联到杂芳基形成的基团；可包含螺环结构；且包括单环型杂芳基，如呋喃基、苯硫基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、异噻唑基、异恶唑基、恶唑基、恶二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋吖基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基和哒嗪基等，和稠环型杂芳基，如苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并异恶唑基、苯并恶唑基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、苯并咔唑基、吩恶嗪基、啡噻嗪基、啡啶基、苯并间二氧杂环戊烯基和二氢吖啶基等。此外，“卤素”包括F、Cl、Br和I。在本文中，表述“经取代或未经取代”中的“经取代”意指在某一官能团中的氢原子经另一个原子或另一个官能团(即取代基)置换。在R1至R8，Ma、La和Xa至Xi中，经取代的(C1-C30)烷基、经取代的(C2-C30)烯基、经取代的(C2-C30)炔基、经取代的(C6-C30)(亚)芳基、经取代的(3至30元)(亚)杂芳基、经取代的(C3-C30)环烷基、经取代的(C3-C30)环烯基、、经取代的(3至7元)杂环烷基、经取代的(C1-C30)烷氧基、经取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、经取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、经取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、经取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、经取代的单或二(C1-C30)烷氨基、经取代的单或二(C6-C30)芳氨基、经取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳氨基和经取代的单环或多环(C3-C30)脂环族环或芳香族环或其组合的取代基，各自独立地为选自由以下组成的组中的至少一种：氘；卤素；氰基；羧基；硝基；羟基；(C1-C30)烷基；卤代(C1-C30)烷基；(C2-C30)烯基；(C2-C30)炔基；(C1-C30)烷氧基；(C1-C30)烷硫基；(C3-C30)环烷基；(C3-C30)环烯基；(3至7元)杂环烷基；(C6-C30)芳氧基；(C6-C30)芳硫基；未经取代或经(C6-C30)芳基取代的(5至30元)杂芳基；未经取代或经(5至30元)杂芳基取代的(C6-C30)芳基；三(C1-C30)烷基硅烷基；三(C6-C30)芳基硅烷基；二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基；(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基；氨基；单或二(C1-C30)烷氨基；未经取代或经(C1-C30)烷基取代的单或二(C6-C30)芳氨基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳氨基；(C1-C30)烷基羰基；(C1-C30)烷氧基羰基；(C6-C30)芳基羰基；二(C6-C30)芳基硼烷基；二(C1-C30)烷基硼烷基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硼烷基；(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基；和(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基；优选为选自由以下组成的组中的至少一种：(C1-C20)烷基、未经取代或经(C6-C20)芳基取代的(5至20元)杂芳基、经取代或未经取代的(C6-C20)芳基和未经取代或经(C1-C20)烷基取代的二(C6-C20)芳氨基；更优选为选自由以下组成的组中的至少一个：(C1-C10)烷基、未经取代或经(C6-C10)芳基取代的(6至18元)杂芳基、经取代或未经取代的(C6-C18)芳基和未经取代或经(C1-C10)烷基取代的二(C6-C18)芳氨基；并且例如可以是选自由以下组成的组中的至少一种：甲基；未经取代或经二苯并噻吩基、叔丁基或氰基取代的苯基；未经取代的联苯基；未经取代的三联苯基；未经取代的萘基；经苯基取代的喹喔啉基；经至少一个苯基取代的三嗪基；经至少一个苯基取代的嘧啶基；未经取代的二苯并噻吩基；经苯基取代的咔唑基；二苯基氨基；苯基联苯基氨基；和经二甲基取代的芴基联苯基氨基。由式1表示的有机电致发光化合物包括(但不限于)以下化合物：本公开的有机电致发光化合物可以通过本领域技术人员已知的合成方法制备，例如以下反应方案：[反应方案1]其中，R1至R4如式1中所定义。本公开的有机电致发光装置可以包含第一电极、第二电极以及在第一和第二电极之间的至少一个有机层。第一电极和第二电极中的一个可为阳极，并且另一个可为阴极。有机层可以包含至少一个发光层，并且可以进一步包含至少一个选自空穴注入层、空穴传输层、空穴辅助层、发光辅助层、电子传输层、电子缓冲层、电子注入层、夹层、空穴阻挡层以及电子阻挡层的层。在本文中，空穴辅助层或发光辅助层可以放置在空穴传输层和发光层之间，其可以控制空穴的传输速率。空穴辅助层或发光辅助层可以有效地制造具有优异的效率和/或改善的寿命的有机电致发光装置。电子缓冲层可以由两层或更多层构成，以便控制电子注入并且改善发光层和电子注入层之间的界面的特性。每个层可以包含两种或更多种化合物。空穴阻挡层或电子传输层可以由两层或更多层构成，并且每层可以包含两种或更多种化合物。根据本公开的一个实施例，本公开提供了包含由式1表示的有机电致发光化合物的有机电致发光材料。有机电致发光材料可以由式1表示的有机电致发光化合物作为唯一化合物组成，或者可以进一步包含通常用于有机电致发光材料的常规材料。优选地，有机电致发光材料可以包含由式1表示的化合物、由式5表示的化合物或它们两者。有机电致发光材料可以是主体材料、空穴传输材料或电子缓冲材料，并且优选为主体材料或电子缓冲材料，但不限于此。根据本公开的一个实施例，由式1表示的化合物可以包含在有机电致发光装置中作为电子缓冲材料。换句话说，电子缓冲材料可以包含由式1表示的化合物。电子缓冲材料可以控制电子的流动性质。例如，电子缓冲材料可以捕获电子、阻挡电子或降低电子传输区和发光层之间的能量势垒。具体而言，电子缓冲材料可以是有机电致发光装置的电子缓冲材料。有机电致发光装置中的电子缓冲材料可以用于电子缓冲层，或者也可以同时用于其他区域，如电子传输层、电子注入层或发光层。电子缓冲材料可以是进一步包含通常用于制造有机电致发光装置的常规材料的混合物或组合物。根据本公开的一个实施例，由式1表示的化合物可以包含在有机电致发光装置中作为主体材料。换句话说，主体材料可以包含由式1表示的化合物。此外，主体材料可以包含第一主体化合物中的至少一种和第二主体化合物中的至少一种。在本文中，第一主体化合物与第二主体化合物的重量比在1:99至99:1的范围内。第二主体化合物可为任何已知的磷光主体。就驱动电压、发光效率和/或功率效率而言，优选使用由下式5表示的化合物。在本公开的主体材料中，第一主体化合物可以包含由式1表示的化合物，第二主体化合物可以包含由下式5表示的化合物。有机电致发光材料可以包含由式1表示的有机电致发光化合物和由下式5表示的化合物：在式5中，Ma表示经取代或未经取代的含氮(5至30元)杂芳基；优选经取代或未经取代的含氮(5至25元)杂芳基；并且更优选地，经取代或未经取代的含氮(5至18元)杂芳基。例如，Ma可以表示取代的三嗪基、经取代的嘧啶基、经取代的苯并咪唑基、经取代的喹喔啉基、经取代的喹啉基、经取代的喹唑啉基或未经取代的萘啶基；并且经取代的含氮(5至30元)杂芳基的取代基可以是未经取代的或经二苯并噻吩基、叔丁基或氰基取代的苯基；未经取代的联苯基；未经取代的三联苯基；未经取代的萘基；未经取代的二苯并噻吩基；或经苯基取代的咔唑基。在式5中，La表示单键、经取代或未经取代的(3至30元)亚杂芳基或经取代或未经取代的(C6-C30)亚芳基；优选单键、经取代或未经取代的(3至25元)亚杂芳基或经取代或未经取代的(C6-C25)亚芳基；更优选单键、未经取代的(5至18元)杂亚芳基或未经取代的(C6-C18)亚芳基；并且例如单键、未经取代的亚苯基、未经取代的亚联苯基、未经取代的亚萘基或未取代的亚吡啶基。在式5中，V和W中的一个表示单键，并且V和W中的另一个表示NR6、CR7R8、S和O中的任一个。优选地，V和W中的一个表示单键，并且V和W中的另一个表示NR6、S和O中的任一个。在式5中，Xa至Xi各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C2-C30)烯基、经取代或未经取代的(C2-C30)炔基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C6-C60)芳基、经取代或未经取代的(3至30元)杂芳基、经取代或未经取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、经取代或未经取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基或经取代或未经取代的单或二(C6-C30)芳氨基；或可分别键联到相邻Xa至Xi以形成经取代或未经取代的单环或多环(C3-C30)脂环族环或芳香族环或其组合，其(一个或多个)碳原子可以由至少一个选自氮、氧和硫的杂原子的置换。优选地，Xa至Xi各自独立地表示氢、氰基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(3至25元)杂芳基或经取代或未经取代的三(C6C25))芳基硅烷基。更优选地，Xa至Xi各自独立地表示氢、未经取代的(C6-C18)芳基或未经取代或经(C6-C18)芳基取代的(6至18元)杂芳基。例如，Xa至Xi各自独立地可表示氢、未经取代的苯基、未经取代的萘基、未经取代的联苯基或经苯基取代的咔唑基。在式5中，R6至R8各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、羧基、硝基、羟基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烯基、经取代或未经取代的(3至7元)杂环烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代(3至30元)杂芳基；并且优选地，经取代或未经取代的(C6-C25)芳基；更优选地，未经取代的(C6-C18)芳基；并且例如，未经取代的苯基、未经取代的萘基或未经取代的联苯基。在式5中，杂芳基含有至少一个选自B、N、O、S、Si以及P的杂原子。由式5表示的有机电致发光化合物包括(但不限于)以下化合物：由本公开的式5表示的化合物可以通过本领域技术人员已知的合成方法制备，特别是在许多专利公开中公开的合成方法。例如，作为公知材料的化合物B-1和B-15可以通过下列专利申请特许公开中公开的方法合成，但不限于此。具体而言，化合物B-1及其衍生物的合成方法公开于2016年1月27日公开的韩国专利申请特许公开第2016-0010333号中。此外，化合物B-15及其衍生物的合成方法公开于2013年1月30日公开的韩国专利申请特许公开第2013-0011446号中。包含在本公开的有机电致发光装置中的掺杂剂可以是至少一种磷光或荧光掺杂剂，优选至少一种磷光掺杂剂。用于本公开的有机电致发光装置的磷光掺杂剂材料不受特别限制，但可以优选地选自铱(Ir)、锇(Os)、铜(Cu)以及铂(Pt)的金属化络合物化合物，更优选地选自铱(Ir)、锇(Os)、铜(Cu)以及铂(Pt)的邻位金属化络合物化合物，并且甚至更优选地是邻位金属化铱络合物化合物。包含在本公开的有机电致发光装置中的掺杂剂可以包含选自由下式101至103表示的化合物组成的组。其中，L选自以下结构：R100表示氢、氘、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基或经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基；R101至R109和R111至R123各自独立地表示氢、氘、卤素、未经取代或或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、氰基或经取代或未经取代的(C1-C30)烷氧基；R106至R109可分别键联到相邻R106至R109以形成经取代或未经取代的稠环，例如未经取代或经烷基取代的芴、未经取代或经烷基取代的二苯并噻吩或未经取代或经烷基取代的二苯并呋喃；并且R120至R123可分别键联到相邻R120至R123以形成经取代或未经取代的稠环，例如未经取代或经烷基或芳基取代的喹啉；R124至R127各自独立地表示氢、氘、卤素、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基或经取代或未经取代的(C6-C30)芳基；并且R124至R127可分别键联到相邻R124至R127以形成经取代或未经取代的稠环，例如未经取代或经烷基取代的芴、未经取代或经烷基取代二苯并噻吩或未经取代或经烷基取代或未经取代的二苯并呋喃；R201至R211各自独立地表示氢、氘、卤素、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基或经取代或未经取代的(C6-C30)芳基；R208至R211可分别键联到相邻R208至R211以形成经取代或未经取代的稠环，例如未经取代或经烷基取代的芴、未经取代或经烷基取代的二苯并噻吩或未经取代或经烷基取代的二苯并呋喃；f和g各自独立地表示1至3的整数；其中如果f或g为2或更大的整数，每个R100可相同或不同；且n表示1至3的整数。用作掺杂剂的化合物的具体实例如下：本公开的有机电致发光装置可以包含式1化合物，并且同时进一步包含至少一种选自由基于芳基胺的化合物和基于苯乙烯基芳基胺的化合物组成的组的化合物。根据本公开的一个实施例，本公开的有机电致发光装置中的发光层中的至少一层可以包含至少一种掺杂剂化合物和至少一种主体化合物，其中主体化合物可以是由式1表示的化合物。此外，有机电致发光装置的电子缓冲层可以包含由式1表示的化合物。根据本公开的一个实施例，本公开的有机电致发光装置中的发光层中的至少一层可以包含至少一种掺杂剂化合物和至少两种主体化合物，其中主体化合物中的第一主体化合物可以是由式1表示的化合物，并且其中主体化合物中的第二主体化合物可以是由式5表示的化合物。此外，有机电致发光装置的电子缓冲层可以包含由式1表示的化合物。在本公开的有机电致发光装置中，有机层可以包含至少一种由式1表示的有机电致发光化合物。此外，有机层可进一步包含至少一种选自由以下组成的组的金属：周期表的第1族金属、第2族金属、第4周期过渡金属、第5周期过渡金属、镧系元素和d-过渡元素的有机金属，或至少一种包含所述金属的络合物化合物。有机层可以进一步包含一个或多个额外发光层和电荷产生层。另外，本公开的有机电致发光装置可以通过进一步包含至少一个发光层而发射白光，所述发光层除本公开的化合物以外还包含所属领域中已知的蓝光电致发光化合物、红光电致发光化合物或绿光电致发光化合物。如果需要的话，它可以进一步包含黄色或橙色的发光层。在本公开的有机电致发光装置中，优选地，至少一个层(在下文中为“表面层”)可以放置在一个或两个电极的(一个或多个)内表面上，所述层选自硫族化合物层、金属卤化物层以及金属氧化物层。具体而言，硅或铝的硫族化合物(包括氧化物)层优选地放置在电致发光中间层的阳极表面上，并且金属卤化物层或金属氧化物优选地放置在电致发光中间层的阴极表面上。此类表面层为有机电致发光装置提供了工作稳定性。优选地，硫族化合物包括SiOX(1≤X≤2)、AlOX(1≤X≤1.5)、SiON、SiAlON等；金属卤化物包括LiF、MgF2、CaF2、稀土金属氟化物等；并且金属氧化物包括Cs2O、Li2O、MgO、SrO、BaO、CaO等。在本公开的有机电致发光装置中，电子传输化合物和还原性掺杂剂的混合区或空穴传输化合物和氧化性掺杂剂的混合区可以放置在一对电极的至少一个表面上。在这种情况下，电子传输化合物被还原成阴离子，并且因此变得更加容易注入电子并且将其从混合区传输到电致发光介质。此外，空穴传输化合物被氧化成阳离子，并且因此变得更加容易注入空穴并且将其从混合区传输到电致发光介质。优选地，氧化性掺杂剂包括各种路易斯酸和受体化合物；并且还原性掺杂剂包括碱金属、碱金属化合物、碱土金属、稀土金属以及其混合物。还原性掺杂剂层可以用作电荷产生层以制备具有两个或更多个发光层并且发射白光的电致发光装置。为了形成本公开的有机电致发光装置的每一层，可以使用干膜形成方法，如真空蒸发、溅镀、等离子体以及离子电镀方法；或湿膜形成方法，如喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝涂布、旋转涂布、浸渍涂布以及流动涂布方法，但不限于此。当使用湿膜形成方法时，可以通过将形成每一层的材料溶解或扩散至任何合适的溶剂中来形成薄膜，所述溶剂如乙醇、氯仿、四氢呋喃、二恶烷等。溶剂可以是形成每一层的材料可以溶解或扩散并且不存在膜形成能力问题的任何溶剂。在下文中，将参考本公开的代表性化合物详细地解释本公开的化合物的制备方法以及包含所述化合物的装置的性质。然而，本公开不受以下实例限制。实例1制备化合物C-731)制备制备化合物1-1在将20g化合物A(81.2mmol)、26.8g双(频哪醇合)二硼烷(105mmol)、2.8g双(三苯基膦)二氯化钯(II)(4mmol)、16g乙酸钾(162mmol)和400mL1,4-二恶烷引入到反应容器中后，将混合物在140℃下搅拌过夜。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并且然后用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥萃取的有机层后，用旋转蒸发器去除溶剂。之后，将所得产物通过柱色谱纯化以获得15.4g化合物1-1(77％)。2)制备化合物1-2在将14g化合物1-1(56.6mmol)、6.1mL2-溴苯胺(54mmol)、2.6g四(三苯基膦)钯(2.3mmol)、19.6g碳酸钾(142mmol)、280mL甲苯、70mL乙醇和70mL蒸馏水引入到反应容器中后，将混合物在120℃下搅拌5小时。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并且然后用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥萃取的有机层后，用旋转蒸发器去除溶剂。之后，将所得产物通过柱色谱纯化以获得8.6g化合物1-2(59％)。3)制备化合物1-3在将8.3g化合物1-2(32mmol)、4.3mL1-氯-2-碘苯(35mmol)、289mg乙酸钯(II)(1.3mmol)、1.27mL三叔丁基膦(2.6mmol)、6.2g叔丁醇钠(64mmol)和160mL邻二甲苯引入到反应容器中后，将混合物在160℃下搅拌2小时。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并且然后用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥萃取的有机层后，用旋转蒸发器去除溶剂。之后，将所得产物通过柱色谱纯化以获得3.4g化合物1-3(29％)。4)制备化合物1-4在将3.4g化合物1-3(9.2mmol)、1g乙酸钯(II)(4.6mmol)、4.3mL三叔丁基膦(9.2mmol)、12g碳酸铯(36.8mmol)和60mL邻二甲苯引入到反应容器中后，将混合物在16℃下搅拌2小时。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并且然后用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥萃取的有机层后，用旋转蒸发器去除溶剂。之后，将所得产物通过柱色谱纯化以获得1.2g化合物1-4(40％)。5)制备化合物2-1在将10g化合物B(31mmol)、13.2g1-溴-4-碘苯(46mmol)、855mg三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.9mmol)、757mg三(邻甲苯基)膦(2.5mmol)、6g叔丁醇钠(62mmol)和310mL甲苯引入到反应容器中后，将混合物在120℃下搅拌4小时。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并且然后用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥萃取的有机层后，用旋转蒸发器去除溶剂。之后，将所得产物通过柱色谱纯化以获得7g化合物2-1(47％)。6)制备化合物C-73在将2.7g化合物1-4(8.1mmol)、4.6g化合物2-1(9.7mmol)、223mg三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.2mmol)、198mg三(邻甲苯基)膦(0.6mmol)、1.6g叔丁醇钠(16mmol)和80mL甲苯引入到反应容器中后，将混合物在120℃下搅拌2小时。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并且然后用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥萃取的有机层后，用旋转蒸发器去除溶剂。之后，将所得产物通过柱色谱纯化以获得4g化合物C-73(61％)。MWUVPLM.P.C-73727.9393nm459nm258℃实例2：制备化合物C-7在将3.1g通过与实例1中相同的方法制备的化合物1-4(9.3mmol)、2.6g3-溴-1,1'-联苯(11.2mmol)、256mg三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.28mmol)、227mg三(邻甲苯基)膦(0.74mmol)、1.8g叔丁醇钠(18.6mmol)和93mL甲苯引入到反应容器中后，将混合物在120℃下搅拌3小时。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并且然后用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥萃取的有机层后，用旋转蒸发器去除溶剂。之后，将所得产物通过柱色谱纯化以获得2.8g化合物C-7(62％)。MWUVPLM.P.C-7484.6307nm395nm274℃实例3：制备化合物C-91在将3.5g通过与实例1中相同的方法制备的化合物1-4(10.5mmol)、4.9g的2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(12.6mmol)、385mg三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.4mmol)、256mg三(邻甲苯基)膦(0.8mmol)、2.0g叔丁醇钠(21mmol)和90mL的甲苯引入到反应容器中后，将混合物在130℃下搅拌2小时。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并用旋转蒸发器去除溶剂。之后，将所得产物通过柱色谱纯化以获得2.4g化合物C-91(36％)。MWUVPLM.P.C-91640.10308nm428nm198℃实例4：制备化合物C-92在将2.7g通过与实例1中相同的方法制备的化合物1-4(8.1mmol)、3.9g的2-(4-溴-1-萘基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(8.9mmol)、300mg三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.3mmol)、333mg2-二氯己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(0.8mmol)、2.0g叔丁醇钠(21mmol)和41mL邻二甲苯引入反应容器中后，将混合物在150℃下搅拌2小时。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并用旋转蒸发器去除溶剂。之后，将所得产物通过柱色谱纯化以获得3.0g化合物C-92(54％)。MWUVPLM.P.C-92690.10390nm457nm318℃在下文中，将详细解释包含本公开的化合物的有机发光二极管(OLED)装置的发光性质。装置实例1-1：通过共蒸发本公开的第一和第二主体化合物来制造OLED装置通过使用根据本公开的有机电致发光化合物制造OLED装置。依次用丙酮、乙醇和蒸馏水对用于OLED装置的玻璃衬底上的透明电极氧化铟锡(ITO)薄膜(10Ω/sq)(日本吉奥马科技株式会社(GEOMATECCO.,LTD.,Japan))进行超声波洗涤，且然后储存于异丙醇中。然后将ITO衬底安装在真空气相沉积设备的衬底固持器上。将化合物HI-1引入到真空气相沉积设备的单元中，且然后将所述设备的腔室中的压力控制到10-6托。之后，向所述单元施加电流以使上述引入的材料蒸发，由此在ITO衬底上形成厚度为80nm的第一空穴注入层。接下来，将化合物HI-2引入到真空气相沉积设备的另一个单元中，并且通过向所述单元施加电流蒸发，由此在第一空穴注入层上形成厚度为5nm的第二空穴注入层。然后，将化合物HT-1引入到所述真空气相沉积设备的另一单元中，并且通过向所述单元施加电流而蒸发，由此在第二空穴注入层上形成厚度为10nm的第一空穴传输层。然后，将化合物HT-2引入到所述真空气相沉积设备的另一单元中，且通过向所述单元施加电流到来蒸发，由此在所述第一空穴传输层上形成厚度为30nm的第二空穴传输层。在形成空穴注入层和空穴传输层之后，如下在其上形成发光层：将化合物C-7和化合物B-51分别引入到所述真空气相沉积设备的一个单元中作为主体，并将化合物D-1引入到另一个单元作为掺杂剂。两种主体化合物以1:1的相同速率蒸发，而掺杂剂以与主体化合物不同的速率蒸发，使得掺杂剂以按主体和掺杂剂的总量计15重量％的掺杂量沉积，以在空穴传输层上形成厚度为40nm的发光层。然后将化合物ET-1和EI-1引入到另外两个单元中，且分别以4:6的速率蒸发以在发光层上形成厚度为35nm的电子传输层。在将化合物EI-1沉积为电子传输层上的厚度为2nm的电子注入层之后，通过另一真空气相沉积设备沉积厚度为80nm的Al阴极。由此制造OLED装置。用于制造OLED装置的每种材料通过10-6托的真空升华来纯化。比较例1-1：制造包含第二主体化合物作为唯一主体的OLED装置除了仅使用化合物B-51作为发光层的主体之外，与装置实例1-1中相同的方式制造OLED装置。比较例1-2：制造包含常规化合物作为主体的OLED装置除了以下之外，以与装置实例1-1中相同的方式制造OLED装置：通过使用化合物CBP作为主体并且化合物D-1作为掺杂剂在第二空穴传输层上沉积厚度为40nm的发光层；沉积化合物Balq作为厚度为10nm的空穴阻挡层；并且之后，将化合物ET-1和化合物EI-1引入到另外两个单元中，并以4:6的比率蒸发以在发光层上形成厚度为25nm的电子传输层。下表1中提供了在装置实例1-1以及比较例1-1和1-2中制备的OLED装置在1000尼特的亮度下的驱动电压、发光效率、功率效率和CIE色坐标。[表1]装置实例2-1：通过共蒸发本公开的第一和第二主体化合物来制造OLED装置除了使用化合物D-13作为掺杂剂，并且使用下表2中所示的第一和第二主体化合物作为主体之外，以与装置实例1-1中相同的方式制造OLED装置。比较例2-1：制造包含第二主体化合物作为唯一主体的OLED装置除了仅使用化合物B-51作为发光层的主体之外，以与装置实例2-1中相同的方式制造OLED装置。比较例2-2：制造包含常规化合物作为主体的OLED装置除了以下之外，以与装置实例2-1中相同的方式制造OLED装置：通过使用化合物CBP作为主体并且D-13作为掺杂剂，在第二空穴传输层上沉积厚度为40nm的发光层；沉积化合物Balq作为厚度为10nm的空穴阻挡层；并且之后，将化合物ET-1和化合物EI-1引入到另外两个单元中，并以4:6的比率蒸发以在发光层上形成厚度为25nm的电子传输层。下表2中提供了在装置实例2-1以及比较例2-1和2-2中制造的OLED装置在1000尼特的亮度下的驱动电压、发光效率、功率效率和CIE色坐标。[表2]装置实例3-1：通过蒸发本公开的主体化合物来制造OLED装置除了以下以外，以与装置实例1-1中相同的方式制造OLED装置：将化合物C-91引入到真空气相沉积设备的一个单元中作为主体，并将化合物D-13引入到另一个单元中细胞作为掺杂剂。而掺杂剂以与主体化合物不同的速率蒸发，使得掺杂剂以按主体和掺杂剂的总量计15重量％的掺杂量沉积，以在第二空穴传输层上形成厚度为40nm的发光层。比较例3-1：制造包含常规化合物作为主体的OLED装置除了以下之外，以与装置实例3-1中相同的方式制造OLED装置：通过使用化合物CBP作为主体并且化合物D-13作为掺杂剂在第二空穴传输层上沉积厚度为40nm的发光层；沉积化合物Balq作为厚度为10nm的空穴阻挡层；并且之后，将化合物ET-1和化合物EI-1引入到另外两个单元中，并以4:6的比率蒸发以在发光层上形成厚度为25nm的电子传输层。下表3中提供了在装置实例3-1和比较例3-1中制造的OLED装置在1000尼特的亮度下的驱动电压、发光效率、功率效率和CIE色坐标。[表3]装置实例4-1：通过蒸发本公开的主体化合物来制造OLED装置除了以下之外，以与装置实例1-1中相同的方式制造OLED装置：将化合物C-91引入到真空气相沉积装置的一个单元中作为主体，并将化合物D-74引入到另一个单元中作为掺杂剂。掺杂剂以与主体化合物不同的速率蒸发，使得掺杂剂以按主体和掺杂剂的总量计10重量％的掺杂量沉积，以在第二空穴传输层上形成厚度为40nm的发光层。比较例4-1：制造包含常规化合物作为主体的OLED装置除了以下之外，以与装置实例4-1中相同的方式制造OLED装置：通过使用化合物CBP作为主体并且化合物D-74作为掺杂剂在第二空穴传输层上沉积厚度为40nm的发光层；沉积化合物Balq作为厚度为10nm的空穴阻挡层；并且之后，将化合物ET-1和化合物EI-1引入到另外两个单元中，并以4:6的比率蒸发以在发光层上形成厚度为25nm的电子传输层。下表4中提供了在装置实例4-1和比较例4-1中制造的OLED装置的基于10mA/cm2的的驱动电压、发光效率、功率效率和CIE色坐标。[表4]从以上表1至4可以看出，与使用常规发光材料的OLED装置相比，包含本公开化合物作为主体的OLED装置不仅具有优异的亮度性质，而且还通过降低驱动电压和增加发光和功率效率来改善功耗。比较例5-1：制造不包含电子缓冲层的蓝色发光OLED装置OLED装置制造如下：依次用丙酮、乙醇和蒸馏水对用于OLED装置的玻璃衬底上的透明电极氧化铟锡(ITO)薄膜(日本吉奥马科技株式会社)(10Ω/sq)进行超声波洗涤，且然后储存于异丙醇中。接下来，将ITO衬底安装在真空蒸气相沉积设备的衬底夹持器上。将化合物HI-1引入到真空气相沉积设备的单元中，并且然后将设备腔室中的压力控制为10-7托。之后，向所述单元施加电流以使引入的材料蒸发，由此在ITO衬底上形成厚度为60nm的第一空穴注入层。然后，将化合物HI-2引入到真空气相沉积设备的另一个单元中，且向所述单元施加电流以蒸发引入的材料，由此在第一空穴注入层上形成厚度为5nm的第二空穴注入层。将化合物HT-1引入到真空气相沉积设备的另一个单元中。之后，向所述单元施加电流以蒸发引入的材料，由此在第二空穴注入层上形成厚度为20nm的第一空穴传输层。然后，将化合物HT-3引入到真空气相沉积设备的另一个单元中，且向所述单元施加电流以蒸发引入的材料，由此在第一空穴传输层上形成厚度为5nm的第二空穴传输层。在形成空穴注入层和空穴传输层之后，然后在其上沉积发光层。将化合物BH-1作为主体引入到真空气相沉积设备的一个单元中，并且将BD-1作为掺杂剂引入到设备的另一个单元中。两种材料以不同速率蒸发，并且掺杂剂以按主体和掺杂剂的总重量计2重量％的掺杂量沉积，以在第二空穴传输层上形成厚度为20nm的发光层。接下来，将化合物ET-2作为电子传输材料引入到真空气相沉积设备的一个单元中，并将化合物EI-1引入到真空气相沉积设备的另一个单元中。两种材料以相同速率蒸发并且分别以50重量％的掺杂量沉积以在发光层上形成厚度为35nm的电子传输层。在将化合物EI-1沉积为电子传输层上的厚度为2nm的电子注入层之后，通过另一真空气相沉积设备沉积厚度为80nm的Al阴极。由此制造OLED装置。用于制造OLED装置的所有材料通过10-6托的真空升华来纯化。装置实例5-1和5-2：制造包含本公开化合物作为电子缓冲材料的蓝色发光OLED装置除了将电子传输层的厚度减小至25nm并且将厚度为5nm的电子缓冲层插入发光层和电子传输层之间之外，以与比较例5-1中相同的方式制造OLED装置。下表5中提供了在比较例5-1已经装置实例5-1和5-2中制造的OLED装置在1000尼特的亮度下的驱动电压、发光效率和CIE色坐标。[表5]从以上表5可以看出，与不包含电子缓冲材料的OLED装置相比，包含本公开化合物作为电子缓冲材料的OLED装置通过降低驱动电压和增加发光效率来改善功耗。下表6中提供了装置实例和比较实中所用的化合物。[表6]当前第1页1 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