技术特征：
技术总结
本发明属于光学晶体材料领域，具体涉及一种{[Ni(H2O)4(phen)]SO4(C3H8N2O)}晶体材料及其制备方法和应用。所述晶体材料分子式为C15H24N4O9SNi，分子量为495.15，密度为1.404g/cm3，F(000)＝1032，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为α＝90°，β＝100.67(12)°，γ＝90°，晶胞体积为晶胞内分子数Z＝4。所述晶体材料作为滤波材料可用于制作晶体滤波元件。
技术研发人员：庄欣欣;黄博文;叶李旺;许智煌
受保护的技术使用者：中国科学院福建物质结构研究所
技术研发日：2018.11.20
技术公布日：2019.03.12