含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置的制作方法

1.本技术属于有机发光材料技术领域，具体提供一种含氮化合物以及包含其的有机电致发光器件和电子装置。


背景技术：

2.随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。近年来，有机电致发光器件(oled)作为新一代显示技术逐渐进入人们的视野。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向发光层移动，阳极侧的也向发光层移动，两者在发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，从激发态释放能量变为基态释放能量的过程对外发光。目前，有机电致发光器件仍存在性能差的问题，尤其是如何在保证器件具有较低驱动电压和较高发光效率的情况下，又能提高器件的使用寿命，仍是亟需解决的问题。


技术实现要素：

3.针对现有技术存在的上述问题，本技术的目的在于提供一种含氮化合物，以及包含其的有机电致发光器件和电子装置。该含氮化合物用于有机电致发光器件中，可提高器件的性能。
4.为了实现上述目的，本技术第一方面提供一种含氮化合物，具有如式1所示的结构：
[0005][0006]
式1中，x1～x3相同或不同，且各自独立地选自c(h)或n，且至少一个为n；
[0007]
l、l1和l2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6-30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0008]
ar1和ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6-40的取代或未取代的芳基、碳原子数为5-40的取代或未取代的杂芳基；
[0009]
ar1、ar2、l、l1和l2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原
子数为6-18的芳基、碳原子数为5-18的杂芳基、碳原子数为3-10的环烷基；任选地，在ar1、ar2中，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为3-15的饱和或不饱和环。
[0010]
本技术第二方面提供一种有机电致发光器件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；其中，所述功能层包含本技术第一方面所述的含氮化合物。
[0011]
本技术第三方面提供一种电子装置，包括本技术第二方面所述的有机电致发光器件。
[0012]
本技术的含氮化合物中，以7-氧杂-7h-苯并[de]蒽的5号和6号位上以特定位置稠合吲哚所形成的结构为母核，该母核结构具有较强的共轭效应，结合母核上含有的o和n原子，使得原子间的键能较高，母核整体具有较好的空穴传输能力，进一步在母核中的n原子上引入三嗪类等缺电子的电子输注基团，这种组合使得化合物具有较高的t1能级，能减小空穴传输层与发光层间的界面效应所造成的电荷累积，并且三嗪类基团与该母核在空间上具有适当的旋转角度，可改善化合物的稳定性。因此，本技术的含氮化合物作为主体材料用于有机电致发光器件中，能进一步提高器件的发光效率和使用寿命。
附图说明
[0013]
图1是本技术一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0014]
图2是本技术一种实施方式的电子装置的结构示意图。
[0015]
附图标记说明
[0016]
100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；400、电子装置。
具体实施方式
[0017]
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解地是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0018]
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本技术将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本技术的实施方式的充分理解。
[0019]
在本技术中，所采用的描述方式“各
……
独立地为”与
“……
分别独立地为”和
“……
独立地选自”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如，“其中，各q独立地为0、1、2或3，各r”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式q-1表示苯环上有q个取代基r”，各个r”可以相同也可
以不同，每个r”的选项之间互不影响；式q-2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基r”，两个苯环上的r”取代基的个数q可以相同或不同，各个r”可以相同也可以不同，每个r”的选项之间互不影响。
[0020]
在本技术中，术语“任选”、“任选地”意味着随后所描述的事件或者环境可以但不必发生，该说明包括该事情或者环境发生或者不发生的场合。例如，“任选地，任意两个相邻的取代基形成环”意味着任意的两个取代基可以形成环但不是必须形成环，其包括：两个相邻的取代基形成环的情景和两个相邻的取代基不形成环的情景。
[0021]
在本技术中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为rc)。例如，“取代或未取代的芳基”是指具有取代基rc的芳基或者非取代的芳基。其中上述的取代基即rc例如可以为氘、卤素基团、氰基、杂芳基、芳基、烷基、卤代烷基、环烷基、三烷基硅基等。在本技术中，“取代的”官能团可以被上述rc中的1个或2个以上所取代；当同一个原子上连接有两个取代基rc时，这两个取代基rc可以独立地存在或者相互连接以与所述原子形成环；当官能团上存在两个相邻的取代基rc时，相邻的两个取代基rc可以独立地存在或者与其所连接的官能团稠合成环。
[0022]
在本技术中，“任意两个相邻的取代基形成碳原子数为3-15的饱和或不饱和环”中，所形成的饱和环例如可以为环戊烷环己烷所形成的不饱和环例如可以为苯环、萘环或芴环
[0023]
在本技术中，取代或未取代的官能团的碳原子数，指的是所有碳原子数。举例而言，若l1为碳原子数为12的取代的亚芳基，则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为12。再比如：ar1为则其碳原子数为10；l为其碳原子数为12。
[0024]
在本技术中，芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即，除非另有说明，通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本技术的芳基。其中，稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基中不含有b、n、o、s、p、se和si等杂原子。需要说明地是，联苯基、芴基在本技术中均视为芳基。芳基的实例可以包括但不限于，苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、基等。
[0025]
在本技术中，取代的芳基可以是芳基中的一个或者两个以上的氢原子被诸如氘、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、三烷基硅基、卤代烷基、烷基、环烷基等基团取代。应当理解地是，取代的芳基的碳原子数，指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数，例如碳原子数为18的取代的芳基，指的是芳基及其取代基的总碳原子数为18。另外，本技术中，芴基可以是取代的，当具有两个取代基时，两个取代基可以彼此结合形成螺结构。取代的芴基的具体
实例包括但不限于，
[0026][0027]
在本技术中，涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
[0028]
在本技术中，取代或未取代的芳基的碳原子数可以为6-40。例如，取代或未取代的芳基的碳原子数可以为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30等。
[0029]
在本技术中，杂芳基是指环中包含1个、2个、3个、4个、5个或更多个杂原子的一价芳香环或其衍生物，杂原子可以是b、o、n、p、si、se和s中的至少一种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基，换言之，杂芳基可以是单个芳香环体系，也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系，且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地，杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及n-苯基咔唑基、n-吡啶基咔唑基、n-甲基咔唑基等，而不限于此。其中，噻吩基、呋喃基、菲咯啉基等为单个芳香环体系类型的杂芳基，n-苯基咔唑基为通过碳碳键共轭连接的多环体系类型的杂芳基。本技术中，涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个或多个氢原子所形成的二价或更高价的基团。
[0030]
在本技术中，取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上的氢原子被诸如氘、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基等基团取代。应当理解地是，取代的杂芳基的碳原子数，指的是杂芳基和杂芳基上的取代基的碳原子总数。
[0031]
在本技术中，取代或未取代的杂芳基的碳原子数可以为5-40。例如，取代或未取代的杂芳基的碳原子数可以为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30等。
[0032]
本技术中，不定位连接键是指从环体系中伸出的单键其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置，另一端连接化合物分子其余部分。举例而言，如下式(f)中所示地，式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(f-1)～式(f-10)所示出的任一可能的连接方式。
[0033]
[0034]
再举例而言，如下式(x')中所示地，式(x')所表示的二苯并呋喃基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(x'-1)～式(x'-4)所示出的任一可能的连接方式。
[0035][0036]
本技术中的不定位取代基，指的是通过一个从环体系中央伸出的单键连接的取代基，其表示该取代基可以连接在该环体系中的任何可能位置。例如，如下式(y)中所示地，式(y)所表示的取代基r'通过一个不定位连接键与喹啉环连接，其所表示的含义，包括如式(y-1)～式(y-7)所示出的任一可能的连接方式。
[0037][0038]
在本技术中，烷基的碳原子数可以为1-10，具体可以为1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，烷基可以包括直链烷基和支链烷基。烷基的具体实例包括但不限于，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、正己基、庚基、正辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3,7-二甲基辛基等。
[0039]
在本技术中，卤素基团可以包括氟、碘、溴、氯。
[0040]
在本技术中，作为取代基的芳基的碳原子数可以为6-18，碳原子数具体如为6、10、12、13、14、15、16、18等，芳基的具体实例包括但不限于，苯基、萘基、联苯基、菲基、蒽基、芴基等。
[0041]
在本技术中，作为取代基的杂芳基的碳原子数可以为5-18，碳原子数具体例如为5、8、9、10、12、13、14、15、18等，杂芳基的具体实例包括但不限于，吡啶基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等。
[0042]
在本技术中，作为取代基的三烷基硅基的碳原子数可以为3-12，例如为3、6、7、8、9等，三烷基硅基的具体实例包括但不限于，三甲基硅基、乙基二甲基硅基、三乙基硅基等。
[0043]
在本技术中，作为取代基的环烷基的碳原子数可以为3-10，例如为5、6、8或10，环烷基的具体实例包括但不限于，环戊基、环己基、金刚烷基等。
[0044]
在本技术中，作为取代基的卤代烷基的碳原子数可以为1-10。例如卤代烷基可以为碳原子数为1-5的氟代烷基。卤代烷基的具体实例包括但不限于，三氟甲基。
[0045]
第一方面，本技术提供一种含氮化合物，结构如式1所示：
[0046][0047]
式1中，x1～x3相同或不同，且各自独立地选自c(h)或n，且x1～x3中的至少一个为n；
[0048]
l、l1和l2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6-30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0049]
ar1和ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6-40的取代或未取代的芳基、碳原子数为5-40的取代或未取代的杂芳基；
[0050]
ar1、ar2、l、l1和l2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为6-18的芳基、碳原子数为5-18的杂芳基、碳原子数为3-10的环烷基；任选地，在ar1、ar2中，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为3-15的饱和或不饱和环。
[0051]
本技术中，x1～x3中的一个、两个或三个可以为n原子。在一种实施方式中，x1～x3中的两个为n原子，剩余一个为c(h)，例如，x1和x3为n，x2为c(h)；或者x1和x2为n，x3为c(h)；或者x2和x3为n，x1为c(h)。在另一种实施方式中，x1～x3均为n原子。
[0052]
可选地，ar1和ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6-25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5-20的取代或未取代的杂芳基。例如，ar1和ar2可以各自独立地选自：碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25的取代或未取代的芳基，碳原子数为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的杂芳基。
[0053]
在一种具体的实施方式中，ar1选自碳原子数为10-25的取代或未取代的芳基、碳原子数为12-20的取代或未取代的杂芳基，ar2选自碳原子数为6-20的取代或未取代的芳基、碳原子数为5-18的取代或未取代的杂芳基。
[0054]
可选地，ar1和ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的氟代烷基、碳原子数为3-7的三烷基硅基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为5-10的环烷基；任选地，在ar1、ar2中，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为5-15的饱和或不饱和环。例如，ar1和ar2中的取代基的具体实例包括但不限于，氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三甲基硅基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、环戊基、环己基。
[0055]
在一些实施方式中，ar1和ar2相同或不同，且各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基。
[0056]
可选地，ar1、ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁
基、三氟甲基、三甲基硅基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、环戊基、环己基；任选地，ar1、ar2中，任意两个相邻的取代基形成苯环、环戊烷、环己烷或芴环。
[0057]
在一种实施方式中，ar1和ar2相同或不同，且各自独立地选自取代或未取代的基团z，未取代的基团z选自以下基团所组成的组：
[0058][0059]
取代的基团z中具有一个或两个以上取代基，各取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三甲基硅基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基，当取代基的个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0060]
可选地，ar1选自以下基团所组成的组：
[0061][0062]
在一种具体的实施方式中，ar1选自以下基团所组成的组：
[0063][0064][0065]
可选地，ar2选自以下基团所组成的组：
[0066][0067]
在一种具体的实施方式中，ar2选自以下基团所组成的组：
[0068][0069]
可选地，l、l1和l2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6-20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为12-18的取代或未取代的亚杂芳基。
[0070]
还可选地，l、l1和l2可以各自独立地选自：单键，碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的亚芳基，碳原子数为5、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18的取代或未取代的亚杂芳基。
[0071]
可选地，l、l1和l2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的氟代烷基、碳原子数为3-7的三烷基硅基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基。例如，l、l1和l2中的取代基可以各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三甲基硅基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
[0072]
在一些实施方式中，l、l1和l2相同或不同，且各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚咔唑基。
[0073]
可选地，l、l1和l2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三甲基硅基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
[0074]
在一种实施方式中，l选自单键、取代或未取代的基团v，未取代的基团v选自以下基团所组成的组：
[0075][0076]
取代的基团v中具有一个或两个以上取代基，且取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三甲基硅基、苯基、萘基；当取代基的个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0077]
可选地，l选自单键或者以下基团所组成的组：
[0078][0079]
进一步可选地，l选自单键或以下基团所组成的组：
[0080][0081]
在一种实施方式中，l1和l2相同或不同，且各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基，l1和l2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、异丙基、叔丁基、三氟甲基或苯基。
[0082]
可选地，l1和l2相同或不同，且各自独立地选自单键或以下基团所组成的组：
[0083][0084]
在一种实施方式中，l为单键，中，ar1和l1的总碳原子数不小于10，优选为10-30，例如，ar1和l1的总碳原子数为10、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30。
[0085]
在一种优选的实施方式中，ar1为取代或未取代的基团q，其中，未取代的基团q的结构如下所示：
[0086]
y选自o、s、c(rarb)、n(ar)或n，ra和rb各自独立地选自氢、甲基或苯基；任选地，ra和rb与共同连接的c原子形成环戊烷、环己烷或芴环；ar为碳原子数为6-12的芳基，例如为苯基、萘基、联苯基；
[0087]
取代的基团q中包括一个或两个以上取代基，各取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基，当取代基的个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0088]
可选地，l1为单键或亚苯基。
[0089]
可选地，ar1选自以下基团所组成的组：
[0090][0091]
在一种优选的具体实施方式中，选自以下基团所组成的组：
[0092]
[0093][0094]
在另一种具体的实施方式中，选自以下基团所组成的组：
[0095]
[0096][0097]
可选地，所述含氮化合物选自以下化合物所组成的组：
[0098]
[0099]
[0100]
[0101]
[0102]
[0103]
[0104]
[0105]
[0106]
[0107]
[0108]
[0109][0110]
本技术对提供的含氮化合物的合成方法没有特别限定，本领域技术人员可以根据本技术的含氮化合物结合合成例部分提供的制备方法确定合适的合成方法。换言之，本发明的合成例部分示例性地提供了含氮化合物的制备方法，所采用的原料可通过商购获得或本领域熟知的方法获得。本领域技术人员可以根据这些示例性的制备方法得到本技术提供
的所有含氮化合物，在此不再详述制备该含氮化合物的所有具体制备方法，本领域技术人员不应理解为对本技术的限制。
[0111]
本技术第二方面提供一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极，以及设置在所述阳极与所述阴极之间的功能层，其中，所述功能层可以含有本技术第一方面所述的含氮化合物。
[0112]
本技术所提供的含氮化合物可以用于形成功能层中的至少一个有机膜层，以改善有机电致发光器件的寿命等特性。
[0113]
可选地，功能层包括有机发光层，所述有机发光层包含本技术所提供的含氮化合物。
[0114]
可选地，所述有机电致发光器件可以为绿光器件、红光器件或蓝光器件。
[0115]
在一种优选的实施方式中，所述有机电致发光器件为红光器件。
[0116]
按照一种实施方式，所述有机电致发光器件可以包括依次层叠设置的阳极100、空穴传输层320、作为能量转化层的有机发光层330、电子传输层340和阴极200。本技术提供的含氮化合物可以应用于有机电致发光器件的有机发光层330，以有效改善有机电致发光器件的性能。
[0117]
可选地，所述有机发光层330包含主体材料和客体材料，注入有机发光层330的空穴和注入有机发光层330的电子可以在有机发光层330复合而形成激子，激子将能量传递给主体材料，主体材料将能量传递给客体材料，进而使得客体材料能够发光。所述主体材料可以包含本技术的含氮化合物。
[0118]
所述有机发光层330的客体材料可参照现有技术选择，例如可以选自铱(iii)有机金属络合物、铂(ii)有机金属络合物、钌(ii)络合物。具体地，所述客体材料可以选自以下化合物的至少一种：
[0119][0120]
在一种具体的实施方式中，所述客体材料为rd-1，即ir(piq)2(acac)。
[0121]
可选地，阳极100包括以下阳极材料，其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数，work function)材料。阳极材料的具体实例包括：金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)；组合的金属和氧化物，例如如zno:al或sno2:sb；或导电聚合物，如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](pedt)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物，indiumtin oxide)(ito)作为阳极的透明电极。
[0122]
本技术中，所述空穴传输层320的材料可以选自酞菁衍生物、萘菁衍生物、卟啉衍生物、联苯胺型三芳胺、苯乙烯胺型三芳胺、二胺型三芳胺或者其他类型的材料，本领域技术人员可参照现有技术选择。例如，所述空穴传输层的材料选自以下化合物所组成的组：
[0123]
[0124][0125]
本技术中，所述空穴传输层320可以为一层或两层结构。可选地，如图1所示，所述空穴传输层320包括层叠设置的第一空穴传输层321和第二空穴传输层322，其中，所述第一空穴传输层321相对所述第二空穴传输层322更靠近所述阳极100。在一种具体的实施方式中，所述第一空穴传输层321由ht-8组成，所述第二空穴传输层322由ht-14组成。
[0126]
可选地，电子传输层340可以为单层结构，也可以为多层结构，其可以包括一种或者多种电子传输材料，电子传输材料通常可以包含金属络合物和/或含氮杂环衍生物，其中，所述金属络合物材料例如可以选自liq、alq3、bepq2等；所述含氮杂环衍生物可以为具有含氮六元环或五元环骨架的芳香族环、具有含氮六元环或五元环骨架的稠合芳香族环化合物等，具体实例包括但不限于，bcp、bphen、nbphen、dbimibphen、bimibphen等1,10-菲咯啉类化合物，或者结构如下所示的含杂氮芳基的蒽类化合物、三嗪类或嘧啶类化合物。在一种具体的实施方式中，所述电子传输层340包含liq和bimibphen。
[0127]
[0128][0129]
可选地，阴极200包括以下阴极材料，其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括：金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金；或多层材料如lif/al、liq/al、lio2/al、lif/ca、lif/al和baf2/ca，但不限于此。优选包括包含镁和银的金属电极作为阴极。
[0130]
可选地，如图1所示，在阳极100和第一空穴传输层321之间还可以设置有空穴注入层310，以增强向第一空穴传输层321注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料，本技术对此不做特殊的限制。例如，空穴注入层310可以选自以下化合物所组成的组：
[0131][0132]
在一种具体的实施方式中，空穴注入层310的材料为ppdn。
[0133]
可选地，如图1所示，在阴极200和电子传输层340之间还可以设置有电子注入层350，以增强向电子传输层340注入电子的能力。电子注入层350可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料，或者可以包括碱金属与有机物的络合物。例如，电子注入层350的材料可以选自lif、nacl、csf、li2o、bao、liq、nacl、csf、cs2co3、na、li、ca、al、yb中的一种或两种以上等。在一种具体的实施方式中，所述电子注入层350的材料可以包括liq或yb。
[0134]
第三方面，本技术提供一种电子装置，该电子装置包括上述有机电致发光器件。
[0135]
如图2所示，所述电子装置为电子装置400，电子装置400可以为显示装置、照明装
置、光通讯装置或者其他类型的电子装置，例如可以包括但不限于电脑屏幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。
[0136]
下面通过实施例来进一步说明本发明，但是本发明并不因此而受到任何限制。
[0137]
本技术中未提到合成方法的化合物可通过商业途径获得的原料产品。
[0138]
1、中间体im i的合成
[0139][0140]
(1)向装有机械搅拌、温度计、冷凝管的三口烧瓶通氮气10min后(2l/min)，加入原料sub a-1(105mmol，14.69g)、原料subb-1(100mmol，23.71g)、碳酸钾(200mmol，27.60g)、甲苯(200ml)、乙醇(50ml)和水(50ml)，开启搅拌；升温至40～45℃，加入二氯二叔丁基-(4-二甲基氨基苯基)膦钯(0.1mmol，0.07g)，继续升温至60～65℃并反应2h。反应液降温至25℃后，分液，水相加入甲苯(50ml)萃取，合并有机相，水洗2次，所得有机相用无水硫酸钠干燥，过滤，有机相负压浓缩至干，加入乙醇(50ml)，过滤，烘干，得中间体im i-1(23.21g，收率92.0％)。
[0141][0142]
(2)向装有机械搅拌、温度计、冷凝管的三口烧瓶通氮气10min后(2l/min)，加入中间体im i-1(90mmol,22.7g)和thf(160ml)，开启搅拌，降温至-25至-20℃，滴加正丁基锂的正己烷溶液(108mmol，54ml)，滴加完毕后保温2h，滴加1,2-二溴乙烷(108mmol，20.29g)，滴加完毕保温2h。加入水(100ml)和二氯甲烷(100ml)，分液，水相再用50ml二氯甲烷萃取，合并有机相，水洗2次，加入无水硫酸钠干燥，过滤，有机相浓缩至干，用乙醇(100ml)重结晶，烘干，得中间体im i-2(23.18g，收率77.8％)。
[0143][0144]
(3)向装有机械搅拌、温度计、冷凝管的三口瓶通氮气10min后(2l/min)，依次加入im i-2(60mmol，19.87g)和二氯甲烷(100ml)，开启搅拌。降温至-5～0℃，滴加三溴化硼(90mmol，22.55g)，滴加完毕保温3h，加入水(100ml)，分液，有机相继续水洗2次，有机相加入无水硫酸钠干燥，过滤，有机相浓缩至干，得中间体im i-3(18.39g，收率96.6％)。
[0145][0146]
(4)向装有机械搅拌、温度计、冷凝管的三口瓶通氮气10min后(2l/min)，依次加入im i-3(50mmol，15.86g)、dmf(90ml)和碳酸铯(100mmol，32.58g)，开启搅拌。升温至90～100℃保温5h，加入水(100ml)和二氯甲烷(100ml)，分液，水相再用二氯甲烷(50ml)萃取，合并有机相继续水洗2次，有机相加入无水硫酸钠干燥，过滤，有机相浓缩至干，加入石油醚(100ml)重结晶，烘干得中间体im i-4(13.37g，收率90％)。
[0147][0148]
(5)向装有机械搅拌、温度计、冷凝管的三口瓶通氮气10min后(2l/min)，依次加入im i-4(40mmol，11.88g)、原料sub c-1(42mmol，5.36g)、叔丁醇钠(80mmol，7.68g)、pd2(dba)3(0.4mmol，0.37g)、x-phos(1mmol，0.48g)和甲苯(80ml)，开启搅拌。继续用氮气置换2次，升温至90～100℃保温2h，加入水(50ml)，分液，水相再用甲苯(50ml)萃取，合并有机相继续水洗2次，有机相加入无水硫酸钠，过滤，有机相浓缩至剩余30ml，冷却室温，过滤，烘干，得中间体im i-5(11.00g，收率80％)。
[0149][0150]
(6)向装有机械搅拌、温度计、冷凝管的三口瓶通氮气10min后(2l/min)，依次加入im i-5(30mmol，10.31g)、碳酸铯(60mmol，19.55g)、三环己基膦四氟硼酸盐(3mmol，1.11g)、醋酸钯(1.5mmol，0.34g)和n,n-二甲基乙酰胺(80ml)，开启搅拌。升温至130～140℃保温10h，加入水(400ml)，过滤，固体用正庚烷过80～90℃保温柱，过柱液浓缩至剩余50ml，冷却室温，过滤，烘干，得中间体im i(5.07g，收率55％)。
[0151]
2、化合物的合成
[0152]
合成例1：化合物4的合成
[0153]
[0154]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，依次加入原料sub d-1(11mmol，3.78g)、中间体im i(10mmol，3.07g)和dmf(30ml)，开启搅拌，室温分批加入nah(12mmol，2.88g)，加完后继续反应4h。加水(20ml)和二氯甲烷(30ml)，分液，水相再用二氯甲烷(20ml)萃取1次。合并有机相用水洗2次，再用无水硫酸钠干燥，过滤，有机相浓缩至干，加入甲苯(10ml)重结晶，过滤，烘干，得化合物4(5.23g，收率85％)，质谱m/z＝615.2[m+h]
+
；核磁数据：1h nmr(cdcl3,400mhz):δppm 8.55(d,1h),8.43-8.39(m,3h),8.26(d,1h),8.17(d,1h),8.01(d,1h),7.92(s,1h),7.83-7.78(m,4h),7.62-7.58(m,3h),7.53-7.47(m,7h),7.36(s,1h),7.28-7.24(m,3h)。
[0155]
合成例2-20
[0156]
参考化合物4方法合成表1所列的化合物，不同的是，用表1所示的原料a代替sub d-1，所合成化合物及其收率、质谱表征结果见表1。
[0157]
表1
[0158]
[0159]
[0160]
[0161][0162]
3、中间体im-ax的合成
[0163]
以中间体im-a1为例，说明中间体im-ax的合成：
[0164][0165]
向装有机械搅拌、温度计、冷凝管的三口烧瓶通氮气10min后(2l/min)，加入原料sub e-1(20mmol，6.88g)、原料sub f-1(21mmol，3.29g)、碳酸钾(60mmol，8.28g)、甲苯(60ml)、乙醇(20ml)和水(20ml)，开启搅拌并升温至40～45℃，加入四(三苯基膦)钯(0.2mmol,0.23g)，继续升温至60～65℃反应8h。反应液降温至25℃，过滤，烘干，得中间体im-a1(7.14g，收率85.2％)。
[0166]
参照im-a1的方法合成其他im-ax，不同的是，以原料b代替sub e-1，以原料c代替sub f-1，所采用的主要原料，合成的中间体及其收率如表2所示。
[0167]
表2
[0168]
[0169]
[0170][0171]
4、化合物的合成
[0172]
合成例21：化合物133的合成
[0173][0174]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换
15min，依次加入im-a1(11mmol，4.62g)、im i(10mmol，3.07g)、碳酸钾(20mmol，2.76g)、氯化亚铜(5mmol，0.5g)和dmf(40ml)，开启搅拌，升温至130～135℃，保温反应12h。加水(20ml)和二氯甲烷(30ml)，分液，水相再用二氯甲烷(20ml)萃取1次。合并有机相并用水洗2次，再用无水硫酸钠干燥，过硅胶柱，有机相浓缩至干，加入甲苯(15ml)重结晶，过滤，烘干，得化合物133(5.45g，收率79％)，质谱：m/z＝691.2[m+h]
+
。
[0175]
合成例22-40
[0176]
参照化合物133的方法合成表3所列的化合物，不同的是，以表3所示的原料d代替im-a1，所合成的化合物及其收率、质谱表征结构如表3所示。
[0177]
表3
[0178]
[0179]
[0180]
[0181][0182]
另外，化合物166的核磁数据为：1h nmr(cdcl3,400mhz):δppm 8.53(d,1h),8.27(s,1h),8.23(dd,2h),8.12(d,1h),8.03-7.99(m,4h),7.87-7.81(m,6h),7.78-7.73(m,5h),7.68-7.59(m,5h),7.38(s,1h),7.27-7.19(m,6h)。
[0183]
有机电致发光器件制备及评估实施例
[0184]
红色有机电致发光器件的制备
[0185]
实施例1
[0186]
通过以下过程制备有机电致发光器件：将ito厚度为的基板切割成40mm(长)
×
40mm(宽)
×
0.7mm(厚)的尺寸，采用光刻工序，将其制备成具有阴极、阳极以及绝缘层图案的实验基板，用紫外臭氧以及o2:n2等离子进行表面处理，以增加阳极的功函数，并采用有机溶剂清洗ito基板表面，以清除ito基板表面的杂质及油污。
[0187]
在实验基板(阳极)上真空蒸镀ppdn以形成厚度为的空穴注入层(hil)，并且在空穴注入层(hil)上真空蒸镀ht-8，以形成厚度为的第一空穴传输层(htl1)。
[0188]
在第一空穴传输层(htl1)上蒸镀ht-14，形成厚度为的第二空穴传输层(htl2)。
[0189]
在第二空穴传输层上，将化合物4作为主体材料，按照100:3的膜厚比同时掺杂ir(piq)2(acac)，形成厚度为的有机发光层(eml)。
[0190]
将bimibphen和liq以1∶1的重量比进行混合，并蒸镀在有机发光层(eml)上，形成厚的电子传输层(etl)。将liq蒸镀在电子传输层上以形成厚度为的电子注入层(eil)。
[0191]
将镁(mg)和银(ag)以1∶9的蒸镀速率混合，真空蒸镀在电子注入层上，形成厚度为的阴极。此外，在上述阴极上蒸镀厚度为的cp-1，形成覆盖层(cpl)，从而完成有机
发光器件的制造。
[0192]
实施例2-实施例40
[0193]
除了在形成有机发光层时，分别使用表4中所示的化合物替代化合物4作为主体材料以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
[0194]
比较例1-比较例4
[0195]
除了在形成有机发光层时，分别使用化合物a、化合物b、化合物c、化合物d替代化合物4作为主体材料之外，利用与实施例1相同的方法制造有机电致发光器件。
[0196]
实施例和对比例中，制备有机电致发光器件的主要材料的结构式如下所示：
[0197][0198]
对实施例和比较例所制备的有机电致发光器件进行性能测试，其中，在10ma/cm2的条件下分析器件的ivl性能，在15ma/cm2的条件下分析器件的t95寿命，测试结果如表4所示。
[0199]
表4
[0200]
[0201][0202]
结合表4的结果可知，在色坐标相当的情况下，以本技术的含氮化合物作为发光主体材料的实施例1-40制备的有机电致发光器件与分别使用化合物a～d作为发光主体材料的比较例1-4制备的器件相比，实施例1-40制备的有机电致发光器件在能维持器件驱动电压较低的情况下，进一步提高器件的使用寿命和发光效率，具体来讲，与比较例1-4相比，实
施例1-40所制备的器件的使用寿命至少提高了11.1％，电流效率至少提高了13.2％。另外，由实施例1-40可知，当本技术的化合物结构中三嗪类基团上的取代基包括二苯并五元环结构时，所制备的有机电致发光器件具有更高的使用寿命。
[0203]
以上结合附图详细描述了本技术的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。