专利名称：锗酸盐上转换发光的荧光粉及其制备方法和应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种荧光粉，尤其涉及一种锗酸盐上转换发光的荧光粉及其制备方法和应用。
背景技术：
OLED的全称Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管。它有很多的优势，其组件结构简单，生产成本便宜，自发光的特性，加上OLED的反应时间短，更有可弯曲的特性，让它的应用范围极广。但由于目前得到稳定高效的OLED蓝光材料比较困难，极大的限制了白光OLED器件及光源行业的发展。上转换荧光材料能够在长波(如红外)辐射激发下发射出可见光，甚至紫外光，在光纤通讯技术、纤维放大器、三维立体显示、生物分子荧光标识、红外辐射探测等领域具有广泛的应用前景。但制备成荧光粉应用于OLED的领域，仍鲜见报道。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种可由红外、红绿光等长波长辐射激发出蓝光发射的锗酸盐上转换发光的荧光粉。一种锗酸盐上转换发光的荧光粉，其结构式为aGe02-bSi02:cNd3+ ;其中，Nd3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，O. 65彡a彡O. 75,0. 25彡b彡O. 35,0. 002彡c彡O. 018，且a+b+c = I ;优选，a = O. 692、b = O. 3、c = O. 008。本发明的另一目的在于提供上述锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，包括如下步骤 步骤S1、按照摩尔百分数，称取粉体GeO2,68. 2 % 69. 8% ;Si02，25 % 35 % ；Nd2O3,0. 2% O. 18% ；步骤S2、将步骤SI称取的粉体混合、研磨20 60分钟，获得粉料前驱体；步骤S3、将步骤S2的粉料前驱体于800 1000°C下煅烧O. 5 5小时，随后降温至100 300°C，并在此温度下保温O. 5 3小时后冷却至室温，获得块状产物；步骤S4、将步骤S3中的块状产物进行研磨，获得所述锗酸盐上转换发光的荧光粉；该荧光粉的结构式为aGe02-bSi02:cNd3+ ;其中，Nd3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，O. 65 彡 a 彡 O. 75,0. 25 彡 b 彡 O. 35,0. 002 彡 c 彡 O. 018，且 a+b+c = I。上述锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法中步骤SI 中，优选，a = O. 692, b = 0.3、c = O. 008 ；步骤S2中，所述粉体的研磨时间为40分钟；步骤S3中，所述煅烧过程的煅烧温度为900°C，煅烧时间为3小时；煅烧过程结束后，所述保温过程的温度为200°C，保温时间为2小时。本发明的又一目的在于提供上述锗酸盐上转换发光的荧光粉在有机发光二极管中的应用，主要是用作有机发光二极管的发光层材料。这些荧光粉是在是做好单色(如红光)的有机发光二极管做成之后，把荧光粉混在封装材料中涂在有机发光二极管外面，受到红光的激发，辐射出蓝光。本发明制备的锗酸盐上转换发光的荧光粉，可实现由红外至绿光的长波辐射激发出蓝光短波发光。因此，该荧光粉可弥补目前显示和发光材料中蓝光材料的不足。另外，本发明提供的锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法简单，成本低廉适用于生产化，反应过程无工业三废，属绿色环保，低能耗，高效益产业。
图1为本发明的锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备工艺流程图；图2为实施例1制得的锗酸盐上转换发光的荧光粉的电致发光光谱图；图3为实施例4的有机发光二极管的结构示意图。
具体实施例方式本发明提供的一种锗酸盐上转换发光的荧光粉，其结构式为aGe02-bSi02:cNd3+ ；其中，Nd3+为掺杂离子，aGe02-bSi02的体系是一种能够让Nd3+实现光能转换的基质a、b、c为摩尔系数，O. 65彡a彡O. 75、0· 25彡b彡O. 35、0· 002彡c彡O. 018，且a+b+c = I ;优选，a = O. 692、b = O. 3、c = O. 008。本发明制备的锗酸盐上转换发光的荧光粉，可实现由红外至绿光的长波辐射激发出蓝光短波发光。因此，该荧光粉可弥补目前显示和发光材料中蓝光材料的不足。上述锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，如图1所示，包括如下步骤
步骤S1、按照摩尔百分数，称取粉体GeO2,68. 2% 69. 8% ;Si02，25 % 35 % ；Nd2O3,0. 2% O. 18% ；步骤S2、将步骤SI称取的粉体混合、研磨20 60分钟，获得粉料前驱体；步骤S3、将步骤S2的粉料前驱体于800 1000°C下煅烧O. 5 5小时，随后降温至100 300°C，并在此温度下保温O. 5 3小时后冷却至室温，获得块状产物；步骤S4、将步骤S3中的块状产物进行研磨，获得所述锗酸盐上转换发光的荧光粉；该荧光粉的结构式为aGe02-bSi02:cNd3+ ;其中，Nd3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，
O.65 彡 a 彡 O. 75,0. 25 彡 b 彡 O. 35,0. 002 彡 c 彡 O. 018，且 a+b+c = I。上述锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法中步骤SI 中，优选，a = O. 692, b = 0.3、c = O. 008 ；步骤S2中，所述粉体的研磨时间为40分钟；步骤S3中，所述煅烧过程的煅烧温度为900°C，煅烧时间为3小时；煅烧过程结束后，所述保温过程的温度为200°C，保温时间为2小时。本发明提供的锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法简单，成本低廉适用于生产化，反应过程无工业三废，属绿色环保，低能耗，高效益产业。上述锗酸盐上转换发光的荧光粉在有机发光二极管中的应用，主要是用作有机发光二极管的发光层材料。这些荧光粉是在是做好单色(如红光)的有机发光二极管做成之后，把荧光粉混在封装材料中涂在有机发光二极管外面，受到红光的激发，辐射出蓝光。下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
实施例11、选用纯度为99.99%的粉体<602，SiO2和Nd2O3粉体，其摩尔百分数分别为69. 2%、30%和 O. 8% ；2、将上述粉体置于刚玉研钵中，研磨40分钟使其均匀混合，获得粉体前驱体；3、将粉体前驱体置于马弗炉中，在900°C下灼烧3小时，然后冷却到200°C保温2小时，再自然冷却到室温取出块状产物，4、将块状产物研磨、粉碎，得到结构式为O. 692Ge02-0. 3Si02:0. 008Nd3+上转换荧光粉。图2为实施例1制得的锗酸盐上转换发光的荧光粉的电致发光光谱图；由图2可知，激发波长为586nm ;得到的469nm的发光峰对应的是Nd3+离子2P3/2 — 4I1572的跃迁辐射发光。实施例21、选用纯度为99. 99 %的粉体Ge02，SiO2和Nd2O3粉体，其摩尔百分数分别为69. 8%、30%和 O. 2% ；2、将上述粉体置于刚玉研钵中研磨20分钟使其均匀混合，获得粉体前驱体；3、将粉体前驱体置于马弗炉中，在800°C下灼烧5小时，然后冷却到100°C保温3小时，再自然冷却到室温取出块状产物；
4、将块状产物研磨、粉碎，得到结构式为O. 698Ge02-0. 3Si02:0. 002Nd3+上转换荧光粉。实施例31、选用纯度为99. 99 %的粉体Ge02，SiO2和Nd2O3粉体，其摩尔百分数分别为68. 2%、30%和1. 8% ；2、将上述粉体置于刚玉研钵中研磨60分钟使其均匀混合，获得粉体前驱体；3、将粉体前驱体置于马弗炉中，在1000°C下灼烧O. 5小时，然后冷却到300°C保温O. 5小时，再自然冷却到室温取出块状产物；4、将块状产物研磨、粉碎，得到结构式为O. 682Ge02-0. 3Si02:0. 018Nd3+上转换荧光粉。实施例4本实施例4为有机发光二极管，请参阅图3，该有机发光二极管的结构为依次层叠的基板1、阴极2、有机发光层3、透明阳极4以及透明封装层5 ;其中，透明封装层5中分散有实施例1中制得的荧光粉6。该有机发光二极管使用时，有机发光层3的部分红光激发突光粉6发出蓝光,该蓝光与发光层3中剩余的红光混合后激发出白光。应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种锗酸盐上转换发光的荧光粉，其特征在于，该荧光粉的结构式为aGe02_bSi02:cNd3+ ;其中，Nd3+ 为掺杂离子，a、b、c 为摩尔系数,0. 65 ≤ a ≤ 0. 75、.0. 25 ≤ b≤ 0. 35,0. 002 ≤ c ≤ 0. 018，且 a+b+c = I。
2.根据权利要求1所述的锗酸盐上转换发光的荧光粉，其特征在于，a=0. 692、b =.0. 3、c = 0. 008。
3.一种锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 步骤S1、按照摩尔百分数，称取粉体GeO2,68. 2% 69. 8% ;Si02，25% 35% ；Nd2O3,.0. 2% 0. 18% ； 步骤S2、将步骤SI称取的粉体混合、研磨20 60分钟，获得粉料前驱体； 步骤S3、将步骤S2的粉料前驱体于800 1000°C下煅烧0. 5 5小时，随后降温至100 300°C，并在此温度下保温0. 5 3小时后冷却至室温，获得块状产物； 步骤S4、将步骤S3中的块状产物进行研磨，获得所述锗酸盐上转换发光的荧光粉；该突光粉的结构式为aGe02-bSi02:cNd3+ ;其中，Nd3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，.0. 65 ≤ a≤ 0. 75,0. 25 ≤ b ≤ 0. 35,0. 002 ≤ c ≤ 0. 018，且 a+b+c = I。
4.根据权利要求3所述的锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤SI 中，a = 0. 692、b = 0. 3、c = 0. 008。
5.根据权利要求3所述的锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述粉体的研磨时间为40分钟。
6.根据权利要求3所述的锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述煅烧过程的煅烧温度为900°C，煅烧时间为3小时。
7.根据权利要求3所述的锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S3中，煅烧过程结束后，所述保温过程的温度为200°C，保温时间为2小时。
8.权利要求1或2所述锗酸盐上转换发光的荧光粉在有机发光二极管中的应用。
全文摘要
本发明属于荧光粉领域，其公开了一种锗酸盐上转换发光的荧光粉及其制备方法和应用；该荧光粉的结构式为aGeO2-bSiO2:cNd3+；其中，Nd3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，0.65≤a≤0.75、0.25≤b≤0.35、0.002≤c≤0.018，a+b+c＝1。本发明制备的锗酸盐上转换发光的荧光粉，可实现由红外至绿光的长波辐射激发出蓝光短波发光。因此，该荧光粉可弥补目前显示和发光材料中蓝光材料的不足。
文档编号C09K11/66GK103059845SQ20111032032
公开日2013年4月24日 申请日期2011年10月19日 优先权日2011年10月19日
发明者周明杰, 王平, 陈吉星, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司