本发明涉及红色荧光体和使用前述红色荧光体的发光构件以及发光装置。更详细而言，涉及可以优选用于led(也称为发光二极管)或ld(也称为激光二极管)的、亮度高的红色荧光体和使用前述红色荧光体的发光构件以及发光装置。
背景技术：
白色led是通过半导体发光元件与荧光体的组合而发出伪白光的器件，作为其代表性的例子，已知有蓝色led与yag黄色荧光体的组合。然而，该方式的白色led虽然按照其色度坐标值落入白色区域，但由于红色发光成分不足，存在照明用途中演色性低、液晶背光这种图像显示装置中色彩再现性差的问题。因此，为了弥补不足的红色发光成分，专利文献1提出了与yag荧光体一起并用发出红色的氮化物或氮氧化物荧光体。
作为发出红色的氮化物荧光体，以具有与caalsin3(一般也记为casn)相同的晶体结构的无机化合物作为基质晶体、并用例如eu2+等光学活性的元素对其进行活化的荧光体作为casn系荧光体是已知的。专利文献2中记载了用eu2+对casn的基质晶体进行活化而制成的荧光体(即eu活化casn荧光体)以高亮度发光。由于casn荧光体的发光色即使在红色区域也包括大量更长波长侧的光谱成分，因此能够实现高且具有深度的演色性，但另一方面，由于发光率(luminosityfactor)低的光谱成分也增多，因此作为白色led用，寻求更进一步的亮度提高。
此外，专利文献2中关于用eu2+对将前述caalsin3的ca的一部分进一步用sr置换而成的(sr，ca)alsin3进行了活化的荧光体(一般也称为eu活化scasn荧光体)进行了记载。该eu活化scasn荧光体与该casn荧光体相比，发光峰值波长进一步移动至短波长侧，发光率高的区域的光谱成分增加，因此存在亮度提高的倾向，认为有希望作为高亮度白色led用的红色荧光体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-071726号公报
专利文献2：国际公开第2005/052087号
技术实现要素：
发明要解决的问题
但是，对于scasn荧光体而言，sr含有率越多，发光峰值波长越向短波长侧移动，并且发光光谱的半值宽度越变窄。因此，由半值宽度变窄带来亮度提高，但另一方面，由于向短波长侧移动，因此如casn荧光体那样存在无法实现具有深度的演色性的问题。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，通过在eu活化scasn荧光体中规定eu含有率、sr含有率和ca含有率为特定的组成范围，且为了表现特定值以上的内部量子效率而具有晶体缺陷少的结构，从而能够减小发光光谱的半值宽度，且将发光峰值波长控制在封装化后表现具有深度的演色性的范围，从而完成了本发明。因此，如果将该荧光体用于发光装置，则能够实现高亮度化而不会损害演色性。
即，本发明的实施方式可以提供以下方案。
(1)红色荧光体，其特征在于，
该红色荧光体的主晶相具有与caalsin3相同的晶体结构、该红色荧光体的主晶相的通式由malsin3表示，
前述通式中的m为包含选自eu、sr、mg、ca、ba中的以eu、sr和ca作为必需元素的至少3种以上元素的元素组，eu含有率为4.5质量％以上且7.0质量％以下，sr含有率为34.0质量％以上且42.0质量％以下，ca含有率为0.8质量％以上且3.0质量％以下，
由455nm的波长的光激发时的内部量子效率为71％以上。
(2)根据(1)所述的红色荧光体，其吸收从紫外线到可见光的区域的光，在发光峰值波长为635nm～650nm的范围发光，且发光光谱的半值宽度为80nm以下。
(3)根据(1)或(2)所述的红色荧光体，其中，前述通式中的m为包含eu、sr和ca的元素组。
(4)一种发光构件，其包含(1)～(3)中的任一项所述的红色荧光体。
(5)一种发光装置，其具有(4)所述的发光构件。
(6)一种红色荧光体的制造方法，其特征在于，
该红色荧光体的主晶相具有与caalsin3相同的晶体结构、该红色荧光体的主晶相的通式由malsin3表示，
制造方法包括下述工序：
将原料混合的混合工序、以及
对混合工序后的原料进行煅烧来形成红色荧光体的煅烧工序，
前述通式中的m为包含选自eu、sr、mg、ca、ba中的以eu、sr和ca作为必需元素的至少3种以上元素的元素组，
在得到的前述红色荧光体中，eu含有率为4.5质量％以上且7.0质量％以下，sr含有率为34.0质量％以上且42.0质量％以下，ca含有率为0.8质量％以上且3.0质量％以下，
得到的前述红色荧光体的、由455nm的波长的光激发时的内部量子效率为71％以上。
(7)根据(6)所述的制造方法，其中，得到的前述红色荧光体吸收从紫外线到可见光的区域的光，在发光峰值波长为635nm～650nm的范围发光，且发光光谱的半值宽度为80nm以下。
(8)根据(6)或(7)所述的制造方法，其中，在前述煅烧工序之后还包括实施退火煅烧的退火处理工序。
(9)根据(8)所述的制造方法，其中，前述退火处理工序在非活性气体气氛下、温度1100℃以上且1650℃以下、压力0.65mpag以下的条件下进行。
发明的效果
根据本发明的实施方式，能够提供亮度高的eu活化scasn系荧光体，能够通过与led等发光光源组合来提供高亮度且高演色性的发光构件(也称为发光元件)。此外，在本发明的实施方式中进一步还能够提供具有高亮度且高演色性的发光构件以及容纳发光构件的器具的发光装置。作为这种发光装置，例如可列举出照明装置、背光装置、图像显示装置和信号装置。
具体实施方式
以下，对本发明的具体实施方式进行详细说明。在本说明书中，在没有特别声明的情况下，数值范围包括其上限值和下限值。
本发明的实施方式的红色荧光体是主晶相具有与caalsin3相同的晶体结构、该红色荧光体的主晶相的通式由malsin3表示的荧光体。荧光体的主晶相是否为与caalsin3晶体相同的晶体结构可以通过粉末x射线衍射进行确认。在晶体结构与caalsin3不同的情况下，发光色不再是红色，或亮度大幅降低，因此不优选。因此，本红色荧光体优选为尽量不混入除前述主晶相以外的晶相(也称为异相)的单相，但在不对荧光体特性产生大的影响的情况下，包括异相也无妨。
前述通式malsin3中的m为包含选自eu、sr、mg、ca、ba中的以eu、sr和ca作为必需元素的至少3种以上元素的元素组。另外，应注意的是，虽然前述通式中的m没有标出表示原子个数的下标，但这只是由于元素种类的选择具有一定范围而出于方便的记载，并非表示其为1。
此外，本红色荧光体为了获得期望的特性，需要相对于荧光体的组成整体的eu含有率为4.5质量％以上且7.0质量％以下、sr含有率为34.0质量％以上且42.0质量％以下、且ca含有率为0.8质量％以上且3.0质量％以下，如果不满足该条件，则会产生亮度和演色性变差的问题。在优选的实施方式中，eu含有率可以采用5.0质量％以上且7.0质量％以下的范围、更优选为5.0质量％以上且6.7质量％以下的范围。在优选的实施方式中，sr含有率可以采用34.0质量％以上且41.0质量％以下的范围、更优选为36.0质量％以上且40.0质量％以下的范围。在优选的实施方式中，ca含有率可以采用0.8质量％以上且2.9质量％以下的范围、更优选为0.8质量％以上且2.8质量％以下的范围。或者，在特定的实施方式中，通过使ca含有率为0.8质量％以上且1.0质量％以下、进一步优选为0.8质量％以上且0.9质量％以下，也能够发挥减少晶体缺陷的效果。
eu是负责荧光体的发光的原子、即发光中心，因此如果含有率极少(例如含有率小于4.5质量％)，则作为荧光体的亮度会不充分，且发光峰值波长会向短波长侧移动，因此无法实现具有深度的演色性。然而，如果为本发明所规定的eu的含有率，则在保持高的亮度的同时发光峰值波长向长波长侧移动，因此得到在封装后呈高演色性的635nm～650nm范围的发光峰值波长，因而优选。一直以来，如果eu的含有率过高(例如含有率超过7.0质量％)，则不固溶于荧光体而在合成中挥发，或eu会固溶于sr2si5n8等异相等，出于上述理由，难以使过量的eu固溶于scasn荧光体。此外，如果eu的含有率过高，则出于下述理由也会产生亮度降低的倾向：1)会发生由eu原子间的能量转移导致的、作为荧光体的浓度猝灭而为人所知的损失现象，2)由于结晶性缺陷等的生成，反而出现荧光体的亮度降低的倾向。与此相对，本发明的实施方式通过(例如通过特定的退火条件下的退火处理、特定的元素组成)减少晶体缺陷，可以不降低荧光体的亮度地提高eu的含有率。
如果sr含有率小于34.0质量％，则随着发光光谱变宽，荧光体的亮度降低，此外，如果超过42.0质量％，则发光峰值波长会向短波长侧大幅移动，因此无法实现具有深度的演色性。此外，如果ca含有率小于0.8质量％，则发光峰值波长会向短波长侧大幅移动，因此无法实现具有深度的演色性，如果超过3.0质量％，则会产生荧光体的亮度降低随着发光光谱变宽而越发显著的问题。
需要说明的是，本红色荧光体中有时作为不可避免的成分会包含微量的氧(o)，在不损害作为荧光体的特性的情况下，不会构成问题，在本红色荧光体中，可以调节m元素的含有率、si/al比、n/o比等，以在维持晶体结构的同时在整体上保持电中性。
本红色荧光体的发光光谱的半值宽度窄对于获得高发光强度而言是优选的。半值宽度例如优选为80nm以下，更优选为78nm以下，进一步优选为76nm以下。如果半值宽度超过80nm，则得到的荧光体的发光强度有时会降低。
在优选的实施方式中，本红色荧光体能够具有晶体缺陷少的结构，由此发挥将蓝色区域的光效率良好地转换成红色光的效果。虽不希望以特定的理论加以约束，但为了得到晶体缺陷少的结构，例如可考虑通过在制造荧光体时在煅烧工序之后进行退火(处理)工序、在元素组成中将ca的量抑制在0.8～1.0质量％左右等来实现。晶体缺陷少可以通过内部量子效率来定量评价。在本红色荧光体中，需要由455nm的波长的光激发时的内部量子效率为71％以上，可以采用优选为73％以上、更优选为75％以上。如果内部量子效率小于71％，则存在亮度降低的问题。
此外，本红色荧光体以微粒的形态使用，如果其中值粒径(也记为d50)太小，则存在荧光亮度降低的倾向，如果太大，则存在于led的发光面搭载荧光体后的发光色的色度产生不均、或产生发光色的颜色不均的倾向，因此d50优选为1μm以上且50μm以下。需要说明的是，前述d50是依据jisr1622：1995和r1629：1997根据用激光衍射散射法测得的体积平均粒径算出的值。
进而，本红色荧光体优选用激光衍射散射法测得的体积基准的粒径分布中的10体积％径(也记为d10)为4μm以上、90体积％径(也记为d90)为55μm以下。
本红色荧光体的制造方法需要包括将原料混合的混合工序、以及对混合工序后的原料进行煅烧来形成红色荧光体的煅烧工序。在优选的实施方式中，可以在煅烧工序后还包括实施退火煅烧的退火处理工序。
将原料混合的混合工序中，作为原料，适宜使用构成红色荧光体的元素的氮化物，即氮化钙、氮化硅、氮化铝、氮化锶、氮化铕的粉末，也可以使用这些元素的氧化物。例如，作为荧光体中的含有率非常少的铕源，使用比氮化铕更易购得的氧化铕的粉末也无妨。
将前述原料混合的方法没有特别限定，特别是会与空气中的水分和氧剧烈反应的氮化钙、氮化锶、氮化铕在用非活性气氛进行了置换的手套箱内处理来制成原料混合粉末，进而原料混合粉末向煅烧容器的填充也在手套箱内实施是合适的。此外，优选从手套箱取出填充有原料混合粉末的煅烧容器后迅速安放于煅烧炉内开始煅烧。
对混合工序后的原料进行煅烧来形成红色荧光体的煅烧工序中，气氛、煅烧温度没有特别限定，例如通常可以在氮气气氛中、1600℃以上且2000℃以下、优选为1700℃以上且2000℃以下的条件下对原料混合粉末进行煅烧。如果煅烧温度低于1600℃，则未反应残留量增多，如果超过2000℃，则有时与caalsin3相同晶体结构的主相会分解而不优选。
此外，上述煅烧工序中的原料混合粉末的煅烧时间没有特别限定，可以适当选择不产生存在大量的未反应物、或晶粒生长不足、或生产率降低这些不利情况的煅烧时间的范围，一般优选为2小时以上且24小时以下。
关于上述煅烧工序中的气氛的压力，将气氛压力设定得越高，可以使荧光体的分解温度也越高，考虑到工业生产率，优选采用小于1mpag(表压)。气氛压力例如可以采用0.7mpag以上、优选为0.8mpag以上。
需要说明的是，煅烧工序中使用的煅烧容器优选由在高温的氮气气氛下稳定且不易与原料混合粉末及其反应产物反应的材质构成，可列举出氮化硼制、例如钼、钽、钨等高熔点金属制、碳制等的容器。此外，煅烧容器优选带盖的容器。
通过煅烧得到的红色荧光体的状态根据原料配方、煅烧条件而为粉体状、块状、烧结体等多种多样。在用作作为实际的发光装置中使用的发光构件的荧光体的情况下，将破碎、粉碎和/或分级操作组合，将荧光体制成规定尺寸的粉末。在适宜作为led用荧光体使用的情况下，优选将荧光体的平均粒径调整至5～35μm。需要说明的是，破碎、粉碎和/或分级操作可以在煅烧工序后、退火工序后、或其他工序后适当进行。
在上述退火工序中，优选气氛压力在真空或非活性气体气氛下为0.65mpag以下的范围。如果气氛压力超过0.65mpag，则有时会无法减少在煅烧时产生的晶体缺陷而不优选。另一方面，一般将气氛压力设定得越低，越能够减少晶体缺陷，因此优选。通过减少晶体缺陷，可期待荧光体的高亮度化。此外，对于用作气氛气体的非活性气体，有氢气、氮气、氩气、氦气，特别优选氢气、氩气。
上述退火工序中的退火温度优选为1100℃以上且1650℃以下。如果退火温度低于1100℃，则无法减少在煅烧时产生的晶体缺陷，如果超过1650℃，则在真空或非活性气体气氛下0.65mpag以下的压力范围这一条件下，有时scasn的主相会分解，因此不优选。此外，退火工序的保持时间可以任意设定，而优选使保持时间长至能够表现出退火的效果的程度，例如可以设定为4～24小时的范围。
需要说明的是，退火工序中使用的容器优选由在高温的非活性气氛下稳定且不易与煅烧中得到的反应产物反应的材质构成，例如可列举出钼、钽、钨等高熔点金属制。此外，优选带盖的容器。
此外，在本红色荧光体的制造中，出于去除荧光体中的杂质的目的，可以在退火工序后进一步实施酸处理工序。
本发明的任何实施方式可以用包含本发明的红色荧光体的密封材料进行密封，例如可以用于与属于半导体发光元件的激发光源组合而得的发光构件，可以提供这种发光构件。进一步的实施方式还可以提供具有前述发光构件的发光装置。需要说明的是，本红色荧光体由于具有通过照射含有350nm以上且500nm以下的波长的紫外光、可见光而被激发并发出在波长635nm以上且650nm以下的波长区域具有峰的荧光的特性，因此作为前述半导体发光元件，优选使用紫外led或蓝色led。此外，在包含本红色荧光体的密封材料中可以根据需要而进一步加入发出绿色～黄色的荧光体和/或蓝色荧光体，由此在整体上得到白光。
实施例
进一步给出实施例来对本发明进行详细说明。不过，本发明并不仅仅限定于实施例所示的内容。
(比较例a1)
以下对实施例和比较例所示的本发明荧光体的制造方法、评价方法进行具体说明。比较例a1的荧光体是通过经由原料的混合工序和煅烧工序来制造的、是并未进行退火工序来制造的。
(制造方法)
作为比较例a1的荧光体的原料，预先将α型氮化硅粉末(si3n4、sn-e10级、宇部兴产株式会社制造)63.1g、氮化铝粉末(aln、e级、tokuyamacorporation制造)55.3g、氧化铕粉末(eu2o3、ru级、信越化学工业株式会社制造)14.3g预混合，接着，在保持为水分1质量ppm以下、氧分1质量ppm以下的氮气气氛的手套箱中进一步加入氮化钙粉末(ca3n2、materioncorporation制造)6.0g、氮化锶粉末(sr3n2、纯度2n、高纯度化学研究所株式会社制造)111.3g进行干式混合，得到原料混合粉末。将该原料混合粉末250g填充至钨制的带盖容器。
将填充有原料混合粉末的容器从手套箱取出，迅速安放于具备碳加热器的电炉内，对炉内充分进行真空排气至0.1pag以下。在持续真空排气的状态下开始加热，在到达600℃后向炉内导入氮气，使炉内气氛压力为0.9mpag。开始导入氮气后也持续升温至1950℃，在该煅烧的保持温度下进行8小时的煅烧，然后结束加热并冷却。
冷却至室温后，从容器回收的红色的块状物用研钵破碎，最终得到通过了筛孔75μm的筛子的粉末。
(晶体结构的确认)
对于所得荧光体，使用x射线衍射装置(rigakucorporation制造ultimaiv)，根据使用cukα射线的粉末x射线衍射图案确认其晶体结构。结果，所得比较例a1的荧光体的粉末x射线衍射图案中确认到与caalsin3晶体相同的衍射图案。
(eu、sr、ca的定量分析)
关于所得荧光体中的eu、sr、ca含有率，通过加压酸分解法溶解前述荧光体后，使用icp发射光谱分析装置(rigakucorporation制造、ciros-120)进行定量分析。结果，比较例a1的荧光体中的eu含有率为5.1质量％、sr含有率为40.0质量％、ca含有率为2.2质量％。
(半值宽度的评价)
半值宽度如下进行测定。首先，将反射率为99％的标准反射板(labsphere公司制造、csrt-99-020、spectralon)安装于积分球，使用光纤将从发光光源(xe灯)分光出455nm的波长的单色光导入该积分球。使用分光光度计(大塚电子株式会社制造、mcpd-7000)测定以该单色光作为激发源的激发光谱。此时，根据445～465nm的波长范围的光谱算出激发光光子数(qex)。接着，代替标准反射板，安装以表面平滑的方式填充至凹部的皿的荧光体，测定荧光体的荧光光谱，根据所得光谱数据得到半值宽度。结果，比较例a1的荧光体发出的发光光谱的半值宽度为75nm。
(荧光特性的评价)
荧光体的荧光特性使用利用罗丹明b和副标准光源进行了校正的分光荧光光度计(hitachihigh-technologiescorporation制造、f-7000)进行评价。测定使用光度计附带的固体试样架，求出激发波长455nm下的荧光光谱。结果，比较例a1的荧光体发出的荧光光谱的峰值波长为640nm。需要说明的是，由于荧光体的亮度会根据测定装置、条件而变化，因此设比较例a1的荧光光谱的峰强度的值为100％，作为其他实施例和比较例的评价基准。
(pkg(封装)特性评价)
将上述比较例a1的荧光体分别与luag黄色荧光体(接受波长455nm的激发光时的发光的峰值波长为535nm)一起添加至有机硅树脂，进行脱泡、混炼后，灌注(potting)于接合有峰值波长450nm的蓝色led元件的表面安装型的封装，进一步使其热固化，由此制作白色led。scasn荧光体与luag荧光体的添加量比以通电发光时白色led的色度坐标(x,y)为(0.45,0.41)的方式进行调节。
接着，利用大塚电子株式会社制造的总光通量测定装置(组合有直径300mm积分半球和分光光度计/mcpd-9800的装置)测定所得白色led。所得白色led封装的平均演色评价数(ra)为90。此外，设实施例1中的总光通量值的值为100％，作为其他实施例和比较例的评价基准。
(量子效率的评价)
内部量子效率如下进行测定。在常温下，在积分球(φ60mm)的侧面开口部(φ10mm)安装反射率为99％的标准反射板(labsphere公司制造、spectralon)。利用光纤将从发光光源(xe灯)分光出455nm的波长的单色光导入该积分球，利用分光光度计(大塚电子株式会社制造、mcpd-7000)测定反射光的光谱。此时，根据445～465nm的波长范围的光谱算出激发光光子数(qex)。接着，将以表面平滑的方式填充有荧光体的凹型的皿安装于积分球的开口部，照射波长455nm的单色光，利用分光光度计测定激发的反射光和荧光的光谱。根据所得光谱数据算出激发反射光光子数(qref)和荧光光子数(qem)。激发反射光光子数在与激发光光子数相同的波长范围算出，荧光光子数在465～800nm的范围算出。根据所得三种光子数求出外部量子效率(＝qem/qex×100)、吸收率(＝(qex-qref)/qex×100)、内部量子效率(＝qem/(qex-qref)×100)。
将比较例a1的荧光体的eu、sr、ca含有率、内部量子效率、荧光光谱的峰值波长和半值宽度、峰值发光强度、以及制成封装时的ra和总光通量值汇总于下述表1。
[表1]
(比较例a2～a7、实施例a1)
使用与比较例a1相同的原料粉末，改变荧光体中的eu、sr、ca含有率，除此之外，在与比较例a1相同的制造条件下制作比较例a2～a7、实施例a1的荧光体的粉末。所得样品的粉末x射线衍射图案中均确认到与caalsin3晶体相同的衍射图案。
根据上述表1所示的实施例、比较例的结果可知，将荧光体中的eu、sr、ca含有率规定为特定的范围的红色荧光体具有635nm～650nm范围的发光峰值波长且半值宽度为80nm以下、较窄。另一方面，如果为比较例a4、a5这种组成，则可实现635nm～650nm范围的发光峰值波长，但产生了半值宽度变宽的问题。此外还可知，如果为比较例a6、a7这种组成，则产生了发光峰值波长向比635nm更短的短波长侧移动的问题。
(实施例b1)
作为经由原料的混合工序、煅烧工序和退火工序来制造的荧光体，如下制造实施例b1。将比较例a1中得到的煅烧粉填充至钨容器，迅速安放于具备碳加热器的电炉内，对炉内充分进行真空排气至0.1pag以下。在持续真空排气的状态下开始加热，在到达600℃后向炉内导入氩气，使炉内气氛压力为0.2mpag。开始导入氩气后也持续升温至1300℃，升温后在1300℃下进行8小时的退火处理，然后结束加热并冷却。冷却至室温后，从容器回收，得到通过了筛孔75μm的筛子的粉末。将所得粉末作为实施例b1的荧光体。对于实施例b1的荧光体，与上述实施例a1同样，进行内部量子效率、峰值波长、半值宽度、峰值发光强度、封装特性的评价。需要说明的是，由于认为组成不会根据退火工序而变化，因此实施例b1的eu、sr、ca含有率与比较例a1同样。
将实施例b1的荧光体的荧光光谱的峰值波长和半值宽度、内部量子效率、峰强度、制成封装时的ra和总光通量值汇总于下述表2。
[表2]
(实施例b2～b4、比较例b1)
实施例b2～b4分别使用比较例a2、比较例a3、实施例a1中得到的煅烧粉末代替实施例b1中使用的煅烧粉末，除此之外，在与实施例b1相同的条件下制作。此外，比较例b1使用比较例a4中得到的煅烧粉末代替实施例b1中使用的煅烧粉末，除此之外，在与实施例b1相同的条件下制作。
(实施例b5、b6)
实施例b5、b6将退火处理的保持温度分别设定为1200℃、1500℃，除此之外，在与实施例b1相同的条件下制作。
(实施例b7、b8)
实施例b7、b8将退火处理时的炉内气氛压力分别设定为0.01mpag、0.6mpag，除此之外，在与实施例b1相同的条件下制作。
(实施例b9、b10)
实施例b9、b10将退火处理时的气氛气体分别采用氢气、氮气，除此之外，在与实施例b1相同的条件下制作。
(实施例b11)
实施例b11使用比较例a5中得到的煅烧粉末代替实施例b1中使用的煅烧粉末，除此之外，在与实施例b1相同的条件下制作。
(比较例b2、b3)
比较例b2、b3将退火处理时的保持温度分别设定为1000℃、1700℃，除此之外，在与实施例b1相同的条件下制作。
(比较例b4)
比较例b4将退火处理时的炉内气氛压力设定为0.7mpag，除此之外，在与实施例b1相同的条件下制作。
根据表2所示的实施例、比较例的结果可知，具有特定范围的元素组成和内部量子效率的scasn荧光体的发光强度和制成封装时的演色性相对较高。此外，根据表1、2还可知，特定组成范围的scasn荧光体如果实施退火处理，则发光强度大幅增加。此外，特别是对比未进行退火工序的比较例和进行了退火工序的实施例的话，可以确认到通过退火工序减少了晶体缺陷，内部量子效率飞跃性地提高，峰值发光强度也充分成功提高，而且演色性也未受损。再者还可了解到，在元素组成上ca的量为0.8～1.0质量％左右的量的情况下，即使不经由退火工序，内部量子效率也充分升高，减少了晶体缺陷。进而还可了解到，内部量子效率高但不满足规定的元素组成比的比较例a4、a7在半值宽度或封装特性(ra)上产生了问题。
产业上的可利用性
本scasn系红色荧光体由蓝光激发而显示高亮度的红色发光，此外，制成封装时显示高演色性，因此可以适宜地用作以蓝光作为光源的白色led用荧光体，可以适宜地用于照明器具、图像显示装置等的发光装置。