蓄冷剂的制作方法

文档序号:20496362发布日期:2020-04-21 22:25阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种蓄冷剂,含有

四正丁基铵离子、

银离子、

选自氟离子、氯离子和溴离子中的至少1种卤素离子、

水、和

以下化学式(i)所表示的至少1种羧酸根离子,

r-coo-(i)

其中,r表示烃基。

2.如权利要求1所述的蓄冷剂,所述至少1种羧酸根离子含有2种以上的羧酸根离子。

3.如权利要求1所述的蓄冷剂,所述至少1种羧酸根离子的碳原子数为1以上且10以下。

4.如权利要求3所述的蓄冷剂,所述至少1种羧酸根离子的碳原子数为1以上且7以下。

5.如权利要求4所述的蓄冷剂,所述至少1种卤素离子相对于所述银离子的摩尔比为5以上且20以下。

6.如权利要求5所述的蓄冷剂,所述至少1种卤素离子相对于所述银离子的摩尔比为7.5以上且15以下。

7.如权利要求1所述的蓄冷剂,所述至少1种羧酸根离子选自戊酸根离子、己酸根离子、庚酸根离子、甲基丁酸根离子、乙基丁酸根离子、甲基戊酸根离子、乙基戊酸根离子、丙基戊酸根离子、甲基己酸根离子、乙基己酸根离子、丙基己酸根离子和丁基己酸根离子。

8.如权利要求1所述的蓄冷剂,所述至少1种羧酸根离子选自戊酸根离子、庚酸根离子、甲基丁酸根离子和乙基丁酸根离子。

9.如权利要求1所述的蓄冷剂,所述蓄冷剂的熔点为3℃以上且10℃以下。

10.如权利要求9所述的蓄冷剂,所述蓄冷剂的熔点为4℃以上且7℃以下。

11.如权利要求9所述的蓄冷剂,满足以下数学式(i),

δt≤5开尔文(ii)

这里,δt表示所述蓄冷剂的熔点、与在过冷却状态下所述蓄冷剂开始自发结晶化的温度之差。

12.如权利要求11所述的蓄冷剂,δt为2开尔文以下。

13.如权利要求11所述的蓄冷剂,所述过冷却状态下蓄冷剂开始自发结晶化的温度为3℃以上且7℃以下。


技术总结
本发明提供适合用于冰箱、满足以下2个条件(I)和(II)的蓄冷剂。条件(I):蓄冷剂的熔点为3℃以上并且10℃以下;条件(II):蓄冷剂具有小过冷却度ΔT。本发明的蓄冷剂含有四正丁基铵离子、银离子、选自氟离子、氯离子和溴离子中的至少1种卤素离子、水和化学式R‑COO‑(R表示烃基)所表示的至少1种羧酸根离子。

技术研发人员:町田博宣;铃木基启
受保护的技术使用者:松下电器产业株式会社
技术研发日:2019.01.08
技术公布日:2020.04.21
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