技术特征：
1.一种掺钪氮化铝蚀刻液，其特征在于，按质量百分数计，包括碱性物质：12~20%、添加剂0.2-1.0%；表面活性剂0.05-0.1%，其余为水。2.根据权利要求1所述的掺钪氮化铝蚀刻液，其特征在于：所述碱性物质为氢氧化钾、氢氧化钠中的一种或两种的组合。3.根据权利要求2所述的氮化铝蚀刻液，其特征在于：所述碱性物质还包括碳酸钾、碳酸钠中的一种或两种，添加量占蚀刻液的0.01-0.1%。4.根据权利要求1所述的掺钪氮化铝蚀刻液，其特征在于：所述添加剂为次氯酸钠、次氯酸钾、硝酸钾、氯化钾、醋酸钠、edta二钠、过硫酸钾、氯化铝中的一种或几种的组合。5.根据权利要求1所述的掺钪氮化铝蚀刻液，其特征在于：所述表面活性剂为甜菜碱-12、十二烷基氯化吡啶、聚乙二醇、十八烷基硫酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚、硬脂酸钠中的一种或几种的组合。6.根据权利要求1所述的掺钪氮化铝蚀刻液，其特征在于：所述水为去离子水、蒸馏水、纯水或超纯水中的一种或多种。7.权利要求1~6任意一项所述的掺钪氮化铝蚀刻液在蚀刻具有掺钪氮化铝半导体材料中的应用。8.根据权利要求7中的应用，其特征在于：所述掺钪氮化铝蚀刻液用在以金属材料为基底的掺钪氮化铝层，蚀刻液包括碱性物质：12~15%、添加剂0.5-0.8%；表面活性剂0.05-0.1%，其余为水。9.根据权利要求7中的应用，其特征在于：所述掺钪氮化铝蚀刻液用在以非金属材料为基底的掺钪氮化铝层，蚀刻液包括碱性物质：16~18%、添加剂0.2-0.6%；表面活性剂0.05-0.15%，其余为水。10.根据权利要求7~9任意一项所述的应用，其特征在于：具体方法是将待蚀刻样品采用蚀刻液进行浸泡或喷淋方式蚀刻，后清洗干燥。
技术总结
本发明提供了一种掺钪氮化铝蚀刻液及其应用，该蚀刻液主要包含水、碱性物质、添加剂和表面活性剂；水和碱性物质首先提供了蚀刻液必要的基础碱性环境，添加剂提供了蚀刻必须的氧化性能与促进掺钪氮化铝水解的功能，表面活性剂优化蚀刻条件，在相同的蚀刻时间下，可以有效蚀刻掉半导体晶圆上的掺钪氮化铝。该蚀刻液生产工艺简单，原材料成本低且性能稳定，有利于工业化大规模生产，同时可以加快蚀刻速率，提高半导体成品的生产效率。提高半导体成品的生产效率。提高半导体成品的生产效率。
技术研发人员：冯帆 贺兆波 叶瑞 姜飞 张庭 班昌胜 冯凯 王书萍 杜程
受保护的技术使用者：湖北兴福电子材料有限公司
技术研发日：2022.06.30
技术公布日：2022/9/13