活性面贴付用切割膜及切割后被加工物拾取的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种活性面贴付用切割膜及切割后被加工物拾取的方法。
【背景技术】
[0002] 历来，硅化合物，锗系化合物，砷化镓等作为材料的半导体晶圆，一般来说，制造后 需要做背面减薄，更进一步，需要做相对应的背面处理(刻蚀，抛光处理等)。然后在硅片背 面贴付切割膜，切割成小片，再进行清洗，扩膜，拾取，封装等工序。
[0003] 上述的切割膜，通常由塑料构成的基材上，涂布，干燥由丙烯系构成的粘着剂组成 物，形成粘着剂层(厚度约1~50 μ m)，切割膜在实际切割时，膜必须有能和硅片紧密贴付的 粘着力。从这点来看，列如，对硅片镜面贴付的膜拾取的时候，一般需要剥离的力（剥离角 度：15°，牵引速度150mm/min，贴膜时温度23°，揭膜时温度23° )。另一方面，切割后剥 膜时，为了容易剥离，且不损坏硅片，就需要低粘性。切割膜对半导体芯片来说，不能留残胶 (粘着剂层在硅片表面的残留现象)，污染低，也是非常重要的特点之一。作为有这种特点的 切割膜，例如分子量在ΚΓ5的低分子量的成分含有量在10%以下的聚合物所构成的粘着 剂层的再剥离粘着膜。 上述拾取的工序，通常是在切割后硅片做扩膜的工序后实行，扩膜的工序是为了，切割 膜易于从半导体芯片上剥离的工序。而且这种扩膜工序，切割膜在某种程度张开的状态下， 拾取的半导体芯片下方的切割膜点状或线状的形式向上提，芯片在这种情况下，处于易剥 离的状态，通过从上方吸真空的方式，是现在主流的拾取方式。
[0004] 但是近年来，随着客户的需求的不断改进，生产时间的加紧，为了防止减薄后，硅 片的破损，（背面减薄工艺，减薄后破碎层除去工艺）等工艺完成后，数小时内，硅片不揭膜 的案例也在增加，还有破碎层除去工艺方面，会使用干磨（CMP处理，湿刻，干刻等)。
[0005] 这样的话，硅片背面减薄，出碎肩等数小时内背面不揭膜的情况下，因为贴膜时间 长，粘性又会回复到一个比较高的情况，拾取就会比较难实行，只是因为，硅片的减薄面，自 然氧化膜尚未完全形成的状态的活性面，同切割膜贴合，未氧化的活性原子和粘着剂层之 间起化学反应。
[0006] 活性面具体来说，就是自然氧化膜还未完全形成，为氧化状态的活性原子(例如同 粘着剂层反应的原子）存在的那一面。
【发明内容】
[0007] 针对上述问题，本发明提供一种切割膜长时间贴付活性面，在拾取的时候，也能容 易取下切割膜的活性面贴付用切割膜及切割后被加工物拾取的方法。
[0008] 为达到上述发明目的，本发明活性面贴付用切割膜，包括基材，在所述基材至少一 面设有放射线硬化性粘着剂层，所述放射线硬化性粘着剂层包括重量平均分子量在50万 以上的丙烯系聚合物和/或从碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物中选取一种放射 线聚合性化合物，作为胶带粘着剂层化合物成分的丙烯，烷基脂，占切割膜总体质量的60% 以上，且聚合性方面作为使用含羟基单体经聚合后得到的丙烯酸聚合物，侧锁部分羟基以 10/100~100/100,同与其反应的官能基和含有碳素-碳素二重结合基反应，向聚合物导入 碳素-碳素二重化合物，重量平均分子量在50万以上的二重结合侧锁导入型丙烯系聚合 物，和碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物，以及从碳素-碳素二重结合基的氰脲酸 酯系化合物中选取一种放射线聚合性化合物（B)，丙烯系聚合物（A)，按100的重量比率，放 射线聚合性化合物（B)从5~150的重量比例，按此比例为特征的活性面贴付切割膜。
[0009] 进一步地，所述的反射线聚合性化合物的分子中，含有碳素-碳素二重结合基 2~12 个。
[0010] 进一步地，所述的放射线聚合性化合物碳素-碳素二重结合基，从乙烯基，芳基， 丙烯基，以及甲基丙烯基中选取一种。
[0011] 进一步地，丙烯系聚合物（A)的重量平均分子量在80万至300万。
[0012] 进一步地，所述的放射线硬化层粘着剂层为单层的形态或多层的形态。
[0013] 进一步地，丙稀系聚合物（A)，碳素-碳素二重结合，侧锁，主锁中以及主锁末端存 在的丙稀系聚合物，加入放射线硬化性单体和低聚物的低分子量成分，切割膜在活性面贴 附后，通过放射线照射。
[0014] 进一步地，丙烯系聚合物（A)包括丙烯酸甲酯，丙烯酸乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯 酸异丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异丁酯、正庚基丙烯酸酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸 十二酯、丙烯酸十三酯、丙烯酸十四酯、十五基丙烯酸酯、丙烯酸十六酯、丙烯酸十七烷基、 丙烯酸十八酯、丙烯酸酯、丙烯酸环己酯等，丙烯酸苯酯、芳基丙烯酸酯。
[0015] 进一步地，所述的放射线硬化性粘着剂层设有离型膜保护。
[0016] 进一步地，基材的厚度为30至200 μ m。
[0017] 为达到上述发明目的，本发明切割后被加工物拾取的方法，对于被加工物的活性 面，在权利要求1至9任一所述的活性面贴付用切割膜贴付后切割，对形成的切割片进行拾 取。
[0018] 与现有技术相比，本发明的有益效果是：作为切割膜，特定的丙酸烯系化合物作为 吸水性树脂，且使用含特点放射线聚合性化合物的切割膜，在硅片的背面减薄，作为减薄后 的活性面，贴膜一长段时间后容易剥离。
【附图说明】
[0019] 图1是本发明切割膜的简略断面图； 图2是本发明切割膜粘着力测定方法的简略断面图。
【具体实施方式】
[0020] 下面结合说明书附图对本发明做进一步的描述。
[0021] 本发明，活性面贴付切割膜，以及相关使用该活性面贴付切割膜的被加工物的切 断片的pick up方法，比较详细的说法是硅系化合物，锗系化合物，砷化镓等作为材料的加 工物(例如应用在半导体硅片，半导体封装，玻璃，陶瓷等方面）进行切割后，在切断片拾取 的时候。前面所说的在被加工物的自然氧化膜没有完全形成状态的活性面进行贴付的状态 下，使用活性面贴付切割膜，以及使用该活性面贴付切割膜切割后被加工物的切断片的拾 取方法。
[0022] 本发明的切割膜，至少有一面有放射线硬化性粘着剂层构成，且放射线硬化性粘 着剂层，重量平均分子量在50万以上的丙烯系聚合物（A)(也有单独的称为丙烯系聚合物 的情况)，以及从碳素-碳素二重结合基的氰脲酸酯系化合物中选取一种放射线聚合性化合 物（B)(也有单独的称为放射线聚合性化合物的情况)，丙烯、系聚合物（A)，按100的重量 比率，含有放射线聚合性化合物（B)从5~150的重量比例。这样，本发明的切割膜，至少有 一面有放射线硬化性粘着剂层构成，且放射线硬化性粘着剂层，因重量平均分子量在50万 以上的丙烯、聚合物（A)丙烯系粘着剂中，所定的比率，使用了放射线聚合性化合物（B)构 成，经放射线的照射，放射线硬化性粘着剂层硬化，可能对活性面有效的形成三次元网状构 造。为了这个目的本发明的切割膜长时间贴付活性面后，经放射线照射，对活性面的粘着力 减弱，方便切断片的拾取pick up。
[0023] 关于放射线聚合性化合物（B)，碳素-碳素二重结合基，根据含有放射线具有的 重合性是非常重要的。
[0024] 丙烯系聚合物（A) 丙稀系聚合物（A)，重量平均分子量在50万以上(例如在50万~500万）的丙稀系聚合 物， 作为放射线硬化性粘着剂组成物作为吸水性树脂使用。丙烯系聚合物（A)重量平均分 子量，未满50万，对半导体硅片等被加工物的污染防止性较低，在活性面贴附后剥离时容 易产生残胶。对丙烯系聚合物，低分子量物质（成分）的含有量越少越好，依据这个观点，丙 烯系聚合物（A)的重量平均分子量80万以上(例如在80万~300万）比较合适。
[0025] 丙烯系聚合物（A)，丙烯酸酯作为主要成分的聚合物(均聚物、共聚物)，丙烯系聚 合物，作为单体的主要成分，例如，丙烯酸甲酯，丙烯酸乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸异丙酯、 丙烯酸丁酯、丙烯酸异丁酯、正庚基丙烯酸酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸十二酯、丙 烯酸十三酯、丙烯酸十四酯、十五基丙烯酸酯、丙烯酸十六酯、丙烯酸十七烷基、丙烯酸十八 酯、丙烯酸酯、丙烯酸环己酯等，丙烯酸苯酯、芳基丙烯酸酯。芳基丙烯酸酯又可以与两种上 述所说的相结合。丙烯酸酯作为丙烯酸甲酯，丙烯酸乙酯、、丙烯酸丁酯、丙烯酸异丁酯、正 庚基丙烯酸酯的芳基丙烯酸酯比较适合。
[0026] 丙烯系聚合物为了改善凝聚力，耐热等特性为