一种光电材料多粒子拼装模具的制作方法

本实用新型涉及光电闪烁材料技术领域，特别是涉及一种光电材料多粒子拼装模具。

背景技术：

光电闪烁材料作为一种重要的工业材料，具有越来越广泛的运用，因而人们对光电闪烁材料本身的性能要求也越来越高。传统的光电闪烁材料阵列的加工方式是将烧结完的闪烁陶瓷材料，首先通过机械加工的方式切割成所需的闪烁陶瓷阵列，但其底部是连接在一起的，形成上部分割、底部连接的固定块状结构，然后再切割好的陶瓷阵列缝隙里灌入环氧树脂类反射介质，最后进行单边磨削加工制作出光电闪烁体材料。

总的来说，这种加工具有如下几个不足：1、由于陶瓷坯料往往是不规则的，而块状的陶瓷晶粒由坯料切割而成，切割由未完全切透，底部处于连接状态，因而对于坯料的利用率较低，无法利用边角料；2、在切割完后的块状陶瓷晶粒中，只要有一颗陶瓷晶粒存在缺陷，则整块加工完成的块状晶粒半成品就不能使用，报废率较高；3、坯料的有效切割使用区域内如果存在缺陷，则导致整块坯料无法使用；4、产品需要进行磨削→机械切割→再次磨削等多道工序，且机械切割的工艺要求较高，切割时间较久，生产过程复杂，生产效率低下。

技术实现要素：

针对上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种用于光电闪烁材料加工的多粒子拼装模具，使用多颗晶粒拼装的方式生产光电闪烁材料阵列，大大提高坯料材料的利用效率和生产效率。

为达到上述目的，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种光电材料多粒子拼装模具，包括下模板、上模板和外壳体，所述下模板上开设有容纳槽，所述上模板位于所述下模板的上方，所述上模板与容纳槽对应的位置上贯穿开设有多个呈阵列排布的晶粒导向槽，所述外壳体套设于所述下模板的外围并与下模板形成四周和底部密封的空腔。

优选的，所述上模板和下模板之间通过定位销定位安装。

优选的，所述下模板的四周设置阶梯，所述外壳体通过所述阶梯套设于所述下模板的外围。

优选的，所诉容纳槽的深度不大于3mm。

优选的，所述容纳槽可由多行或多列安装槽组成，所述每行或每列安装槽分别与上模板的每行或每列晶粒导向槽的位置及尺寸相适应。

本实用新型的有益效果在于：利用本实用新型的光电材料多粒子拼装模具生产光电闪烁体材料的步骤为：首先通过机械切割方式得到多个长方体的光电材料晶粒，再将切割好的光电材料晶粒通过上模板排布放置在下模板上，随后将环氧树脂反射层均匀注射至外壳体内部的空腔内及光电材料晶粒的各个缝隙内部形成反射层，固化完毕后，进行脱模，然后再进行对应的磨削加工。通过这种方式，1)大大提高了胚料的利用率，使常规技术中不能使用的边角料都可以使用；2)避免了胚料整块加工过程中，晶粒越多，质量风险越高的问题，提高了产品的成品率；3)常规技术中，当胚料局部有缺陷会导致整块胚料无法使用，采用本实用新型的拼装模具，由于胚料是切割成多个长方体的小晶粒，此过程中只需将有缺陷的部分胚料剔除掉，其余胚料都可以正常使用；4)只需对胚料进行切割，晶粒拼装脱模后再进行磨削加工成成品，大大缩短了工艺路径，提高了生产效率。

附图说明

图1是本实用新型一较佳实施例的结构示意图；

图2是本实用新型实施例的爆炸视图；

附图中各部件的标记如下：1、下模板，2、上模板，3、外壳体，4、晶粒，

5、定位销，101、安装槽，102、阶梯，201、晶粒导向槽。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参阅图1至图2，本实用新型实施例包括：

一种光电材料多粒子拼装模具，包括下模板1、上模板2和外壳体3，所述下模板1上开设有容纳槽，所述上模板2位于下模板1的上方，所述上模板2和下模板1之间通过定位销5定位安装，所述上模板2与容纳槽对应的位置上贯穿开设有多个呈阵列排布的晶粒导向槽201，所述容纳槽由多列安装槽101组成，所述每列安装槽101分别与上模板2上的每列晶粒导向槽201的位置及尺寸相适应，所述下模板1的四周设置阶梯102，所述外壳体3通过所述阶梯102套设于所述下模板1的外围并与下模板1形成四周和底部密封的空腔，所述容纳槽的深度设置为3mm。

本实施例的工作原理为：首先在下模板1的上表面涂覆脱模剂，再将上模板2和外壳体3安装在下模板1上，将机械切割好的长方体光电材料晶粒4通过晶粒导向槽201固定放置在下模板1的安装槽101内，再将上模板2取出，并在外壳体3与下模板1内部的空腔内均匀注入环氧树脂反射层，待反射层固化完毕后，将下模板1连同晶粒4进行加热脱模，再对晶粒4组成的阵列材料进行对应的切割、磨削等加工，制成成品。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。