本发明涉及管道系统养护技术领域，特别涉及一种水系统内防垢阻垢的方法及装置。
背景技术：
众所周知，水中的钙镁金属浓度一旦超过饱和溶解度，就会发生结晶析出的现象，金属离子在管道内壁形成水垢。形成水垢的机理分为两步：第一步是高含量的钙、镁离子在层流运动中获得摩擦能和升温过程中的热能后会发生体积扩张，同时，水中的自由电子也会获得能量造成自由电子的动能升级，动能升级的自由电子与扩张后的钙、镁离子结合形成带有极性的分子。第二步是极性分子与管道内壁的接地结构形成电位差，从而产生异性相吸的静电力，在异性相吸静电力的作用下，极性分子便逐渐富集在管道内壁形成水垢。
采用以水为传热介质的管道系统，如用于锅炉传热系统的管道、用于发电机组冷却用途的散热系统管道、用于供热交换系统的管道等，内部结垢后会影响管道的介质的流量和热交换效率，如果流动介质不能及时的将热量带走，将会引发生重大的恶性事故。因此，以水为传热介质的管道系统在运行时，需要采用离子交换技术去除水中的钙、镁等容易结垢的物质。离子交换工艺设备昂贵、再生运行费用高、操作复杂、技术要求高、环境污染严重。最重要的是还存在重大事故的隐患。
技术实现要素：
本发明的目的是：为避免极性分子向管道内壁富集形成水垢，提供一种基于量子能量信息铸录的防垢阻垢方法。
本发明的技术方案是：一种基于量子能量信息铸录的防垢阻垢方法，它包括以下步骤：
a.获取水系统的水质分析报告；
b.根据水质分析报告，对纯度99％，目数100的硅粉、铝粉、镁粉进行比例配比；比例配比公式为：
其中：xsi为硅粉的含量比例，xal为表铝粉的含量比例，xmg为镁粉的含量比例；
b为水中钙离子的溶度积；ga为水中碳酸钙的含量；d为水中镁离子的溶度积；mg为水中碳酸镁的含量；c为水中总碳的含量；
e为水系统的物理环境参量，e＝c1+c2+c3+c4+c5；c1为平均温度，由最高温度与最低温度平均得到；c2为水系统的磁化系数；c3为水的表面张力；c4为磁谱特征频率加权值，具体通过物质磁化率检测仪扫频水系统中所含不同物质的磁谱属性确定；c5为水滞粘度加权值，具体通过水粘度仪检测水系统中所有可影响水粘滞性质的粘度综合值确定；
c.将配比完成的粉末投入模具中，压铸为坯料；
d.将压铸成型的坯料放入高温炉中加温至奥氏体温度；
e.对加温至奥氏体温度的坯料叠加变频电磁场；变频电磁场的频率和势能通过采集水系统中钙、镁极性分子的自振频率和磁谱属性设定；
f.将坯料降至室内温度后，撤销变频电磁场，此时坯料携带铸录的量子信息而具有电子弛豫的量子趋势势能；
g.将具有电子弛豫的量子趋势势能的坯料置于水系统内。
工作原理为：
电势是由电子的动能产生的，驱动电子运动属性的能量场称为量子能量信息场。将钙、镁、硅三种物质按比例混合，压铸成形为坯料，将坯料放入高温炉中加热成奥氏体温度。由于奥氏体温度的坯料可塑性好，在奥氏体温度的坯料外设置电磁场，在电磁场的作用下，电子轨道和金属晶格随着外磁场的环境变化而发生改变。如果在外电磁场的持续作用下，降低奥氏体坯料温度至室温，坯料中的晶格就被重新固定。由于坯料晶格是在奥氏体温度下由外电磁场作用形成的，当坯料温度降至室温时，即便撤销外电磁场，坯料晶格也不会恢复到奥氏体温度前的初始状态。但是，新形成的金属晶格电子，在大地磁场环境下将具有恢复到奥氏体温度前初始状态的趋势势能。我们将坯料加工成具有这种势能的加工技术称之为量子能量信息铸录技术。在量子能量信息场铸录过程中，外电磁场的频率和势能是通过采集钙、镁极性分子的自振频率和势能属性，经过电子放大技术施加在外磁场上。由于坯料携带了这种频率和势能属性与钙、镁极性分子的谐振频率近似，依据波的叠加原理，势能可以通过谐振吸收极性分子的能量而降低极性强度。在应用时，坯料会不断吸收能量，保持恢复运行状态的趋势势能。由此改变了极性分子与管道内壁的电势差，使极性分子与管道内壁的电性相等，根据同性相斥的原理，极性分子与管道内壁相斥，就再不会发生钙、镁极性分子由于静电吸引而富集在管道内壁的现象，由此起到防垢阻垢的作用。
上述方案中进一步的，所述步骤e中，所叠加的电磁场采用函数任意信号发生器为信号源，信号经过高频放大器放大，并采用示波器检测校验后接入金属喇叭电极，由金属喇叭电极按相位需要设置在奥氏体温度的坯料旁边形成变频电磁场，作用于坯料。
进一步的，所述坯料的结构为环状、管状或柱状。
进一步的，所述环状结构的坯料套装在所述水系统的管道外壁上，所述环状结构的坯料分为左半环与右半环；左半环与右半环之间通过螺丝固定。
进一步的，所述管状结构的坯料用于替代所述水系统的管道的某一段管路。
进一步的，所述柱状结构的坯料安装在大容积水系统的水中。
本发明的另一个技术方案是：一种用于实施上述方法的基于量子能量信息铸录的防垢阻垢装置，所述防垢阻垢装置包括坯料和固定件，所述固定件用于将所述坯料安装在水系统内。
具体的：所述坯料为环状结构，所述固定件为所述水系统的管道；所述环状结构的坯料套装在所述水系统的管道的外壁上，所述环状结构的坯料分为左半环与右半环；左半环与右半环之间通过螺丝固定。
具体的：所述坯料为管状结构，所述固定件为所述水系统的管道；所述管状结构的坯料用于替代所述水系统的管道的某一段管路，所述管状结构的坯料的两端分别与所述管道的管端连接。
具体的：所述坯料为柱状结构，所述固定件为安装架；所述安装架设置在大容积水系统的水中，所述柱状结构的坯料安装在所述安装架上。
有益效果：本发明采用量子能量信息铸录技术，将水系统中极性分子的电势降低到某种能量水平，平衡水系统的电势，使水系统中的极性分子电势与管道内壁接地结构的电势相等，这样水系统中的钙、镁离子所形成的极性分子就不会与管道内壁形成电位差，没有电位差就不会产生静电吸引，由此避免了极性分子向管道内壁富集而形成水垢；本发明可防止管道系统内壁和容器内壁产生钙镁结垢和堵塞现象，作用于水系统中可以有效的防垢阻垢。
附图说明
图1为本发明中环状结构的坯料的应用示意图；
图2为本发明中管状结构的坯料的应用示意图；
图3为本发明中柱状结构的坯料的应用示意图；
其中：1-左半环、2-右半环、3-管道、4与5-螺丝、6-管状结构的坯料、7-管道、8-前法兰、9-后法兰、10-法兰连接螺丝、11-柱状结构的坯料、12-安装架。
具体实施方式
下面结合附图并举实施例，对本发明进行详细描述。
实施例1：一种基于量子能量信息铸录的防垢阻垢方法，它包括以下步骤：
a.获取水系统的水质分析报告；
b.根据水质分析报告，对纯度99％，目数100的硅粉、铝粉、镁粉进行比例配比；比例配比公式为：
其中：xsi为硅粉的含量比例，xal为铝粉的含量比例，xmg为镁粉的含量比例；
b为水中钙离子的溶度积；ga为水中碳酸钙的含量；d为水中镁离子的溶度积；mg为水中碳酸镁的含量；c为水中总碳的含量；
e为水系统的物理环境参量，e＝c1+c2+c3+c4+c5；c1为平均温度，由最高温度与最低温度平均得到；c2为水系统的磁化系数；c3为水的表面张力；c4为磁谱特征频率加权值；c5为水滞粘度加权值；
c.将配比完成的粉末投入模具中，压铸为坯料；
d.将压铸成型的坯料放入高温炉中加温至奥氏体温度；
e.对加温至奥氏体温度的坯料叠加变频电磁场；变频电磁场的频率和势能通过采集水系统中钙、镁极性分子的自振频率和磁谱属性设定；
f.将坯料降至室温后，撤销变频电磁场，此时坯料携带铸录的量子信息而具有电子弛豫的量子趋势势能；
g.将具有电子弛豫的量子趋势势能的坯料置于水系统内。
所述步骤e中，具体的，所叠加的电磁场采用函数任意信号发生器为信号源，信号经过高频放大器放大，并采用示波器检测校验后接入金属喇叭电极，由金属喇叭电极按相位需要设置在奥氏体温度的坯料旁边形成变频电磁场，作用于坯料。
实施例2，在实施例1的基础上，对步骤c中的坯料的结构做进一步限定：
根据应用现场不同，坯料的结构可制作为环状、管状或柱状。
如图1所示，应用在管道上时，坯料结构为环状，进一步的分为左半环1以及右半环2；安装时，将左半环1以及右半环2扣接在被作用的管道3上，并通过内连接螺丝4、5固定。
如图2所示，管状结构6用于替代管道系统7中的某一段管路，管状结构6通过前法兰8、后法兰9安装在管道系统7中，并通过法兰连接螺丝10固定。
如图3所示，柱状结构11用于大容积的水系统中，如发电厂晾水塔结构下的晾水池、景观湖、游泳池等；多根柱状结构11通过安装架12，安装在水系统内，直接接触作用于水；因水系统的化学结构性质和水系统的水量不同，可以有多种的组合形式的设计，以其达到防垢阻垢的最佳效果。
实施例3，一种基于量子能量信息铸录的防垢阻垢装置，它基于如实施例1所述的一种基于量子能量信息铸录的防垢阻垢方法，所述防垢阻垢装置包括坯料和固定件，所述固定件用于将所述坯料安装在水系统内。
实施例4，参见附图1，在实施例4的基础上对坯料和固定件做进一步限定：
所述坯料为环状结构，所述固定件为所述水系统的管道；环状结构的坯料分为左半环1以及右半环2；安装时，将左半环1以及右半环2扣接在被作用的管道3上，并通过内连接螺丝4、5固定。
实施例5，参见附图2，在实施例4的基础上对坯料和固定件做进一步限定：
所述坯料为管状结构6，所述固定件为水系统的管道7；管状结构6的坯料通过前法兰8、后法兰9安装在水系统的管道7中，并通过法兰连接螺丝10固定。
实施例6，参见附图3，在实施例4的基础上对坯料和固定件做进一步限定：
所述坯料为柱状结构11，所述固定件为安装架12；柱状结构11的坯料用于大容积的水系统中，如发电厂晾水塔结构下的晾水池、景观湖、游泳池等；多根柱状结构11的坯料通过安装架12，安装在水系统内，直接接触作用于水；因水系统的化学结构性质和水系统的水量不同，可以有多种的组合形式的设计，以其达到防垢阻垢的最佳效果。
综上，以上仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。