本发明涉及低温低浊废水处理
技术领域：
，更具体而言，涉及一种低温低浊废水处理剂及其制备方法。
背景技术：
：低温低浊水中的杂质，是以细小的胶体分散体系溶于水中，而且胶体颗粒比较均匀，胶体微粒具有很强的动力稳定性和凝聚稳定性，并且带负电的胶体微粒数量很小，所以为达到电中和所需的混凝剂也少，因此形成的絮体细、少、轻，难于沉淀，易于穿透滤层。由于浊度较低，胶体颗粒数目较少，颗粒碰撞而聚集的机会减少。水温低，胶体颗粒的zeta电位较高，胶体颗粒间的排斥势能较大，而且此时微粒布朗运动动能较少，粘滞系数增大，更不利于颗粒碰撞，而使得胶体颗粒脱稳困难，水处理时聚合反应速度降低，水解产物的主要形态偏重于高电荷低聚合度，因此，不利于在胶体颗粒间进行吸附架桥。水温低，胶体的溶剂化作用增强，颗粒周围水化作用突出，妨碍其凝聚。影响低温低浊水质净化效果的因素很多，如温度、ph值、混凝剂的品种和投加量、水力条件等，但水温低是水质难以净化的主要因素，而低温季节出现的低浊度又进一步给水质净化增加了难度。技术实现要素：为了克服现有技术中所存在的不足，本发明提供一种低温低浊废水处理剂及其制备方法，增强混凝剂的水解速率及克服水中胶粒间的静电斥力。为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：一种低温低浊废水处理剂，其特征在于：由a、b两种组分组成，所述a组分由氢氧化铝、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化镁、氢氧化硅组成，所述b组分为高分子，所述a组分与b组分的质量比为95：5。进一步地，所述氢氧化铝、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化镁、氢氧化硅的质量比为50：5：30：8：7。一种低温低浊废水处理剂的制备方法，包括以下步骤：s1、将a组分：氢氧化铝、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化镁、氢氧化硅按质量比50：5：30：8：7混合；s2、在s1中混合物按1000：4的质量比中加入氧化剂制得混合物c；s3、在s2中混合物c中加入高分子，所述混合物c与高分子的质量比为95：5；s4、在温度为20-30℃，压力为0.1-0.12mpa的环境下干燥；s5、研磨至粒度为80-200目、装袋，即为成品。进一步地，所述氧化剂由高锰酸钾、高铁酸钾、氯酸钾组成。进一步地，所述高分子由聚丙烯酸铵、聚氧化乙烯、聚吡咯烷酮、聚丙烯酰胺、壳聚糖组成。进一步地，所述s1中加入二氧化锰作催化剂。与现有技术相比，本发明所具有的有益效果为：本发明提供了一种低温低浊废水处理剂及其制备方法，采用多种无机金属盐、高分子、氧化剂及催化剂共同制备而成。采用了复配的成分与最优的成分配，羟基态无机金属盐在一定条件与氧化剂共同作用改变一方面氧化剂促进羟基态无机盐的水解，同时改变水体中胶粒的zeta电位，强化混凝，在高分子的共同作用下形成密实、紧凑的矾花，络合体的絮凝得以顺利完成，在保证环保、低成本的前提下，将该高效去除剂的作用发挥到最大；采用了特定的制备工艺，保证了的最优状态，使得各组分之间有更好的协同增效的作用。通过本发明提供的制备方法所制备的低温低浊废水处理剂，只需一套一体化废水处理设备即可满足低温低浊废水的处理。无论是前期建设成本及占地面积，还是后期运营都得到极大的节约。具体实施方式下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。一种低温低浊废水处理剂，其特征在于：由a、b两种组分组成，所述a组分由氢氧化铝、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化镁、氢氧化硅组成，所述b组分为高分子，所述a组分与b组分的质量比为95：5。所述氢氧化铝、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化镁、氢氧化硅的质量比为50：5：30：8：7。一种低温低浊废水处理剂的制备方法，包括以下步骤：s1、将a组分：氢氧化铝、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化镁、氢氧化硅按质量比50：5：30：8：7混合；s2、在s1中混合物按1000：4的质量比中加入氧化剂制得混合物c；s3、在s2中混合物c中加入高分子，所述混合物c与高分子的质量比为95：5；s4、在温度为20-30℃，压力为0.1-0.12mpa的环境下干燥；s5、研磨至粒度为80-200目、装袋，即为成品。在本实施例中，所述氧化剂由高锰酸钾、高铁酸钾、氯酸钾组成。在本实施例中，所述高分子由聚丙烯酸铵、聚氧化乙烯、聚吡咯烷酮、聚丙烯酰胺、壳聚糖组成。在本实施例中，所述s1中加入二氧化锰作催化剂。在本实施例中，上述药剂均为粉末状。将上述方法制备的低温低浊废水处理剂与传统药剂处理效果对照（烧杯试验）结果如下表所示：药剂完全沉降时间（s）浊度（ntu）残余ss(mg/l)低温低浊絮凝剂50.2310聚丙烯酰胺515.4640聚合氯化铝512.6430聚合硫酸铁514.8738上面仅对本发明的较佳实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化，各种变化均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页12