一种印染废水零排放处理工艺的制作方法

本发明涉及废水处理技术领域，尤其涉及一种印染废水零排放处理工艺。

背景技术：

我国是世界最主要的纺织生产国，纺织业也是我国经济重要的组成部分，目前全国超过有5万家纺织工厂，每年产生100多亿吨的印染废水。印染废水是加工棉、麻、化学纤维及其混纺产品为主的印染厂排除的废水。具有水量大、有机物含量高、碱性大、水质变化大等特点，属于难处理的的工业废水之一。废水中含有染料、浆料、油剂、酸碱、纤维杂质、砂类物质和无机盐等物质。

目前主要的处理工艺是稀释后采用生化处理，难以达到国家的排放标准，并且生化产水大量的有机污泥，该部分有机污泥如果处理不好将产生二次污染。目前也有很多公司尝试膜法用于印染废水的回用，但是单独的膜法还是会产生10％～30％的高浓度废水，这部分废水依然得不到很好的处理。现有的印染废水处理工艺一来处理效果不好，二来不彻底会产生二次污染，生化造价高。

技术实现要素：

本发明的目的是针对现有技术中的不足，提供一种印染废水零排放处理工艺。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案是：

提供一种印染废水零排放处理工艺，包括以下步骤：

步骤一，印染废水原水先进入均质池均质，后由水泵打入气浮絮凝池，所述气浮絮凝池的产水通过自清洗过滤器后进入陶瓷过滤膜，陶瓷过滤淡水送入一级纳滤机组，陶瓷过滤浓水送入一级纳滤浓水罐；

步骤二，经过所述一级纳滤机组处理后得到的一级纳滤淡水进入一级纳滤淡水罐、一级纳滤浓水进入所述一级纳滤浓水罐，然后将所述一级纳滤浓水罐中的废水送入一级湿式氧化机组，其产水经过反应沉淀罐后进入所述一级纳滤淡水罐；

步骤三，将所述一级纳滤淡水罐中的废水送入二级纳滤机组，处理得到的二级纳滤淡水进入二级纳滤淡水罐、二级纳滤浓水进入二级湿式氧化机组，所述二级湿式氧化机组的产水送入一级mvr机组，得到二价盐；

步骤四，将所述二级纳滤淡水罐中的废水送入一级反渗透单元，处理得到的一级反渗透浓水进入反渗透浓水罐后送入二级mvr机组，得到一价盐；将所述一级反渗透单元处理得到的一级反渗透淡水送入二级反渗透单元，处理得到的二级反渗透淡水进入产品水罐、二级反渗透浓水返回所述二级纳滤淡水罐。

进一步地，气浮絮凝工艺中具体为：在所述气浮絮凝池里加入1-3g/l的硫酸铁溶液，气浮絮凝15-30分钟，然后加入0.2％的pam沉淀，利用刮板将悬浮物刮掉，进入浮泥池，产水通过自清洗过滤器后进入陶瓷过滤膜。

进一步地，所述气浮絮凝池中安装有微纳米气泡发生器，所述微纳米气泡发生器的材质为pp。

进一步地，所述一级纳滤机组采用的纳滤膜为物料膜，所述物料膜可以将大部分cod截住，让一价盐和二价盐全部透过膜。

进一步地，所述二级纳滤机组采用的纳滤膜为分盐膜，所述分盐膜将二价盐和cod截住，一价盐全部透过膜。

进一步地，所述一级反渗透单元采用高浓缩反渗透机组，所述一级反渗透浓水的含盐量为5％～7％。

进一步地，所述一级湿式氧化机组采用的材质为304不锈钢；所述二级湿式氧化机组采用的材质为316不锈钢。

进一步地，所述一级mvr机组、二级mvr机组采用t型循环多效蒸发器。

本发明采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：

本发明的印染废水零排放处理工艺，不用生化作为前处理步骤，造价低，无有机污泥二次污染，水回用率高，适合广泛推广使用；出水水质好，产水cod去除率99％以上，并且比生化工艺稳定；所蒸发结晶出的一价二价盐纯度高，一价盐纯度能达到精致工业盐一级98.5％以上，二价盐纯度能达到ii类一等品98％以上。

附图说明

图1为本发明处理工艺的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

实施例1

如图1所示，本实施例提供一种印染废水零排放处理工艺，包括以下步骤：

步骤一，印染废水原水先进入均质池均质，后由水泵打入气浮絮凝池，气浮絮凝池的产水通过自清洗过滤器后进入陶瓷过滤膜，陶瓷过滤淡水送入一级纳滤机组，陶瓷过滤浓水送入一级纳滤浓水罐；

其中，气浮絮凝池中安装有微纳米气泡发生器，微纳米气泡发生器的材质为pp，微纳米气泡发生器能产生大量纳米级微小的气泡，纳米级小气泡能在水中待的时间更长，产生的气浮效果是普通气浮的1.5～2倍；

废水气浮絮凝后通过自清洗过滤器，过滤掉较大的ss，然后利用陶瓷过滤膜过滤自清洗过滤产水，去除掉纳米级ss，陶瓷膜相比于纤维超滤膜具有更高的耐污堵、耐酸碱特性，更适合用于有机物含量高的印染废水，陶瓷膜过滤后的废水已经去除了纳米级的ss，对后续的膜是一种很好的保护。

步骤二，经过一级纳滤机组处理后得到的一级纳滤淡水进入一级纳滤淡水罐、一级纳滤浓水进入一级纳滤浓水罐，然后将一级纳滤浓水罐中的废水送入一级湿式氧化机组，其产水经过反应沉淀罐后进入一级纳滤淡水罐；一级湿式氧化机组采用的材质为304不锈钢；

其中，一级纳滤机组采用的纳滤膜为物料膜，物料膜可以将大部分cod截住，让一价盐和二价盐全部透过膜，这样进入一级湿式氧化的废水就仅含有少量的一价盐和二价盐，不仅可以提高湿式氧化的效果还可以降低湿式氧化的造价，有助于湿式氧化的升级和推广。

步骤三，将一级纳滤淡水罐中的废水送入二级纳滤机组，处理得到的二级纳滤淡水进入二级纳滤淡水罐、二级纳滤浓水进入二级湿式氧化机组，二级湿式氧化机组的产水送入一级mvr机组，得到二价盐；二级湿式氧化机组采用的材质为316不锈钢；

其中，二级纳滤机组采用的纳滤膜为分盐膜，分盐膜将二价盐和cod截住，一价盐全部透过膜。

步骤四，将二级纳滤淡水罐中的废水送入一级反渗透单元，处理得到的一级反渗透浓水送入反渗透浓水罐后进入二级mvr机组，得到一价盐；将一级反渗透单元处理得到的一级反渗透淡水送入二级反渗透单元，处理得到的二级反渗透淡水进入产品水罐、二级反渗透浓水返回二级纳滤淡水罐；

其中，一级反渗透单元采用高浓缩反渗透机组，一级反渗透浓水的含盐量为5％～7％，采用高浓缩反渗透机组，在保证出水达标的情况下，浓液可以尽量浓缩达到进入mvr的要求，这是普通反渗透达不到的，本工艺去掉了电渗析浓缩，极大的降低了成本。

做为一个优选例，上述气浮絮凝工艺中具体为：在气浮絮凝池里加入1-3g/l的硫酸铁溶液，气浮絮凝15-30分钟，然后加入0.2％的pam沉淀，利用刮板将悬浮物刮掉，进入浮泥池，产水(絮凝出水)通过自清洗过滤器后进入陶瓷过滤膜。

做为一个优选例，上述一级mvr机组、二级mvr机组采用t型循环多效蒸发器，效率为目前三效mvr的三倍以上，结晶盐效果高，能耗低。

实施例2

广东某印染废水需要进行零排放处理，其处理前废水中各污染物含量：cod3522mg/l、氨氮11mg/l、总磷69mg/l、ss：1175mg/l、硫酸根1300mg/l、氯离子587mg/l；要求做成零排放，出水要求达到厂区生产回用要求tds小于等于25mg/l。

采用实施例1的工艺，该工艺包括以下几个步骤；

步骤一，印染废水原水先进入均质池均质，后由水泵打入气浮絮凝池，气浮絮凝池的产水通过自清洗过滤器后进入陶瓷过滤膜，陶瓷过滤淡水送入一级纳滤机组，陶瓷过滤浓水送入一级纳滤浓水罐；

其中，气浮絮凝池中安装有微纳米气泡发生器，微纳米气泡发生器的材质为pp，微纳米气泡发生器能产生大量纳米级微小的气泡，纳米级小气泡能在水中待的时间更长，产生的气浮效果是普通气浮的1.5～2倍；

废水气浮絮凝后通过自清洗过滤器，过滤掉较大的ss，然后利用陶瓷过滤膜过滤自清洗过滤产水，去除掉纳米级ss，陶瓷膜相比于纤维超滤膜具有更高的耐污堵、耐酸碱特性，更适合用于有机物含量高的印染废水，陶瓷膜过滤后的废水已经去除了纳米级的ss，对后续的膜是一种很好的保护。

步骤二，经过一级纳滤机组处理后得到的一级纳滤淡水进入一级纳滤淡水罐、一级纳滤浓水进入一级纳滤浓水罐，然后将一级纳滤浓水罐中的废水送入一级湿式氧化机组，其产水经过反应沉淀罐后进入一级纳滤淡水罐；一级湿式氧化机组采用的材质为304不锈钢；

其中，一级纳滤机组采用的纳滤膜为物料膜，物料膜可以将大部分cod截住，让一价盐和二价盐全部透过膜，这样进入一级湿式氧化的废水就仅含有少量的一价盐和二价盐，不仅可以提高湿式氧化的效果还可以降低湿式氧化的造价，有助于湿式氧化的升级和推广。

步骤三，将一级纳滤淡水罐中的废水送入二级纳滤机组，处理得到的二级纳滤淡水进入二级纳滤淡水罐、二级纳滤浓水进入二级湿式氧化机组，二级湿式氧化机组的产水送入一级mvr机组，得到二价盐；二级湿式氧化机组采用的材质为316不锈钢；

其中，二级纳滤机组采用的纳滤膜为分盐膜，分盐膜将二价盐和cod截住，一价盐全部透过膜。

步骤四，将二级纳滤淡水罐中的废水送入一级反渗透单元，处理得到的一级反渗透浓水送入反渗透浓水罐后进入二级mvr机组，得到一价盐；将一级反渗透单元处理得到的一级反渗透淡水送入二级反渗透单元，处理得到的二级反渗透淡水进入产品水罐、二级反渗透浓水返回二级纳滤淡水罐；

陶瓷超滤控制允许压力在0.1～0.3mpa；一级纳滤运行压力控制在0.2～0.5mpa，产水率控制在80％～90％；二级纳滤的运行压力控制在0.6～1.5mpa，产水率控制在60％～90％；一级反渗透反渗透运行压力在1mpa～3mpa之间，产水率控制在90％以上；湿式氧化的温度控制在200～300度，压力控制在2mpa～3mpa之间，反应时间40分钟～1小时，主要指标各单元处理效果见下表1。

表1

上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书内容及图示所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。