四氟化硅络合物制备用脱水塔的制作方法

本实用新型属四氟化硅络合物生产设备领域，尤其涉及一种四氟化硅络合物制备用脱水塔。

背景技术：

在现代电子和半导体工业中，硅材料获得了广泛的应用，超过90%的半导体元器件都是由硅制成的。天然硅含有三种稳定的同位素28Si、29Si、30Si，其含量分别为92.23%，4.67%，3.10%。近年来，同位素纯的硅材料以其优良的特性开始受到科学家们的关注。

随着现代信息产业和电子计算机工业的发展，半导体芯片的体积变得更小、集成化程度更高。但半导体芯片体积越小，线路集成度越高，电流密度将逐渐增大，单位体积内发热量增多，这样将使得元器件在工作时温度升高，芯片温度过高将会导致半导体元器件性能和寿命大幅下降。用同位素纯28Si（99.85%）制成的半导体器件，室温下的热导率可比天然硅增加10%～60%，在某些特定的温度下增加的更多。同位素纯28Si制成的二极管反向击穿电压比同样工艺的天然硅二极管可提高80%以上。富集29Si是一种潜在的用于储存和操作量子计算机信息的材料。含有30Si的硅锭是实现中子嬗变掺杂（NDT）的新材料，NDT是采用中子辐照的办法来对材料进行掺杂的一种技术，其最大的优点就是掺入的杂质浓度分布非常均匀。

在四氟化硅络合物生产设备中，脱水塔是非常重要的系统组件。现有脱水塔普遍存在成本高，脱水效率低，耗能高等特点。

技术实现要素：

本实用新型旨在克服现有技术的不足之处而提供一种结构简单，成本低，脱水效率高，节约能源的四氟化硅络合物制备用脱水塔。

为解决上述技术问题，本实用新型是这样实现的。

四氟化硅络合物制备用脱水塔，它包括塔体；在所述塔体内腔设有分子筛填料层；在所述塔体底部设有原料入口；在所述塔体顶部设有原料出口；在所述分子筛填料层下部设有液体分配器；所述原料入口的出口端与液体分配器的入口相通；在所述塔体内腔纵向设有加热腔；在所述加热腔内设有加热体；在所述塔体内腔设有温度传感器；在所述塔体外设有温控模块；所述温度传感器的信号传输端口接温控模块的信号传输端口；所述加热体的信号传输端口接温控模块的信号传输端口。

作为一种优选方案，本实用新型所述温控模块包括电源电路、CPU、控制输出电路及定时电路 ；所述温度传感器的信号传输端口接 CPU的信号传输端口 ；所述 CPU的信号传输端口接控制输出电路的信号输出端口；所述定时电路的信号传输端口接控制输出电路的信号输出端口。

进一步地，本实用新型在所述分子筛填料层底部固定设有孔板。

进一步地，本实用新型在所述塔体顶部固定设有放空口及真空口。

本实用新型结构简单，成本低，脱水效率高，节约能源。本实用新型通过对塔体抽真空处理，在真空环境下经加热腔内加热体对塔体内的分子筛填料再生活化，然后再关闭真空接口，含水甲醇通过分子筛填料，达到脱水的目的。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。本实用新型的保护范围不仅局限于下列内容的表述。

图1为本实用新型的整体结构示意图。

图2为本实用新型温控部分电路原理框图。

图中：1、塔体；2、分子筛填料层；3、原料入口；4、液体分配器；5、加热腔；6、加热体；7、温度传感器；8、温控模块；9、孔板；10、放空口；11、真空口；12、原料出口；13、排净口。

具体实施方式

如图所示，四氟化硅络合物制备用脱水塔，它包括塔体1；在所述塔体1内腔设有分子筛填料层2；在所述塔体1底部设有原料入口3；在所述塔体1顶部设有原料出口12；在所述分子筛填料层2下部设有液体分配器4；所述原料入口3的出口端与液体分配器4的入口相通；在所述塔体1内腔纵向设有加热腔5；在所述加热腔5内设有加热体6；在所述塔体1内腔设有温度传感器7；在所述塔体1外设有温控模块8；所述温度传感器7的信号传输端口接温控模块8的信号传输端口；所述加热体6的信号传输端口接温控模块8的信号传输端口。

本实用新型所述温控模块8包括电源电路、CPU、控制输出电路及定时电路 ；所述温度传感器7的信号传输端口接 CPU的信号传输端口 ；所述 CPU的信号传输端口接控制输出电路的信号输出端口；所述定时电路的信号传输端口接控制输出电路的信号输出端口。

本实用新型在所述分子筛填料层2底部固定设有孔板9。本实用新型在所述塔体1顶部固定设有放空口10及真空口11。

本实用新型温度传感器输入信号进入温控模块中的CPU。CPU将处理后的数据输入到显示电路和控制输出电路进行显示和输出控制。电源电路为CPU提供电源 ；定时电路为控制输出电路提供时间数据。由温度传感器采集脱水塔分子筛填料层的温度信号。温度信号转换成电信号，输入到CPU中进行数据处理，并由显示电路显示当前分子筛填料层的温度。电源电路为整个温控系统提供电源。定时电路实时判断反应时间，当系统到达所设定的时间时，系统停止加热。当系统未达到设定的反应时间，系统将继续判断设定的反应温度。

在四氟化硅络合物制备实际操作时，本实用新型通过真空口11对塔体抽真空处理，在真空环境下经加热腔内加热体对塔体内的分子筛填料再生活化，然后再关闭真空接口，启动络合剂输送泵将甲醇从络合剂储罐经原料入口3及液体分配器4打入本实用新型脱水塔中的分子筛填料层2，脱水后进入无水络合剂储罐储存，检测无水络合剂含水量，低于50ppm为合格，若高于该值，则将无水络合剂储罐中的络合剂重新打入脱水塔脱水，至合格为止。

本实用新型还可以在检修塔体时，通过放空口和排净口分别对塔体中的气相和液相进行排放。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。