一种中试微波反应釜的制作方法

本实用新型涉及反应设备技术领域，具体涉及一种中试微波反应釜。

背景技术：

微波辐照加热因其加热均匀，能显著提高化学反应速率，改善反应生成产物的性能等，并且能合成出常规方法难以生成的物质。因此，微波辐照加热已在化学反应和材料合成等领域得到了广泛的应用。

现有的微波合成设备多采用普通微波炉内置反应器，增加搅拌设备的结构，此种合成仪由于微波设备都是传统的驻波单模系统，能量界面直径较小，腔体体积受限，内置反应器容积小，合成产量小；另一个缺点是受腔体限制，因热密度高体积小极易产生过强量热耦合损坏反应物，从而造成合成失败。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种中试微波反应釜。

为了达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种中试微波反应釜，包括机架，所述机架上设置有微波合成反应腔体，该微波合成反应腔体的侧壁上设置有若干微波馈口，用于连接微波发生器，所述机架顶部设置有伸入微波合成反应腔体的物料搅拌系统及回流冷凝系统。

其中，所述微波合成反应腔体为正六面柱体，顶部设置有进料口，底部设置有排渣口。

作为优选的，所述微波馈口的数量为五个，分别设置在微波合成反应腔体的五个侧面上，并分别配置有磁控管。

作为优选的，所述各微波馈口间的隔离度不小于20db。

其中，所述物料搅拌系统包括搅拌电机及伸入微波合成反应腔体内部的斜叶片，所述斜叶片可在搅拌电机的驱动下实现正转、反转。

其中，所述斜叶片正转时向斜上方搅拌，翻转物料；所述斜叶片反转时向斜下方搅拌，排出物料。

进一步的，所述微波合成反应腔体的顶部还设置有排气口、观察窗及照明灯，微波合成反应腔体的下部设置有测温热电偶。

其中，还包括控制与检测系统以及风冷排热系统。

作为优选的，所述微波发生器的微波频率为2450±50MHz，微波输出功率为0～8KW。

作为优选的，所述微波合成反应腔体的容积为30～60L。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的中试微波反应釜，包括机架，所述机架上设置有微波合成反应腔体，该微波合成反应腔体的侧壁上设置有若干微波馈口，用于连接微波发生器，所述机架顶部设置有伸入微波合成反应腔体的物料搅拌系统及回流冷凝系统，采用多口直馈微波加热方式，由于微波的宽带馈入，可以使物料直接接收电磁场能量，相对于现有的设别，其无功损耗小，加热效率提高10％以上，物料加热均性高出2-3倍以上，提高合成效率及纯度。

附图说明

附图1为本实用新型的中试微波反应釜的结构示意图。

附图2为本实用新型的中试微波反应釜的另一视角的结构示意图。

附图3为本实用新型的中试微波反应釜的俯视图。

其中，1-机架，2-微波合成反应腔体，3-微波馈口，4-物料搅拌系统，5-回流冷凝系统，6-进料口，7-排渣口，8-斜叶片，9-测温热电偶。

具体实施方式

实施例1。

如图1-3所示，本实用新型的一种中试微波反应釜，包括机架1，所述机架1上设置有微波合成反应腔体2，该微波合成反应腔体2的侧壁上设置有若干微波馈口3，用于连接微波发生器，所述机架1顶部设置有伸入微波合成反应腔体2的物料搅拌系统4及回流冷凝系统5，采用多口直馈微波加热方式，由于微波的宽带馈入，可以使物料直接接收电磁场能量，相对于现有的设别，其无功损耗小，加热效率提高10％以上，物料加热均性高出2-3倍以上，提高合成效率及纯度。

其中，所述微波合成反应腔体2为正六面柱体，顶部设置有进料口6，底部设置有排渣口7，所述物料搅拌系统4包括搅拌电机及伸入微波合成反应腔体2内部的斜叶片8，所述斜叶片8可在搅拌电机的驱动下实现正转、反转。

其中，所述斜叶片8正转时向斜上方搅拌，翻转物料；所述斜叶片8反转时向斜下方搅拌，排出物料，便于进料及出料操作；同时有利于提高反应过程中物料加热的均匀程度，保证对物料的均匀加热，提高反应效率及产品合成纯度。

作为优选的，所述微波馈口3的数量为五个，分别设置在微波合成反应腔体2的五个侧面上，并分别配置有磁控管。通过多面微波溃口同时向物料馈能加热，对发挥微波的能量和效率至关重要，提高效率及合成反应质量。

作为优选的，所述各微波馈口3间的隔离度不小于20db，有效防止各磁控管之间的相互干扰。

进一步的，所述微波合成反应腔体2的顶部还设置有排气口、观察窗及照明灯，微波合成反应腔体2的下部设置有测温热电偶9，配以智能温控表可按设定温度自动控温，以防物料过热或加热不足，作为优选的，测温范围为0～300℃。

其中，还包括控制与检测系统以及风冷排热系统。

作为优选的，所述微波发生器的微波频率为2450±50MHz，微波输出功率为0～8KW，可根据实际需要调节。

作为优选的，所述微波合成反应腔体2的容积为30～60L，容量大，合成产量大，更有利于用于工业化生产过程。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的部分实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。