1.一种基于表面纳米气泡实现微流体滑移减阻的微通道的制备方法，其特征在于所述的基于表面纳米气泡实现微流体滑移减阻的微通道的制备方法包括以下步骤：
1）采用RCA清洗工艺清洗硅片（N型100单晶硅，电阻率为0.04–0.1 V cm）；
2）采用光刻技术（photolithography）和电化学刻蚀技术（electrochemical etching）在硅表面上加工出微通道的主通道，然后在通道底面上加工出孔状微结构；
3）对底面带有微孔结构的微通道表面进行清洗（RCA工艺），用氮气吹干，进行硅烷化处理，使表面具有较好的疏水性；
4）将玻璃片覆盖在微通道的上面并利用阳极焊技术密封。
2.如权利要求1所述的一种基于表面纳米气泡实现微流体滑移减阻的微通道的制备方法，其特征在于，步骤1）中所述的硅片为N型100单晶硅，电阻率为0.04–0.1 V cm。
3.如权利要求1所述的一种基于表面纳米气泡实现微流体滑移减阻的微通道的制备方法，其特征在于，步骤2）中所述的在硅基表面上加工出微通道的主通道，并在主通道底面上加工出孔状微结构；主通道宽度W=200μm，深度H=50μm；孔的直径为1.6μm，深度为3μm。
4.如权利要求1所述的一种基于表面纳米气泡实现微流体滑移减阻的微通道的制备方法，其特征在于，步骤3）中所述的利用OTS（Octadecyltrichlorosilane）的无水甲苯溶液对底面有微孔结构的微通道表面进行硅烷化处理，OTS的无水甲苯溶液的体积比为1%。
5.如权利要求1所述的一种基于表面纳米气泡实现微流体滑移减阻的微通道的制备方法，其特征在于，步骤4）中所述的微通道采用阳极焊技术将玻璃片密封在微通道的另一面。