处理液供给装置以及基板处理系统的制作方法

本发明涉及向对被处理体喷出抗蚀液等处理液的处理液喷出部供给所述处理液的处理液供给装置。

背景技术：

在半导体器件等的制造工艺中的光刻工序中，为了在半导体晶圆(以下称为“晶圆”)等被处理体上形成防反射膜、抗蚀膜等涂布膜或者使曝光后的抗蚀膜显影，使用抗蚀液、显影液等处理液。

该处理液中有时含有异物(微粒)。因此，在处理液供给装置中配设过滤器，利用该过滤器来进行微粒的去除(参照专利文献1)。

另外，处理液供给装置具备将处理液向处理液涂布喷嘴送出的送出泵。并且，由于驱动送出泵的驱动动作与处理液涂布喷嘴的喷出动作之间存在延迟，因此以调节从处理液涂布喷嘴喷出处理液的喷出定时以及提高处理液涂布喷嘴的断液性为目的，在送出泵的下游设置分配阀(参照专利文献1)。

例如，在专利文献1的处理液供给装置中，作为所述分配阀，使用与开闭阀以及回吸阀邻接配置的阀。此外，在专利文献1的处理液供给装置中，在下游设置了分配阀的送出泵一体地设置有过滤器，换言之，分配阀设置在过滤器的下游。

专利文献1：日本特开平11-204416号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

然而，分配阀所包含的开闭阀被确保高清洁度，但是由于采用对处理液的流路进行开闭的构造，因而有时会产生细小的异物。例如，在开闭阀中，有时在对流路进行开闭的开闭构件与流路之间的接触面产生上述细小的异物。关于在开闭阀处产生的异物，在如专利文献1那样将该开闭阀设置在过滤器的下游的结构中，过滤器无法去除异物，因此在进一步推进半导体器件的细微化的情况下成为问题。

本发明是鉴于上述问题点做出的，其目的在于提供一种能够供给异物更少的处理液的处理液供给装置。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明涉及处理液供给装置，其经由配设了用于去除处理液中的异物的过滤器以及用于送出处理液的泵的供给路径向处理液喷出部供给处理液，该处理液供给装置的特征在于，在所述供给路径，在所述泵以及所述过滤器的上游侧配设有开闭阀，在所述泵以及所述过滤器的下流侧配设有回吸阀，该处理液供给装置具备控制部，该控制部至少控制所述泵、所述开闭阀以及所述回吸阀，该控制部进行以下控制：使来自所述泵的处理液的送出停止的控制；以及在通过所述回吸阀的动作使来自所述处理液喷出部的处理液的喷出中断之后，通过将所述开闭阀关闭来使所述喷出停止的控制。

根据本发明，由于开闭阀设置在过滤器的上游侧，因此能够在过滤器中收集在开闭阀产生的异物。另外，进行控制使得在通过回吸阀的动作使来自处理液喷出部的处理液的喷出停止之后，通过将开闭阀关闭来使处理液的流动停止，因此处理液喷出部中的断液性良好。

也可以是，所述泵是隔管泵。

也可以是，所述控制部进行液面保持控制，该液面保持控制用于将处理液的喷出停止时的所述处理液喷出部中的处理液的液面保持在规定的位置。

也可以是，所述泵是隔管泵，所述控制部在所述液面保持控制中控制隔管泵，使得所述隔管泵抽吸比该隔管泵靠下游侧的所述供给路径内的处理液。

也可以是，所述泵是隔管泵，在所述供给路径，在所述开闭阀的上游侧配设有暂时贮存处理液的其它隔管泵，所述控制部在所述液面保持控制中控制该其它隔管泵，使得所述其它隔管泵抽吸比该其它隔管泵靠下游侧的所述供给路径内的处理液。

也可以是，所述泵是隔管泵，在所述供给路径，在所述隔管泵以及所述过滤器的下游侧配设有其它回吸阀，所述控制部在所述液面保持控制中控制该其它回吸阀，以使所述其它回吸阀进行动作。

也可以是，所述隔管泵具备用于贮存处理液的贮存室以及填充了用于对该贮存室内的压力进行调整的工作液的工作液填充室，该处理液供给装置具备对所述工作液的温度进行调节的温度调节机构，所述控制部通过控制所述温度调节机构对所述工作液进行温度调节来控制所述贮存室内的处理液的温度。

也可以是，所述隔管泵具备用于对施加于所述工作液的压力进行调整的驱动部，所述处理液供给装置具备隔热构件，该隔热构件使所述工作液填充室隔绝所述驱动部的热。

其它方面的本发明是具备所述处理液供给装置的基板处理系统，其特征在于，具备：涂布处理装置，其将从所述处理液供给装置供给的处理液经由所述处理液喷出部向被处理体上涂布；以及壳体，其收容该涂布处理装置，其中，所述处理液供给装置的从所述泵起的靠下游侧的部分配设在该壳体内。

也可以是，具备其它温度调节机构，该其它温度调节机构对从所述泵起的靠下游侧的所述供给路径内的处理液的温度进行调节。

也可以是，所述壳体内被调节为规定的温度。

发明的效果

根据本发明，能够供给异物更少的处理液。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式涉及的基板处理系统的结构的概要的俯视图。

图2是示出本发明的实施方式涉及的基板处理系统的结构的概要的主视图。

图3是示出本发明的实施方式涉及的基板处理系统的结构的概要的后视图。

图4是示出抗蚀剂涂布装置的结构的概要的纵剖视图。

图5是示出抗蚀剂涂布装置的结构的概要的横剖视图。

图6是示出第一实施方式涉及的抗蚀液供给装置的结构的概要的说明图。

图7是简化示出回吸阀的结构的剖视图。

图8用于说明第一实施方式涉及的抗蚀液供给装置进行的抗蚀液供给处理。

图9是示出第二实施方式涉及的抗蚀液供给装置的主要部分的图。

图10是示出第三实施方式涉及的抗蚀液供给装置的结构的概要的说明图。

图11是示意性地示出第三实施方式涉及的抗蚀液供给装置中的泵的周围的结构的图。

附图标记说明

1：基板处理系统；32：抗蚀剂涂布装置；142：涂布喷嘴；200：抗蚀液供给装置；201：抗蚀液供给源(供给源)；202：供给路径；203：供给阀；204：缓冲罐；205：开闭阀；206：过滤器；207：泵；208：回吸阀；300：回吸阀；209：供给管；212：压力传感器；400：壳体；401：过滤器；410：隔热构件；420：管路温度调节机构；500：容器；501：隔膜；502：贮存室；503：工作液填充室；510：电动机；600：隔热构件；601：温度调节机构；u：控制部；w：晶圆。

具体实施方式

以下，说明本发明的实施方式。此外，在本说明书以及附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复说明。

(第一实施方式)

以下，对本发明的实施方式进行说明。图1是示出搭载有作为本发明的第一实施方式涉及的处理液供给装置的抗蚀液供给装置的基板处理系统1的结构的概要的说明图。图2和图3分别是示意性地示出基板处理系统1的内部结构的概要的主视图和后视图。此外，在本说明书以及附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复说明。

如图1所示，基板处理系统1具有将盒站10、处理站11以及接口站13一体地连接而成的结构，其中，盒站10用于搬入搬出收容了多个晶圆w的盒c，处理站11具备对晶圆w实施规定的处理的多个各种处理装置，接口站13与处理站11邻接并且与曝光装置12之间进行晶圆w的交接。

在盒站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个盒载置板21，在相对于基板处理系统1的外部搬入搬出盒c时，多个盒载置板21载置盒c。

如图1所示，在盒站10设置有晶圆搬送装置23，晶圆搬送装置23在沿x方向延伸的搬送路22上移动自如。晶圆搬送装置23在上下方向也移动自如并且绕铅垂轴(θ方向)也移动自如，从而能够在各盒载置板21上的盒c与后述的处理站11的第三块g3的交接装置之间搬送晶圆w。

在处理站11设置有具备各种装置的多个例如四个块g1、g2、g3、g4。例如在处理站11的正面侧(图1的x方向负方向侧)设置有第一块g1，在处理站11的背面侧(图1的x方向正方向侧)设置有第二块g2。另外，在处理站11的靠盒站10的一侧(图1的y方向负方向侧)设置有第三块g3，在处理站11的靠接口站13的一侧(图1的y方向正方向侧)设置有第四块g4。

如图2所示，例如在第一块g1中从下方起依次配置有多个涂布处理装置，例如对晶圆w进行显影处理的显影处理装置30、在晶圆w的抗蚀膜的下层形成防反射膜(以下称为“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、对晶圆w涂布抗蚀液来形成抗蚀膜的抗蚀剂涂布装置32、以及在晶圆w的抗蚀膜的上层形成防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成装置33。

例如，显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂布装置32、上部防反射膜形成装置33分别以在水平方向上排列三个的方式配置。此外，这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂布装置32以及上部防反射膜形成装置33的数量、配置能够任意地选择。

在这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂布装置32、上部防反射膜形成装置33之类的涂布处理装置中，例如进行在晶圆w上涂布规定的处理液的旋转涂布。在旋转涂布中，例如从涂布喷嘴向晶圆w上喷出处理液，并且使晶圆w旋转来使处理液在晶圆w的表面扩散。

如图3所示，例如在第二块g2中沿上下方向和水平方向排列设置有对晶圆w进行加热、冷却之类的热处理的热处理装置40、用于提高抗蚀液与晶圆w之间的固着性的粘附装置41、使晶圆w的外周部曝光的周边曝光装置42。这些热处理装置40、粘附装置41、周边曝光装置42的数量、配置也能够任意地选择。

例如，在第三块g3中从下方起依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。另外，在第四块g4中从下方起依次设置有多个交接装置60、61、62。

如图1所示，在被第一块g1～第四块g4包围的区域形成有晶圆搬送区域d。在晶圆搬送区域d配置有多个晶圆搬送装置70，各晶圆搬送装置70具有例如在y方向、x方向、θ方向以及上下方向移动自如的搬送臂70a。晶圆搬送装置70能够在晶圆搬送区域d内移动，来将晶圆w搬送到周围的第一块g1、第二块g2、第三块g3以及第四块g4内的规定的装置。

另外，在晶圆搬送区域d设置有在第三块g3与第四块g4之间直线地搬送晶圆w的往复搬送装置80。

往复搬送装置80例如在图3的y方向沿直线移动自如。往复搬送装置80能够以支承着晶圆w的状态在y方向上移动，来在第三块g3的交接装置52与第四块g4的交接装置62之间搬送晶圆w。

如图1所示，在第三块g3的靠x方向正方向侧的相邻位置处设置有晶圆搬送装置100。晶圆搬送装置100具有例如在x方向、θ方向以及上下方向移动自如的搬送臂100a。晶圆搬送装置100能够以支承着晶圆w的状态上下移动，来将晶圆w搬送到第三块g3内的各交接装置。

在接口站13设置有晶圆搬送装置110和交接装置111。晶圆搬送装置110具有例如在y方向、θ方向以及上下方向移动自如的搬送臂110a。晶圆搬送装置110例如能够将晶圆w支承于搬送臂110a来与第四块g4内的各交接装置、交接装置111以及曝光装置12之间搬送晶圆w。

如图1所示，在以上的基板处理系统1中设置有控制部u。控制部u例如为计算机，具有程序保存部(未图示)。程序保存部中保存有用于控制基板处理系统1中的对晶圆w的处理的程序。此外，所述程序可以是例如记录在计算机可读取的硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装于控制部u的程序。

<晶圆处理>

接着，说明使用如以上那样构成的基板处理系统1进行的晶圆处理。

首先，将收纳了多个晶圆w的盒c搬入基板处理系统1的盒站10，并载置于盒载置板21。之后，利用晶圆搬送装置23将盒c内的各晶圆w依次取出，搬送到处理站11的第三块g3的交接装置53。

接着，晶圆w被晶圆搬送装置70搬送到第二块g2的热处理装置40来进行温度调节处理。然后，晶圆w被晶圆搬送装置70例如搬送到第一块g1的下部防反射膜形成装置31，在晶圆w上形成下部防反射膜。然后，晶圆w被搬送到第二块g2的热处理装置40来进行加热处理。然后，晶圆w被返还到第三块g3的交接装置53。

接着，晶圆w被晶圆搬送装置100同样搬送到第三块g3的交接装置54。然后，晶圆w被晶圆搬送装置70搬送到第二块g2的粘附装置41来进行疏水化处理。

然后，晶圆w被晶圆搬送装置70搬送到抗蚀剂涂布装置32，在晶圆w上形成抗蚀膜。然后，晶圆w被晶圆搬送装置70搬送到热处理装置40来进行预烘处理。然后，晶圆w被晶圆搬送装置70搬送到第三块g3的交接装置55。

接着，晶圆w被晶圆搬送装置70搬送到上部防反射膜形成装置33，在晶圆w上形成上部防反射膜。然后，晶圆w被晶圆搬送装置70搬送到热处理装置40，被进行加热、温度调节。然后，晶圆w被搬送到周边曝光装置42来进行周边曝光处理。

然后，晶圆w被晶圆搬送装置70搬送到第三块g3的交接装置56。

接着，晶圆w被晶圆搬送装置100搬送到交接装置52，并被往复搬送装置80搬送到第四块g4的交接装置62。然后，晶圆w被接口站13的晶圆搬送装置110搬送到曝光装置12，以规定的图案进行曝光处理。

接着，晶圆w被晶圆搬送装置110搬送到第四块g4的交接装置60。然后，晶圆w被晶圆搬送装置70搬送到热处理装置40，进行曝光后烘干处理。然后，晶圆w被晶圆搬送装置70搬送到显影处理装置30来进行显影。显影结束后，晶圆w被晶圆搬送装置70搬送到热处理装置40，进行后烘处理。然后，晶圆w被搬送到盒载置板21上的盒c，一系列的光刻工序完成。

接着，说明上述的抗蚀剂涂布装置32的结构。图4是示出抗蚀剂涂布装置32的结构的概要的纵剖视图，图5是示出抗蚀剂涂布装置32的结构的概要的横剖视图。

如图4所示，抗蚀剂涂布装置32具有内部能够封闭的处理容器120。如图5所示，在处理容器120的侧面形成有晶圆w的搬入搬出口121，在搬入搬出口121设置有开闭闸阀122。

如图4所示，处理容器120内的中央部设置有旋转卡盘130，该旋转卡盘130用于保持晶圆w并使晶圆w旋转。旋转卡盘130具有水平的上表面，在该上表面设置有例如用于吸引晶圆w的吸引口(未图示)。通过从该吸引口进行吸引，能够将晶圆w吸附保持在旋转卡盘130上。

旋转卡盘130具有卡盘驱动机构131，该卡盘驱动机构131例如具备电动机等，利用该卡盘驱动机构131能够使旋转卡盘130以规定的速度旋转。另外，在卡盘驱动机构131设置有汽缸等升降驱动源，从而旋转卡盘130能够上下运动。

在旋转卡盘130的周围设置有杯132，该杯132接受和回收从晶圆w飞散或者落下的液体。杯132的下表面与将所回收的液体排出的排出管133以及对杯132内的气氛进行排气的排气管134连接。

如图5所示，在杯132的x方向负方向(图5的下方向)侧形成有沿y方向(图5的左右方向)延伸的轨道140。轨道140例如形成为从杯132的y方向负方向(图5的左方向)侧的外方延伸至杯132的y方向正方向(图5的右方向)侧的外方。在轨道140安装有臂141。

如图4以及图5所示，臂141支承喷出抗蚀液的涂布喷嘴142。通过图5所示的喷嘴驱动部143，臂141在轨道140上移动自如。由此，涂布喷嘴142能够从设置在杯132的y方向正方向侧的外方的待机部144移动至杯132内的晶圆w的中心部上方，进一步能够在该晶圆w的表面上沿着晶圆w的径向移动。另外，通过喷嘴驱动部143，臂141升降自如，从而能够调节涂布喷嘴142的高度。如图4所示，涂布喷嘴142与用于供给抗蚀液的抗蚀液供给装置200连接。

接着，说明对作为抗蚀剂涂布装置32内的处理液喷出部的涂布喷嘴142供给抗蚀液的抗蚀液供给装置200的结构。图6是示出抗蚀液供给装置200的结构的概要的说明图。此外，抗蚀液供给装置200的例如后述的从抗蚀液供给源201至泵207为止的部分设置在未图示的化学室内。化学室是用于将各种处理液向涂布处理装置供给的室。

抗蚀液供给装置200具备：抗蚀液供给源(以下称为供给源)201，其内部贮存作为处理液的抗蚀液；以及供给路径202，其将供给源201与涂布喷嘴142连接。

在供给路径202上，作为构造体而从上游侧起依次配设有供给阀203、缓冲罐204、开闭阀205、过滤器206、泵207以及回吸阀208。另外，在供给路径202中，在供给源201与供给阀203之间、回吸阀208与涂布喷嘴142之间以及各构造体之间分别通过供给管209来连接。

供给阀203是对将供给源201与缓冲罐204连接的流路进行开闭的阀。

缓冲罐204是将从可更换的供给源201移送的抗蚀液暂时贮存于未图示的贮存室的罐，例如由隔管泵(チューブフラムポンプ，tubephragmpump)构成。该缓冲罐204即使在供给源201内的抗蚀液耗尽的情况下更换供给源201过程中，也能够将该缓冲罐204内贮存的抗蚀液向涂布喷嘴142供给。在缓冲罐204的上部设置有在将缓冲罐204内的抗蚀液排出时使用的排放管210。此外，在排放管210设置有未图示的排出阀。

开闭阀205设置在过滤器206的上游侧，是对将缓冲罐204与过滤器206之间连接的流路进行开闭的阀，例如由气动阀(airoperatedvalve)构成。

过滤器206是用于收集并去除抗蚀液中的异物的部件。在过滤器206的上部设置有对抗蚀液中产生的气体(气泡)进行排气的排放管211。

泵207是将抗蚀液向涂布喷嘴142送出的部件，由隔管泵构成。泵207送出的抗蚀液贮存在未图示的贮存室。该贮存室构成将供给源201与涂布喷嘴142连接并被填充抗蚀液的流路的一部分。此外，在将泵207与过滤器206连接的供给管209设置有压力传感器212。将泵207与过滤器206连接的供给管209与泵207的贮存室连通，能够利用压力传感器212测定所述供给管209的压力、即泵207的贮存室内的压力。

回吸阀208是使泵207与涂布喷嘴142之间的流路发生体积变动的阀。在从涂布喷嘴142喷出抗蚀液时，通过使回吸阀208动作，能够使涂布喷嘴142的所述喷出中断。

图7是简化示出回吸阀208的结构的剖视图。

图7的回吸阀208设置在流路220，流路220构成将供给源201与涂布喷嘴142连接并被填充抗蚀液的抗蚀液流路的一部分。另外，回吸阀208设置有能够在图中上下方向移动的杆221。杆221的下表面221a在流路220露出。回吸阀208构成为，当使该回吸阀208动作时，杆221上升，流路220的体积增加。

返回图6的说明。

在抗蚀液供给装置200中，所述控制部u控制供给阀203、缓冲罐204、开闭阀205、泵207、回吸阀208等。另外，压力传感器212的测定结果向控制部u输出。

接着，使用图8，说明抗蚀液供给装置200进行的抗蚀液供给处理。图8是抗蚀液供给处理所包含的喷出中断处理的说明图。图8的(a)以及图8的(b)是示出抗蚀液的喷出中断前后的回吸阀208的动作的图，图8的(c)以及图8的(d)是示出所述喷出中断前后的涂布喷嘴142的喷出情况的图。

(向缓冲罐204的补充)

在抗蚀液供给处理中，首先，基于来自控制部u的控制信号，将供给阀203设为开状态，并且将缓冲罐204的贮存室减压，由此从供给源201将抗蚀液供给、补充到缓冲罐204的贮存室内。

(向泵207的补充)

当向缓冲罐204的贮存室内补充规定量的抗蚀液时，将供给阀203设为闭状态，将开闭阀205设为开状态。并且，将泵207的贮存室内的压力保持为大气压并相对于大气压对缓冲罐204的贮存室进行加压，由此将缓冲罐204的贮存室内的抗蚀液向泵207加压输送。加压输送的抗蚀液通过过滤器206之后，移向泵207的贮存室。此外，以后，控制部u对缓冲罐204的贮存室进行常时正压保持控制。即，控制部u基于压力传感器212的测定结果进行控制，使得缓冲罐204的贮存室内的压力比泵207的贮存室内的压力高。

当向泵207的贮存室内补充规定量的抗蚀液时，将开闭阀205设为闭状态，结束向泵207的抗蚀液的补充。另外，从缓冲罐204加压输送的抗蚀液的量是预先决定的，设为在进行向泵207的抗蚀液的补充时加压输送的抗蚀液不会经由泵207从涂布喷嘴142漏出。

(喷出开始)

在从涂布喷嘴142喷出时，将开闭阀205保持为开状态，将泵207的贮存室设为相对于大气压成为加压状态。由此，将泵207内的抗蚀液从该泵207朝向涂布喷嘴142加压输送，开始从涂布喷嘴142向晶圆w喷出抗蚀液。此外，此时，基于压力传感器212的测定结果，将缓冲罐204的贮存室的压力控制为比泵207的贮存室的压力高。由此，能够从缓冲罐204补充从泵207喷出的量的抗蚀液。

(喷出中断)

当从涂布喷嘴142喷出规定量的抗蚀液时，即当从泵207加压输送规定量的抗蚀液时，在抗蚀液供给装置200中，控制回吸阀208来使该回吸阀208进行动作。具体来讲，例如使图8的(a)那样位于下侧的回吸阀208的杆221如图8的(b)那样上升，来使填充有抗蚀液l的流路220(参照图7)的体积增加。由此，使来自涂布喷嘴142的处理液的喷出中断。换言之，从图8的(c)那样从涂布喷嘴142喷出处理液的状态瞬间切换为图8的(d)那样处理液未被喷出的状态。

另外，如上述那样使回吸阀进行动作，并且将用于使来自泵207的抗蚀液的加压输送停止的控制信号(以下称为停止控制信号)从控制部u向泵207发送来进行控制，使得泵207的贮存室内的压力成为大气压。此外，停止控制信号的送出定时与使回吸阀208进行动作的定时可以是任一方早，也可以是相同。但是优选为，后者的定时早或定时相同。

(抗蚀液的喷出的停止)

在抗蚀液供给装置200中，在停止控制信号送出后且通过回吸阀208的动作而使涂布喷嘴142的喷出中断的期间，控制开闭阀205来将开闭阀205设为闭状态。由此，使涂布喷嘴142的喷出完全停止。

根据本实施方式，由于开闭阀205设置在过滤器206的上游侧，由此即使在开闭阀205产生微量的异物，也能够利用过滤器206去除该异物。因而，能够将异物更少的处理液供给到涂布喷嘴142。

此外，在具有从上述抗蚀液供给装置200的结构中删除回吸阀208而成的结构的抗蚀液供给装置中，作为使涂布喷嘴142的喷出停止的方法，考虑例如以下的(1)、(2)的方法。

(1)将开闭阀205保持为开状态，使来自泵207以及缓冲罐204的加压输送停止的方法(即，将开闭阀205保持为开状态，将泵207以及缓冲罐204的贮存室的压力设为大气压的方法)。

(2)使来自泵207的加压输送停止并且将开闭阀205设为闭状态的方法。

但是，在所述(1)的方法中，从发送用于停止加压输送的停止控制信号起直到来自泵207以及缓冲罐204的抗蚀液的送液停止完成为止花费时间。因而，涂布喷嘴142中的断液性不好。此外，“断液性不好”是指在期望的定时没有使液体的流动完全停止，“断液性良好”是指在期望的定时使液体的流动完全停止。当涂布喷嘴142中的断液性不好时，在抗蚀剂涂布装置32中无法得到期望的抗蚀膜。

另外，在所述(2)的方法中，与所述(1)的情况同样，从发送用于停止加压输送的停止控制信号起直到来自泵207的抗蚀液的送液停止完成为止花费时间。另外，即使从发送所述停止控制信号后抗蚀液的送液停止立即完成，由于从开闭阀205至涂布喷嘴的流路的体积、容积大，因而被施加来自缓冲罐204的压力的该流路中的抗蚀液的流动即使在将开闭阀205关闭后也会因对该抗蚀液施加的惯性力而无法立即停止。因而，涂布喷嘴142中的断液性不好。

与之相对，在本实施方式的抗蚀液供给装置200中，进行使来自泵207的抗蚀剂的加压输送停止的控制、即发送用于停止加压输送的停止控制信号的控制，并且进行以下控制。即，在通过回吸阀208的动作使来自涂布喷嘴142的抗蚀液的喷出中断之后，进行将开闭阀205设为闭状态来使来自涂布喷嘴142的抗蚀液的喷出完全停止的控制。

因而，在发送所述停止控制信号起直到来自泵207的抗蚀液的送液停止为止，从该泵207流出的抗蚀液能够收容于通过回吸阀208的动作而体积增加的流路。另外，在将开闭阀205关闭之后因惯性力而移动到比泵207靠上游侧的抗蚀液也能够收容于通过回吸阀208的动作而体积增加的流路。由此，本实施方式的抗蚀液供给装置200的涂布喷嘴142中的断液性良好。

接着，说明有时被抗蚀液供给装置200的抗蚀液供给处理包含的的液面保持处理。

即使设为本实施方式的抗蚀液供给装置200那样使来自涂布喷嘴142的抗蚀液的喷出停止的控制，当例如从向泵207发送用于停止加压输送的停止控制信号起到来自该泵207的抗蚀液的送液停止完成为止的时间长时，存在以下问题。即，存在如下情况：在所述时间中，从泵207流出的抗蚀液无法完全收容于通过回吸阀208的动作而体积增加了的流路。另外，存在如下情况：虽然完全收容，但是抗蚀液的喷出停止时的涂布喷嘴142中的抗蚀液的液面被保持在与期望的位置、规定的位置偏离的位置。优选为，所述涂布喷嘴142中的抗蚀液的液面例如位于从喷嘴142的前端起靠内侧2mm～3mm的位置。

因而存在如下情况：抗蚀液供给装置200的抗蚀液供给处理中包括液面保持处理、即用于将抗蚀液的喷出停止时的涂布喷嘴142中的抗蚀液的液面保持在规定的位置的处理。

(液面保持处理的一例)

在液面保持处理中，将泵207控制为该泵207抽吸规定量的抗蚀液。具体来讲，例如在为了使来自涂布喷嘴142的抗蚀液的喷出停止而进行控制使得对泵207发送停止控制信号并且使回吸阀208进行动作之后，作为液面保持处理进行如下处理：控制该泵207使得泵207的贮存室在规定时间的期间为减压状态。由此，使比泵207靠下游侧的供给路径202中的抗蚀液向泵207返回规定量。因此，能够将抗蚀液的喷出停止时的涂布喷嘴142中的抗蚀液的液面保持在规定的位置。

此外，本例的液面保持处理中进行的液面保持控制如果在使回吸阀208进行动作的控制以后进行，则在将开闭阀205设为闭状态的控制之前或之后进行均可。

(液面保持处理的其它例)

在液面保持处理的其它例中，控制由隔管泵构成的缓冲罐204，使得该缓冲罐204抽吸规定量的抗蚀液。具体来讲，例如在为了使来自涂布喷嘴142的抗蚀液的喷出停止而进行控制使得对泵207发送停止控制信号并且使回吸阀208进行动作之后，作为液面保持处理进行如下处理：将开闭阀205保持为开状态，并控制缓冲罐204使得该缓冲罐204的贮存室在规定时间的期间为减压状态。由此，使比缓冲罐204靠下游侧的供给路径202中的抗蚀液向缓冲罐204返回规定量。因此，能够将抗蚀液的喷出停止时的涂布喷嘴142中的抗蚀液的液面保持在规定的位置。

此外，本例的液面保持处理中进行的液面保持控制是在使回吸阀208进行动作的控制以后且将开闭阀205设为闭状态的控制之前进行的。

在液面保持处理的另一其它例中，在开闭阀205的上游侧配设有暂时贮存抗蚀液的其它的泵(该其他的泵可以是与泵207相同的泵，也可以是与泵207不同的泵)。控制部控制其它的泵，使得该其它的泵抽吸规定量的抗蚀液。具体来讲，例如在为了使来自涂布喷嘴142的抗蚀液的喷出停止而进行控制使得对泵207发送停止控制信号并且使回吸阀208进行动作之后，作为液面保持处理进行如下处理：将开闭阀205保持为开状态，并控制其他的泵使得该其他的泵的贮存室在规定时间的期间为减压状态。由此，使比其他的泵靠下游侧的供给路径202中的抗蚀液向其他的泵返回规定量。因此，能够将抗蚀液的喷出停止时的涂布喷嘴142中的抗蚀液的液面保持在规定的位置。

此外，本例的液面保持处理中进行的液面保持控制是在使回吸阀208进行动作的控制以后且将开闭阀205设为闭状态的控制之前进行的。

(第二实施方式)

图9是示出第二实施方式涉及的抗蚀液供给装置的主要部分的图。

图9的抗蚀液供给装置与图6的抗蚀液供给装置200不同，在泵207的下游侧配设有与回吸阀208相独立的回吸阀300。此外，回吸阀300的构造与回吸阀208相同。另外，本实施方式的抗蚀液供给装置的比泵207靠上游侧的结构与图6的结构相同，因此省略图示等。

在本实施方式的抗蚀液供给装置的液面保持处理中，在进行控制使得回吸阀208进行动作以后，进行控制使得回吸阀300进行动作。由此，能够在比泵207靠下游侧的流路中收容规定量的抗蚀液。因此，能够将抗蚀液的喷出停止时的涂布喷嘴142中的抗蚀液的液面保持在规定的位置。

此外，本例的液面保持处理中进行的液面保持控制如果在使回吸阀208进行动作的控制以后进行，则在将开闭阀205设为闭状态的控制之前或之后进行均可。

关于其它的回吸阀300，如果是一个以上，则也可以是多个。另外，本例中其它的回吸阀300与回吸阀208串联连接，但也可以是并联连接。

因回吸阀300进行动作产生的流路的体积的变化量可以与回吸阀208的所述变化量相同，也可以是，相比于回吸阀208的所述变化量而言更大或更小。但是优选为，回吸阀208、300中的最初进行动作的阀的所述变化量为最大。

另外，在如本实施方式那样具备多个回吸阀的情况下，例如也可以是，在进行控制使得回吸阀208进行动作之后，进行控制使得缓冲罐204、泵207抽吸规定量的抗蚀液，再之后进行控制使得其它的回吸阀300进行动作。

(第三实施方式)

图10是示出第三实施方式涉及的抗蚀液供给装置的结构的概要的说明图。图11是示意性地示出图10的抗蚀液供给装置中的泵207的周围的结构的图。

关于图10的抗蚀液供给装置200，其一部分、具体来讲是包括泵207的比过滤器206靠下游侧的部分被配设在收容抗蚀剂涂布装置32的壳体400内。

在壳体400内，以覆盖该壳体400的上表面的方式设置过滤器401。从过滤器401供给温度以及湿度被调整了的清洁的空气，由此将壳体400内管理、调节为规定的温度(例如23℃)以及规定的湿度。

另外，在壳体400中，为了使泵207的后述的电动机510的热不影响到抗蚀剂涂布装置32，在泵207与抗蚀剂涂布装置32之间设有隔热构件410。并且，在壳体400内设有管路温度调节机构420，该管路温度调节机构420对比泵207靠下游侧的供给路径202内的抗蚀液进行温度调节。

另外，如图11所示，在本实施方式中，泵207具有抗蚀液的容器500以及作为驱动部的电动机510。

在容器500内，利用具有挠性的隔膜501形成暂时地贮存抗蚀液的贮存室502。另外，在容器500内，在贮存室502的周围形成有工作液填充室503，在该工作液填充室503填充有作为工作液的工作油，该工作液用于对贮存室502内的抗蚀液的压力进行调整。

电动机510是用于对工作液填充室503内的工作油的压力进行调整的部件，具体来讲，是对调整工作液填充室503内的工作油的压力的未图示的调整单元进行驱动的部件。

并且，在本实施方式中，抗蚀液供给装置200在泵207的容器500与电动机510之间具有隔热构件600。由此，能够防止电动机510所产生的热影响到容器500内的工作油进而影响到抗蚀液。

另外，抗蚀液供给装置200在容器500的外部且与电动机510相反的一侧具有对工作油进行温度调节的温度调节机构601。抗蚀液供给装置200通过利用控制部u控制温度调节机构601来对容器500内的工作油进行温度调节，由此能够控制贮存室502内的抗蚀液的温度。

此外，由温度调整机构对容器500内进行的温度调节例如能够使用被进行了温度调整的水(以下称为调温水)、帕尔贴元件来进行，另外，也能够通过将容器500收容在进行了调温的箱型的装置内来进行。作为使用调温水进行温度调节的方法，存在使调温水在载置了容器500的调温用板的内部循环的方法、将容器500直接浸在调温水内的方法等。

在本实施方式中，抗蚀液供给装置200的比过滤器206靠下游侧的部分配设在内部进行了温度调节的壳体400内。因而，与将抗蚀液供给装置200的整体配设在壳体400外的情况相比，仅通过在泵207的电动机510与容器500之间设置隔热构件600，就能够以不受外部影响的形式，通过对工作液进行温度调节来对抗蚀液进行温度调节。

另外，当不对泵207内的抗蚀液进行温度调节时，作为进行了温度调节的抗蚀液所获得的仅是将泵207与涂布喷嘴142连接的供给管209内的抗蚀液。由于供给管209的径不大，因此为了确保规定量以上的进行了温度调节的抗蚀液，必须使供给管209的被温度调节的部分的长度长。但是，供给管209的被温度调节的部分的长度会因为规格等而无法设为规定的长度以上。与之相对，在本实施方式中，由于对泵207内的抗蚀液进行温度调节，因此能够将供给管209的被温度调节的部分的长度缩短。另外，在抗蚀液的温度调节的目标温度接近于壳体400内所管理的温度的情况下，能够省略供给管209处的温度调节。

在以上的各实施方式涉及的抗蚀液供给装置中，也可以设置对过滤器206进行温度调节的过滤器用温度调节机构。由此，能够提高过滤器206对异物的收集效率。

此外，以上，作为本发明涉及的处理液供给装置所供给的处理液，以抗蚀液为例进行了说明，但也可以是例如供给显影液。

以上说明了本发明的实施方式，但本发明并不限定于所述例子。本领域技术人员明确可知在权利要求书记载的技术思想的范围内能够想到各种的变形例或者修改例，应理解为这些当然也属于本发明的技术范围。

产业上的可利用性

本发明对于向被处理体涂布处理液的技术是有用的。