1.一种厨下垃圾粉碎总成，包括电机驱动的粉碎机，其特征在于：所述粉碎机的外侧分体式设置有用于控制粉碎机工作的主控器，所述主控器内设有霍尔检测电路、电流检测电路和电机驱动电路，所述霍尔检测电路能够检测电机的转速并发送给电机驱动电路，所述电机驱动电路能够控制电机的功率以及控制电机遇阻反转，所述电流检测电路能够检测电机的实时功率。
2.根据权利要求1所述的一种厨下垃圾粉碎总成，其特征在于：所述电机驱动电路包括ir2136芯片、三个第一电容器(c20、c24、c26)、三个第二电容(c21、c25、c27)、三个二极管(d1、d2、d3)、三个第一电阻(r22、r26、r34)、三个第二电阻(r13、r14、r15)、一个第三电容(c18)、一个第四电容(c19)、一个第三电阻(r35)、三个第一nmos管(q1、q2、q3)、三个第二nmos管(q4、q5、q6)、三个第四电阻(r16、r17、r18)、三个第五电阻(r19、r20、r21)、三个第六电阻(r23、r24、r25)、三个第七电阻(r28、r29、r30)、三个第八电阻(r31、r32、r33)和两个第五电容(c22、c23)，每个第一电容器均与对应的第二电容器并联设置，每对第一电容器和第二电容器的一端同时与ir2136芯片三个对应的高侧浮动电源电压接口(vb1、vb2、vb3)以及对应的二极管的负极连接，每对第一电容器和第二电容器的另一端同时与ir2136芯片三个对应的高侧浮动电源偏置电压接口(vs1、vs2、vs3)以及对应的第一电阻的一端相连，三个第一电阻的另一端分别与三相电源的u、v、w连接，三个二极管的正极分别与对应第二电阻的一端相连，三个第二电阻的另一端均与+15v的电源以及第三电容和第四电容的一端相连，所述第三电容和第四电容的另一端均与ir2136芯片的com接口以及第三电阻的一端相连，每个第一nmos管的栅极均通过第四电阻与ir2136芯片上对应的高侧输出电压接口(ho1、ho2、ho3)连接，每个第一nmos管的漏极均与+310v的电源连接，每个第一nmos管的删极和源极之间均连接有第五电阻，每个第一nmos管的源极均通过第六电阻接地，每个第二nmos管的栅极均通过第七电阻与ir2136芯片上对应的低侧输出电压接口(lo1、lo2、lo3)连接，每个第二nmos管的漏极均与对应的第一nmos管的源极相连，每个第二nmos管的栅极和源极之间均连接有第八电阻，三个第二nmos管的源极均与第三电阻的晾一段相连，第五电容设于相邻两个第一nmos管之间，第五电容的一端与第一nmos管的漏极和+310v的电源相连，第五电容的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的一种厨下垃圾粉碎总成，其特征在于：所述电机驱动电路包括第六电容(c29)、第七电容(c30)、第八电容(c31)、第九电阻(r36)、第十电阻(r37)和第十一电阻(r38)，所述第六电容和第七电容并联并且一端均与ir2136芯片的itrip接口以及第九电阻和第十电阻的一端连接，所述第六电容和第七电容的另一端接地，所述第十电阻的另一端接地，所述第九电阻的另一端分别与三个第二nmos管的源极以及第八电容和第十一电阻的一端相连，所述第八电容和第十一电阻的另一端接地。
4.根据权利要求2所述的一种厨下垃圾粉碎总成，其特征在于：所述第一电阻和第三电阻均为5r1电阻，所述第二电阻为30r电阻，所述第四电阻和第七电阻均为51r电阻，所述第五电阻和第八电阻均为10k电阻，所述第六电阻为100k电阻，所述第一电容的电容量为2.2μf，击穿电压为25v；所述第二电容的电容量为0.1μf，所述第三电容的电容量为200pf，所述第四电容的电容量为100pf，所述第五电容的电容量为0.1μf，击穿电压为630v。
5.根据权利要求3所述的一种厨下垃圾粉碎总成，其特征在于：所述第六电容和第八电容的电容量均为10μf，第七电容的电容量为1μf，所述第九电阻为182r电阻，所述第十电阻为53.6r电阻，所述第十一电阻为r025电阻。