本发明涉及半导体晶圆技术领域，具体涉及一种半导体晶圆切割液。
背景技术：
在半导体晶圆切割过程中，由于强机械力的作用，半导体晶圆边沿容易出现微裂、崩边和应力集中点，半导体晶圆表面也存在应力分布不均和损伤，这些缺陷是造成半导体晶圆制造中产生大量滑移线、外延层错、滑移位错、微缺陷等二次缺陷以及半导体晶圆、芯片易破裂的重要因素。半导体晶圆中存在的损伤和应力的问题已经成为微电子工业继续发展的障碍，线切割工艺中克服线锯的晃动、提高其稳定性，对降低硅片表面损伤、特别是表面较粗糙的缺陷具有重要作用，但选择性能优良的线切割液更是减小或避免上述问题的重要途径。
技术实现要素：
本发明旨在提供了一种半导体晶圆切割液。
本发明提供如下技术方案：
一种半导体晶圆切割液，其是由如下重量份数的原料组成：聚乙二醇65-90份、螯合剂15-18份、分散剂11-14份、渗透剂30-35份、表面活性剂14-22份。
所述聚乙二醇分子量20000-100000。
所述螯合剂由对苯二酚、三聚磷酸钠和氨基三亚甲基磷酸组成。
所述分散剂由丙烯酸、乙基丙烯酸、马来酸酐、丙烯酰胺基磺酸以1：1：3：2的重量比组成。
所述渗透剂是聚氧乙烯仲烷基醇醚(jfc)。
所述表面活性剂为氯化硬脂基二甲基苄基铵、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的切割液能有效降低表面张力、减少摩擦力，切割片薄，成品率明显优于其它切割润滑产品；另外本发明的切割液具有很好的冷却和润滑作用，降低了半导体晶圆的表面损伤，机械应力，有利于半导体晶圆后续工序清洗，能有效地改善半导体晶圆的厚度误差，提高切割良率。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1一种半导体晶圆切割液，其是由如下重量份数的原料组成：聚乙二醇65份、螯合剂15份、分散剂11份、渗透剂30份、表面活性剂14份。
所述聚乙二醇分子量20000-100000。
所述螯合剂由对苯二酚、三聚磷酸钠和氨基三亚甲基磷酸组成。
所述分散剂由丙烯酸、乙基丙烯酸、马来酸酐、丙烯酰胺基磺酸以1：1：3：2的重量比组成。
所述渗透剂是聚氧乙烯仲烷基醇醚(jfc)。
所述表面活性剂为氯化硬脂基二甲基苄基铵、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵。
实施例2一种半导体晶圆切割液，其是由如下重量份数的原料组成：聚乙二醇90份、螯合剂18份、分散剂14份、渗透剂35份、表面活性剂22份。
所述聚乙二醇分子量20000-100000。
所述螯合剂由对苯二酚、三聚磷酸钠和氨基三亚甲基磷酸组成。
所述分散剂由丙烯酸、乙基丙烯酸、马来酸酐、丙烯酰胺基磺酸以1：1：3：2的重量比组成。
所述渗透剂是聚氧乙烯仲烷基醇醚(jfc)。
所述表面活性剂为氯化硬脂基二甲基苄基铵、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵。
实施例3一种半导体晶圆切割液，其是由如下重量份数的原料组成：聚乙二醇82份、螯合剂17份、分散剂12份、渗透剂33份、表面活性剂18份。
所述聚乙二醇分子量20000-100000。
所述螯合剂由对苯二酚、三聚磷酸钠和氨基三亚甲基磷酸组成。
所述分散剂由丙烯酸、乙基丙烯酸、马来酸酐、丙烯酰胺基磺酸以1：1：3：2的重量比组成。
所述渗透剂是聚氧乙烯仲烷基醇醚(jfc)。
所述表面活性剂为氯化硬脂基二甲基苄基铵、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。