用于屏蔽电磁辐射的基于石墨烯的结构和方法

用于屏蔽电磁辐射的基于石墨烯的结构和方法
【专利摘要】本发明涉及用于屏蔽电磁辐射的基于石墨烯的结构和方法。将物体从频率大于1兆赫兹的电磁辐射屏蔽的电磁干扰屏蔽结构和方法一般而言包括在将被屏蔽的物体附近设置高度掺杂的石墨烯片。所述高度掺杂的石墨烯片可具有能有效地反射电磁辐射的大于>1e1013cm-2的掺杂浓度或能有效地吸收电磁辐射的1e1013cm-2>n>0cm-2的掺杂浓度。
【专利说明】用于屏蔽电磁辐射的基于石墨烯的结构和方法
【技术领域】
[0001]本公开一般涉及使用石墨烯来屏蔽电磁波的结构和方法，更具体地，涉及这样的掺杂的石墨烯片(graphene sheet)的方法和结构:所述掺杂的石墨烯片被配置为根据其中的掺杂剂的量来反射和/或吸收从电磁波发生源发射的电磁波。
【背景技术】
[0002]已知无线电、微波和太赫兹的电磁(HM)辐射的发射会干扰电子设备的操作，且与对暴露的个体造成的各种健康危害有关。例如，世界卫生组织最近宣称暴露于微波辐射可增加患脑癌的风险。由于担心这些问题，EM辐射是严重的问题，并已开展了旨在提供各种屏蔽材料和设备的尝试。目前使用的最常用的EM屏蔽是由在玻璃和塑料基板上的金属膜、金属栅格、金属泡沫或粉末制成的。一个例子是屏蔽的电缆，其具有围绕内芯导体的金属丝网形式的电磁屏蔽。屏蔽阻止了任何信号从芯导体逃逸，并且还阻止信号被添加到芯导体。某些电缆具有两个分隔的同轴丝网(screen)，一个连接在两端，另一个仅连接在一端，以最大化对电磁场和静电场二者的屏蔽。另一个例子是微波炉的门，其典型地具有被构建到窗口中的金属丝网。从微波(具有12cm的波长)的观点来看，该丝网与微波炉的金属外壳的组合提供了法拉第罩。波长范围在400nm到700nm的可见光容易地穿过金属丝网的开口，而微波被容纳在微波炉本身中。
[0003]由于金属屏蔽的固有重量，增加的重量很显著。而且，许多当前可用的EM屏蔽不是透明的，这对许多应用来说是很大的缺点。诸如铟锡氧化物(ITO)和氧化锌(ZnO)的常规透明且导电的材料已被应用于诸如玻璃和塑料的透明基板以进行EM屏蔽。但是，这些类型的透明EM屏蔽的使用在其使用中非常受限，这是因为这些材料的屏蔽效能通常很低，且屏蔽本身典型地是非柔性的(inflexible)，且这些类型的EM屏蔽提供了有限的机械强度。为这些类型的材料提供更高的EM效能要求增加的厚度，而增加的厚度会影响透明性。
[0004]因此提供用于充分地屏蔽电子设备的方法和结构将是有用的，其中所述结构相对较轻、可以相对较低的成本被提供给设备和并入到设备中，同时给设备增加很小的重量，并且是耐腐蚀的。

【发明内容】

[0005]根据一个实施例，一种用于屏蔽从频率大于I兆赫兹的源发射的电磁福射的电磁干扰屏蔽结构包括一个或多个石墨烯片，其中所述石墨烯片中的至少一个被掺杂有掺杂齐U，所述掺杂剂的掺杂浓度具有能有效反射大于I兆赫兹的频率的电磁辐射的量。
[0006]在另一个实施例中，一种用于屏蔽从频率大于I兆赫兹的源发射的电磁福射的电磁干扰屏蔽结构包括一个或多个石墨烯片，其中所述石墨烯片中的至少一个被掺杂有掺杂齐U，所述掺杂剂的掺杂浓度具有能有效吸收大于I兆赫兹的频率的电磁辐射的量。
[0007]在另一个实施例中，一种用于屏蔽大于I兆赫兹的频率的电磁辐射的电磁干扰屏蔽结构包括:一个或多个石墨烯片，其中所述一个或多个石墨烯片中的至少一个包括掺杂剂，所述掺杂剂的掺杂浓度能有效反射和/或吸收大于I兆赫兹的频率的电磁辐射；以及柔性基板，其中所述一个或多个石墨烯片被设置在所述柔性基板上。
[0008]通过本发明的技术还实现了另外的特征和优点。本发明的其他实施例和方面在此被详细描述并被认为是所要求保护的发明的一部分。为了更好地理解本发明的优点和特征，参考说明和附图。
【专利附图】

【附图说明】
[0009]在说明书的结尾处的权利要求书中具体地指出并明确地要求保护被认为是本发明的主题。通过以下结合附图进行的详细描述，本发明的前述和其他特征和优点将变得明显，在附图中:
[0010]图1示例出根据实施例用于要从电磁辐射屏蔽的物体的电磁屏蔽结构，该结构包括被单独掺杂的石墨烯片。
[0011]图2示例出根据实施例用于要从电磁辐射屏蔽的物体的电磁屏蔽结构，该结构包括惨杂的最上面的石墨稀片。
【具体实施方式】
[0012]本文中公开了用于屏蔽从电磁辐射源发射的电磁辐射的电磁屏蔽结构和方法。所述电磁屏蔽结构一般由一个或多个掺杂石墨烯片形成。
[0013]石墨烯是一种以平面六角形结构排列的二维的碳原子同素异形体。其以有用的电子特性为特征，这些电子特性包括两极性、高纯度、高迁移率和高临界电流密度。已报导了在室温下高达200，000cm2/Vs的电子迁移率值。
[0014]在结构上，石墨烯具有由sp2杂化而形成的杂化轨道。在sp2杂化中，2s轨道和三个2p轨道中的两个混合而形成三个sp2轨道。剩下的一个P轨道在碳原子之间形成π键。与苯的结构相似，石墨烯的结构具有P轨道的共轭环，该共轭环呈现出比仅通过共轭的稳定性所期望的更强的稳定性，即，石墨烯结构是芳族结构。与诸如金刚石、无定形碳、碳纳米泡沫(carbon nanofoam)、或富勒烯的其它碳的同素异形体不同,石墨烯不是碳的同素异形体，这是因为石墨烯的厚度是一个原子碳层，即，一个石墨烯片不形成三维晶体。然而，多个石墨烯片可被层叠。典型的石墨烯“层”可包括单个或多个石墨烯片，例如，在I片和10片之间。
[0015]石墨烯具有不寻常的带结构，其中锥形电子和空穴袋仅在动量空间中的布里渊区(Brillouin zone)的K点处相遇。电荷载流子(即电子或空穴)的能量具有对载流子的动量的线性相关性。结果，载流子如同具有零有效质量的相对的狄拉克-费米子(Dirac-Fermions)，并以cejf ￡ 106m/sec的有效光速移动。其相对量子力学行为由狄拉克方程支配。结果，石墨烯片具有在4K下最高60，000cm2/V-sec的大载流子迁移率。在300K下，载流子迁移率为约15，000cm2/V-sec。而且，在石墨烯片中已观察到量子霍尔效应。
[0016]通过对石墨烯片进行掺杂，由于泡利阻塞(Pauli blocking),可以获取更高的载流子吸收，并具有在近红外和可见波长范围内更高的透明度。
[0017]有利地，根据本公开的电磁屏蔽结构通过在I兆赫兹到约几百吉赫兹的频率范围的反射和/或吸收来提供有效的屏蔽，这是对现有电磁屏蔽材料的显著改善。此外，由于石墨烯是由按蜂巢状晶格堆积的碳原子形成的一个原子厚度的单层片，其中，每个碳原子通 过sp2键合而被键合到三个邻近的碳原子，提供>40分贝(dB)屏蔽效能所需的总体厚度例 如为若干纳米的量级。此外，通过对石墨烯片进行掺杂，提高了屏蔽效能。这样，掺杂的石 墨烯片的使用为要屏蔽的物体提供最小的附加重量，具有宽带能力，并提供作为其掺杂的 函数的更大的通用性。此外，石墨烯因为其高机械强度和高稳定性而被广泛认可。与此形 成对照，现有电磁屏蔽材料需要增加的厚度来提高屏蔽效能。在本公开中，针对给定厚度的 层置石墨稀片来提闻惨杂水平提供了提闻的屏蔽效能。
[0018]石墨烯片可以通过本领域已知的任何合适的工艺来制造。例如，可以通过固态石 墨化，即，通过使硅原子从碳化硅表面的表面(例如(001)表面)升华，来形成石墨烯。在约 1，150°c下，在石墨化的初始阶段开始出现表面重构的复杂图案。典型地，需要更高的温度 来形成石墨烯层。
[0019]在本领域中已知石墨烯层在另一材料上的形成。例如，可以通过碳化硅材料的表 面层的升华分解来在碳化硅基板上形成单个或多个石墨烯层。
[0020]Jang等人的序列号为7，071, 258的美国专利和Kishi等人的序列号为6，869，581 的美国专利描述了石墨烯层的已知特性和形成方法，其内容通过引用并入本文中。另外， DeHeer等人的序列号为2006/00099750的美国专利申请公开和DeHeer等人的序列号为 7，015，142的美国专利描述了形成石墨烯层的方法，其内容通过引用并入本文中。
[0021 ] 根据某些应用中的需要，石墨烯层可以在基板上形成。特定的基板不旨在被限制， 且甚至可以包括电磁辐射源自身。在一个实施例中，基板是透明的。在其他实施例中，基板 是柔性的。在另外的实施例中，基板既是柔性的，也是透明的。类似地，基板的形状不旨在被 限制。例如，基板可具有平面和/或曲线表面，例如可被发现为箔状、盘状、管状等。此外， 基板材料不旨在被限制。合适的材料包括塑料、金属等。
[0022]仅通过实例，可以使用在金属(例如箔)基板上的化学气相沉积(CVD)来形成石 墨烯片。例如参见 Li 等人的 “Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils,’’Science, 324，pgs.1312-1314 (2009)(以下称为“Li”) 和 Kim 等人的“Large-Scale Pattern Growth of Graphene Films for Stretchable Transparent Electrodes, ” Nature, vol.457，pgs.706-710 (2009)(以下称为“Kim”)，其中 每个的内容通过引用并入本文中。化学剥离也可被用于形成石墨烯片。这些技术对于本领 域技术人员是已知的，由此在这里不再描述。根据制造工艺，所制备的石墨烯片典型地具有 从约250欧姆每平方(ohm/sq)到约4，OOOohm/sq的薄层电阻。
[0023]一旦形成了石墨烯片，使用传统的剥离技术将石墨烯片沉积到基板上。通常，石墨 烯片被沉积为一个在另一个的顶上以形成膜。由此，仅通过实例，石墨烯膜可包括多个石墨 烯片(也称为层)的叠层。术语“基板”被用来通指想要在其上沉积石墨烯膜的任何合适的 基板。仅通过实例，基板可以是要屏蔽的物体或可以是柔性膜，其可以可选地是透明的。柔 性膜然后可被应用于要屏蔽的物体。
[0024]将掺杂的石墨烯膜与一个或多个结构性材料(structural material)组合以形 成复合材料的步骤可以使用本领域已知的多种技术来实现，所述技术适当地保持石墨烯膜 的整体性。多种结构材料可被设想用于该复合材料的构造。在一个实施例中，结构性材料 可包括实质上任何低传导性基板或结构。例如，结构性材料可包括泡沫、蜂窝、玻璃纤维叠层、Kevlar纤维复合材料、聚合物材料、或其组合。合适的结构性材料的非限制性例子包 括聚氨酯、硅氧烷、氟硅氧烷、聚碳酸酯、乙烯乙酸乙烯酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚砜、 丙烯酸树脂(acrylics)、聚氯乙烯、聚亚苯基醚、聚苯乙烯、聚酰胺、尼龙、聚烯烃、聚(醚醚 酮)、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、含氟聚合物、 聚酯、缩醛、液晶聚合物、聚丙烯酸甲酯、聚苯醚、聚苯乙烯、环氧类、酚类、氯磺酸酯、聚丁二 烯、布纳N (buna-N)、丁基橡胶(butyls)、氯丁橡胶、腈类、聚异戍二烯、天然橡胶、诸如苯 乙烯_异戍二烯_苯乙烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯、乙烯-丙烯、乙烯-丙烯-二烯单体 (EPDM)Jf - 丁二烯和苯乙烯-丁二烯、及其共聚物和混合物。任何前述材料可被无泡沫 地使用，或者如果应用需要，可被吹制或被化学或物理地处理成开放的或闭合的基元泡沫 (cell foam)。
[0025]类似地，如本文中所述的石墨烯膜可被直接沉积到要被保护免受电磁辐射的设 备，以封装和/或封闭该设备。该设备可以实质上是包含电子电路的任意设备、其非限制性 的例子包括计算机、移动和固定电话(landline telephone)、电视、收音机、个人数字助理、 数字音乐播放器、医疗仪器、汽车、航行器和卫星。
[0026]应该很明显，使用不超过常规试验，本领域技术人员可以基于诸如工作温度、硬 度、化学相容性、弹性、顺从性、压缩偏转、压缩变定(compression set)、柔性、变形后恢复 的能力、模量、拉伸强度、延展率、力缺陷(force defection)、易燃性或任何其他化学或物 理特性来选择性结构性材料以与石墨烯膜一起使用。
[0027]在图1所示的一个实施例中，用于屏蔽物体12免受电磁辐射的电磁屏蔽结构10 包括一个或多个石墨烯片14\142、...14n，其被传递(transfer)到要屏蔽的物体。用掺杂 剂15来掺杂每个单独的石墨烯片，以提高屏蔽效能和可见光范围内的透明度。在一个实 施例中，用P型掺杂剂来掺杂石墨烯片，使得电子从石墨烯流出，由此提高石墨烯层的功函 数。可选地，所述一个或多个石墨烯片被传递到柔性基板16。在一个实施例中，柔性基板对 于可见波长范围内的辐射透明。
[0028]所使用的石墨烯片的数量可依赖于所预期的应用而变化。例如，如上所述，石墨烯 可被用作单层或以多层配置来使用。这样，石墨烯层可具有约I纳米到约100纳米的厚度， 在其他实施例中从约IOnm到约80nm的厚度,且在另一实施例中可具有最高为约IOOnm的厚度。
[0029]在图2所示的另一实施例中，用于屏蔽物体22免受电磁辐射的电磁屏蔽结构20 包括一个或多个石墨烯片24\242、...24n，其被传递到要屏蔽的物体。在所有石墨烯片都被 传递之后，用掺杂剂25对经传递的片进行掺杂，即，对叠层执行掺杂。可选地，所述一个或 多个石墨烯片被传递到柔性基板6。在一个实施例中，柔性基板对于可见波长范围内的辐射 是透明的。所使用的石墨烯片的数量可依赖于所预期的应用而变化。
[0030]如上所述，石墨烯膜被掺杂。如这里所使用的，术语被掺杂是指某个量的掺杂剂被 用于实现在石墨烯片中的掺杂浓度(n)，该石墨烯片是反射性的。通过实例，掺杂浓度(n) 为高掺杂以实现反射，且大于IelO13Cm'在另一实施例中，掺杂浓度能有效吸收电磁辐射。 通过实例，掺杂浓度(n)在le1013Cm_2>n>lel012Cm_2时为中度掺杂。在其他实施例中，掺杂浓 度(n)在 lel012cm_2>n>0cm_2 为低掺杂。
[0031]掺杂剂可作为溶液和/或蒸汽而被施加。通过实例，在约室温到约120°C的温度下搅动约一小时到若干天，来将石墨烯片添加到掺杂剂溶液。在该过程结束时，石墨烯层现在 为高度掺杂的。通过分离技术(过滤洗涤、离心分离、叉流(cross-flow)过滤)来去除残留 的掺杂剂。
[0032]用于提高屏蔽效能的合适掺杂剂的例子包括氧化掺杂剂，例如但不限于氢溴酸、 氢碘酸、硝酸、硫酸、发烟硫酸(oleum)、盐酸、柠檬酸、草酸或金属盐，金属盐的例子包括但 不限于氯化金、硝酸银等。将石墨烯膜暴露于掺杂剂溶液和/或蒸气中会使石墨烯的费米 能级进一步偏移远离狄拉克点，导致导电率的大幅增加和薄层电阻的降低，而不会使石墨 烯层的共轭网络中断。
[0033]以dB为单位的屏蔽效能可用以下等式来表示:SE=201og(Ei/Et) ；SE=IOlog(Pi/ Pt)，其中，E是单位为V/m的场强度，P是单位为W/m2的场强度，i是入射波场，且t是导电 场。在本公开中，当电磁波频率大于IMHz时，根据本公开的电磁干扰屏蔽结构的屏蔽效能 (SE)至少为30dB或更大，且在其他实施例中大于40dB或更大。
[0034]在此使用的术语是仅仅用于描述具体实施例的目的，而不旨在限制本发明。在此 使用的单数形式的“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中明确地另外指 出。还应理解，除非明确指示为相反以及在用于该说明书中时，术语“包括”和/或“包含” 旨在为开放式、非限定性的，规定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不 排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。
[0035]在下面的权利要求中的所有装置或步骤加功能要素的对应结构、材料、动作和等 价物旨在包括用于与具体地要求保护的其他要求保护的要素组合地执行功能的任何结构、 材料或动作。本发明的说明书是为了示例和说明的目的而给出的，而不旨在以所公开的形 式穷举或限制本发明。只要不脱离本发明的范围和精神，多种修改和变化对于本领域的普 通技术人员而言是显而易见的。为了最好地解释本发明的原理和实际应用，且为了使本领 域的其他普通技术人员能够理解本发明的具有适于所预期的特定用途的各种修改的各种 实施例，选择和描述了实施例。
【权利要求】
1.一种用于屏蔽从频率大于I兆赫兹的源发射的电磁辐射的电磁干扰屏蔽结构，包括: 一个或多个石墨烯片，其中所述石墨烯片中的至少一个被掺杂有掺杂剂，所述掺杂剂的掺杂浓度具有能有效反射大于I兆赫兹的频率的电磁辐射的量。
2.如权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述掺杂浓度(η)大于>lel013cnT2。
3.如权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，还包括柔性基板，其中所述一个或多个石墨烯片被设置在柔性基板上。
4.如权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述一个或多个石墨烯片被配置为提供大于40dB的屏蔽效能。
5.如权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述一个或多个石墨烯片中的每一个被掺杂有所述掺杂剂。
6.如权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述一个或多个石墨烯片中的最上层被掺杂有所述掺杂剂。
7.如权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述一个或多个石墨烯片被配置为织物。
8.如权利要求1所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述一个或多个石墨烯片对于可见辐射而言是透明的。
9.如权利要求1所述的`电磁干扰屏蔽结构，其中所述掺杂剂包括选自氢溴酸、氢碘酸、硝酸、硫酸、发烟硫酸、盐酸、柠檬酸以及草酸的酸，或选自氯化金和硝酸银的金属盐。
10.一种用于屏蔽从频率大于I兆赫兹的源发射的电磁辐射的电磁干扰屏蔽结构，包括: 一个或多个石墨烯片，其中所述石墨烯片中的至少一个被掺杂有掺杂剂，所述掺杂剂的掺杂浓度具有能有效吸收大于I兆赫兹的频率的电磁辐射的量。
11.如权利要求10所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述掺杂浓度(η)是IelO13Cm 2>n>lel012cm 2。
12.如权利要求10所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述掺杂浓度(η)是IelO12Cm 2>n>0cm 2。
13.如权利要求10所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述掺杂剂包括选自氢溴酸、氢碘酸、硝酸、硫酸、发烟硫酸、盐酸、柠檬酸、草酸的酸，或选自氯化金和硝酸银的金属盐。
14.一种用于屏蔽来自频率大于I兆赫兹的源的电磁福射的电磁干扰屏蔽结构，包括: 一个或多个石墨烯片，其中所述一个或多个石墨烯片中的至少一个包括掺杂剂，所述掺杂剂的掺杂浓度能有效反射和/或吸收大于I兆赫兹的频率的电磁辐射；以及 柔性基板，其中所述一个或多个石墨烯片被设置在所述柔性基板上。
15.如权利要求14所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述掺杂浓度为大于IelO13CnT2的量。
16.如权利要求14所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述掺杂浓度(η)是IelO13Cm 2>n>lel012cm 2。
17.如权利要求14所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述掺杂浓度(η)是IelO12Cm 2>n>0cm 2。
18.如权利要求14所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述一个或多个石墨烯片被配置为提供大于40dB的屏蔽效能。
19.如权利要求14所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述一个或多个石墨烯片中的每一个被掺杂有所述掺杂剂。
20.如权利要求14所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述一个或多个石墨烯片被配置为织物。
21.如权利要求14所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述柔性基板和所述一个或多个石墨烯片对于可见辐射而言是透明的。
22.如权利要求14所述的电磁干扰屏蔽结构，其中所述掺杂剂包括选自氢溴酸、氢碘酸、硝酸、硫酸、发烟硫酸、盐酸、柠檬酸以及草酸的酸，或选自氯化金和硝酸银的金属盐。
23.一种用于将物体从由电磁源发射的频率大于I兆赫兹的电磁辐射屏蔽的方法，包括: 在所述物体上或附近设置一个或多个石墨烯片，其中所述石墨烯片中的至少一个或多个被掺杂有掺杂剂。
24.如权利要求23所述的方法，其中掺杂浓度(η)大于>lel013cm_2。
25.如权利要求23所述的方法，其中掺杂浓度(η)是Iel013cm_2>n>lel012cm_2。
26.如权利要求23所述的方法，其中掺杂浓度(η)是lel012cm_2>n>0cm_2。
27.如权利要求23所述的 方法，其中设置一个或多个石墨烯片包括将第一石墨烯片传递到所述物体；掺杂所述第一石墨烯片以形成掺杂的石墨烯片；将至少一个另外的石墨烯片传递到所述第一掺杂的石墨烯片；以及掺杂所述至少一个另外的石墨烯片；其中，该过程被重复，直到获得所需的厚度。
28.如权利要求24所述的方法，其中所述一个或多个掺杂的石墨烯片对于可见光谱内的电磁辐射而言是透明的。
29.如权利要求23所述的方法，其中所述一个或多个石墨烯片被配置为织物。
30.如权利要求23所述的方法，还包括将所述第一石墨烯片传递到柔性基板，其中所述柔性基板被设置在所述物体上或附近。
31.如权利要求23所述的方法，其中所述物体包括曲线表面。
32.如权利要求23所述的方法，其中所述掺杂剂选自无机酸和金属盐。
33.如权利要求32所述的方法，其中所述金属盐是氯化金。
34.如权利要求32所述的方法，其中所述无机酸选自氢溴酸、氢碘酸、硝酸、硫酸、发烟硫酸、盐酸、柠檬酸和草酸。
35.如权利要求33所述的方法，其中所述一个或多个石墨烯片是通过化学气相沉积形成的。
36.一种用于将物体从由电磁源发射的频率大于I兆赫兹的电磁辐射屏蔽的方法，包括: 在所述物体上或附近设置一个或多个石墨烯片，其中所述石墨烯片中的至少一个或多个被掺杂有掺杂剂，所述掺杂剂具有能有效反射和/或吸收所述电磁辐射的量。
37.如权利要求36所述的方法，其中，所述一个或多个石墨烯片包括将第一石墨烯片传递到所述物体；掺杂所述第一 石墨烯片以形成掺杂的石墨烯片；将至少一个另外的石墨烯片传递到所述第一掺杂的石墨烯片；以及掺杂所述至少一个另外的石墨烯片；其中，该过程被重复，直到获得所需的厚度。
38.如权利要求36所述的方法，其中掺杂浓度(η)大于>lel013cm_2。
39.如权利要求36所述的方法，其中所述掺杂浓度(η)是Iel013cm-2>n>lel012cm-2。
40.如权利要求36所述的方法，其中掺杂浓度(η)是lel012cm-2>n>0cm-2。
41.如权利要求36所述的方法，还包括将所述第一石墨烯片传递到柔性基板，其中所述柔性基板被设置在所述物体上或附近。
42.如权利要求36所述的方法，其中所述掺杂剂选自无机酸和金属盐。
43.如权利要求42所述的方法，其中所述金属盐是氯化金。
44.如权利要求42所述的方法，其中所述无机酸选自氢溴酸、氢碘酸、硝酸、硫酸、发烟硫酸、盐酸、柠檬酸和草酸。
【文档编号】B82Y30/00GK103507320SQ201310232829
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年6月13日 优先权日:2012年6月14日
【发明者】P·阿沃里斯, A·V·加西亚, 宋均镛, 夏丰年, 晏湖根 申请人:国际商业机器公司