技术总结
本发明公开了一种MEMS器件的制造方法。该制造方法包括：在SOI片或载体裸硅片的表面喷涂临时键合后解键合时所需的释放层；于SOI片或载体裸硅片上旋涂临时键合时所需的黏胶层；将SOI片和载体裸硅片临时键合在一起并固化；在键合片的载体裸硅片的表面旋涂抗碱腐蚀的胶层；对SOI片的底层硅基体进行腐蚀，以将基底部分腐蚀去除；去除抗碱胶层并清洗键合片；腐蚀去除埋氧层；将键合片器件层一面粘贴于UV膜上；将键合片解键合以移除载体裸硅片；清洗器件层，去除解键合后残留于器件层表面的释放层，以得到器件。本发明的制造方法，能够生产制造10um甚至以下厚度的超薄器件，同时保持极佳的厚度均匀性，制造精度高且便于量产。
技术研发人员：薛维佳;陈倩;袁霞
受保护的技术使用者：上海先进半导体制造股份有限公司
文档号码：201510694882
技术研发日：2015.10.22
技术公布日：2017.05.03