1.一种红外探测器像元结构，位于一硅衬底上，硅衬底表面具有导电金属区；红外探测结构，位于硅衬底上方，用于探测红外光并产生电信号；导电梁结构，与红外探测结构相电连，用于将红外探测结构产生的电信号传输到导电金属区；其特征在于，导电梁结构包括：位于导电梁结构最顶层的导电梁，以及多层导电沟槽；
每一层导电沟槽的底部与其下方相邻层的导电沟槽的顶部分别连接于一导电梁的两端；其中一层导电沟槽的底部与导电金属区相接触；导电梁结构的最顶层中具有顶层导电沟槽和顶层导电梁；顶层导电梁与红外探测结构相连接，使微桥结构位于导电梁结构之上，每一层的导电沟槽和导电梁构成了迂回阶梯状的结构，从而使微桥结构产生的电信号的传输路径呈迂回阶梯状；
微桥结构产生的电信号从顶层导电梁传输到顶层导电沟槽的顶部，再传输到顶层导电沟槽的底部，经过多层导电沟槽和导电梁之间的传输，最后传输到导电金属区。
2.根据权利要求1所述的红外探测器像元结构，其特征在于，所述导电梁由导电层以及包围导电层的释放保护层构成；每层所述导电沟槽由上释放保护层、下释放保护层以及位于上释放保护层和下释放保护层之间的导电层构成。
3.根据权利要求1所述的红外探测器像元结构，其特征在于，所述导电梁由导电层以及位于导电层上表面的释放保护层构成；每层所述导电沟槽由导电层以及位于导电层上的释放保护层构成。
4.根据权利要求1所述的红外探测器像元结构，其特征在于，所述导电梁由导电层构成；每层所述导电沟槽由导电层构成。
5.根据权利要求4所述的红外探测器像元结构，其特征在于，所述导电梁的底部具有凸起。
6.根据权利要求1所述的红外探测器像元结构，其特征在于，所述硅衬底表面还具有反射区，反射区位于红外探测结构下方，且在反射区和导电金属区之间具有介质层；互连层还连接有外部电路。
7.一种制备权利要求1所述的红外探测器像元结构的方法，其特征在于，包括：
步骤01：提供一硅衬底，并且在硅衬底表面形成导电金属区；
步骤02：在所述硅衬底上形成一层牺牲层；在该层牺牲层中刻蚀出导电沟槽的图案和/或导电梁的图案，并且在导电沟槽的图案和/或导电梁的图案中形成导电层，从而形成该层的导电沟槽或导电梁；
步骤03：重复步骤02的过程，其中，形成最顶部的牺牲层后，在最顶部的牺牲层中刻蚀出顶层导电沟槽的图案和顶层导电梁的图案，并且在顶层导电沟槽的图案和顶层导电梁的图案中形成导电层，从而形成顶层导电沟槽和顶层导电梁，以完成所述导电梁结构的制备；
步骤04：在最顶层的牺牲层和和顶层导电梁上形成所述红外探测结构，使顶层导电梁的一端与红外探测结构相接触；
步骤05：经释放工艺，将所有的牺牲层都释放掉。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤02中，所述形成导电层的过程具体包括：在导电沟槽的图案和/或导电梁的图案中依次形成下释放保护层、导电层和上释放保护层；或者在导电沟槽的图案和/或导电梁的图案中依次形成导电层和释放保护层；或者在导电沟槽的图案和/或导电梁的图案中只形成导电层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述导电沟槽的图案中只形成导电层时，所述导电层填充满所述导电沟槽的图案或者所述导电沟槽侧壁的导电层之间具有空隙。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤02中形成所述导电层的过程还包括：对所述导电层平坦化处理，从而去除高于所述牺牲层表面的所述导电层。