技术特征：
技术总结
本发明公开一种全硅环境隔离MEMS器件的制备方法，包括以下步骤：在第一单晶硅片顶面中部刻蚀加热电阻图形、在顶面四周刻蚀悬臂梁图形；在第一SOI硅片的衬底硅四周刻蚀形成预埋空腔；第一SOI与第一单晶硅片硅硅直接键合；在第一SOI硅片的顶层硅上制备MEMS底部电极晶圆；在第二SOI硅片上制备MEMS敏感可动结构；第一SOI与第二SOI硅片硅硅直接键合；在第二单晶硅片顶面集成MEMS结构处理电路与温度控制电路；制备盖帽，盖帽与MEMS底部电极晶圆玻璃浆料键合，形成晶圆级真空封装；对第一单晶硅片底面减薄，形成加热电阻与悬臂梁；划片使加热电阻露出引线键合区；在引线键合区制备加热电阻PAD；划片露出MEMS器件PAD，完成所述全硅环境隔离MEMS器件的制备；整个器件可实现高性能指标，极大提高了环境适应性。
技术研发人员：何凯旋;郭群英;宋东方;郭立建;曹卫达;房立峰
受保护的技术使用者：北方电子研究院安徽有限公司
技术研发日：2018.08.25
技术公布日：2019.02.01