一种基板切割方法与流程

文档序号:21684985发布日期:2020-07-31 21:59阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基板切割方法,用于切割基板,所述基板的正面形成有具有预定功能的功能区域,所述基板还具有围绕该功能区域的待切割区域,该方法包括:

从所述待切割区域的正面刻蚀所述待切割区域至第一深度;以及

从所述基板的背面刻蚀所述基板,同时刻蚀掉所述功能区域背面的基板以及从所述待切割区域的背面刻蚀所述基板至第二深度,其中,所述第一深度与所述第二深度的和小于所述基板的厚度。

2.如权利要求1所述的基板切割方法,其中,

所述待切割区域的剩余厚度的基板的厚度为50~100微米。

3.如权利要求1所述的基板切割方法,其中,

所述功能区域在平行于所述基板的正面方向上的横向尺寸大于所述待切割区域在平行于所述基板的正面方向上的横向尺寸。

4.如权利要求3所述的基板切割方法,其中,

根据所述功能区域背面基板的刻蚀速度和所述待切割区域的背面的刻蚀速度的比值,以及所述待切割区域的剩余厚度的基板的厚度,确定从所述待切割区域的正面进行刻蚀的所述第一深度。

5.一种基板切割方法,用于切割基板,所述基板的正面形成有具有预定功能的功能区域,所述基板还具有围绕该功能区域的待切割区域,所述功能区域与所述基板的正面之间形成有钝化层,该方法包括:

从所述基板的背面刻蚀所述待切割区域的一部分,以及所述功能区域背面的基板,其中,所述待切割区域的一部分被刻透。

6.如权利要求5所述的基板切割方法,其中,

所述待切割区域的未被刻蚀的部分的横向尺寸的最小值小于所述切割区域的宽度。

7.如权利要求6所述的基板切割方法,其中,

所述待切割区域的未被刻蚀的部分的横向尺寸的最小值为30~50微米。

8.如权利要求5所述的基板切割方法,其中,

在所述待切割区域的长度方向上,所述待切割区域的未被刻蚀的部分与被刻透的部分交替分布。

9.如权利要求1-8中任一项所述的基板切割方法,其中,所述基板切割方法还包括:

切断所述待切割区域的保留的基板,使相邻的所述功能区域彼此分离。


技术总结
本申请提供一种基板切割方法,用于切割基板,所述基板的正面形成有具有预定功能的功能区域,所述基板还具有围绕该功能区域的待切割区域,该方法使用半导体工艺中的除激光刻蚀之外的其它的刻蚀工艺对基板的待切割区域进行蚀刻处理,从而仅在待切割区域的横向或厚度方向保留基板的一部分,降低了对基板进行切割的难度,并且降低了切割工艺的成本。

技术研发人员:顾佳烨
受保护的技术使用者:上海新微技术研发中心有限公司
技术研发日:2019.01.23
技术公布日:2020.07.31
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