用于堆叠体沉积的增强的纳米线结构的制作方法

文档序号:26000924发布日期:2021-07-23 21:17阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种结构(1800),包括:

第一导电层(1308);

具有与所述第一导电层(1308)接触的第一端和从所述第一导电层(1308)突出的第二端的第一导电线(1316);

横向地连接一定数量的第一导电线(1008、1316)以在所述第一导电线(1008、1316)之间提供基本均匀的间距的第一横向桥层(1010、1102、1202、1320),其中所述第一横向桥层(1010、1102、1202)包括覆盖所述第一导电线(1008、1316)的至少一些的所述第二端的覆盖层(1010、1202、1320),所述覆盖层(1010、1202、1320)的材料不同于所述第一导电线(1008、1316)的材料;以及

涂覆所述第一导电线(1008、1316)和所述覆盖层(1010、1202、1320)的电极-绝缘体-电极(eie)堆叠体或绝缘体-电极(ie)堆叠体(1802、1804)。

2.根据权利要求1所述的结构(1800),其中所述第一横向桥层(1010、1102、1202、1320)包括经由它们的外壁横向地连接至少一些所述第一导电线(1008)的横向延伸部(1102)。

3.根据权利要求1或2所述的结构(1800),其中所述覆盖层(1010、1202、1320)是连续的、半连续的、或者不连续的层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的结构(1800),还包括:

具有与所述覆盖层(1010、1202、1320)接触的第一端和从所述覆盖层(1010、1202、1320)突出的第二端的第二导电线;以及

横向地连接一定数量的所述第二导电线以在所述第二导电线之间提供基本均匀的间距的第二横向桥层。

5.根据权利要求4所述的结构(1800),其中所述第二横向桥包括:

覆盖至少一些所述第二导电线的所述第二端的覆盖层;或者

经由它们的外壁横向地连接至少一些所述第二导电线的横向延伸部。

6.根据权利要求4至5中任一项所述的结构(1800),其中所述eie堆叠体或所述ie堆叠体(1802、1804)进一步涂覆所述第二导电线。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的结构(1800),包括:

邻接并横向地包围所述第一导电线(1008)的隔离侧壁。

8.一种制造电子产品的方法,包括:

在基底(1302、1304)上形成阳极蚀刻停止层(1308);

在所述阳极蚀刻停止层(1308)上形成可阳极化层(1310);

对所述可阳极化层(1310)进行阳极化以形成具有孔的阳极氧化物区域(1314);

在所述阳极氧化物区域(1314)的孔内形成具有与所述阳极蚀刻停止层(1308)接触的第一端和从所述阳极蚀刻停止层(1308)突出的第二端的导电线(1316);

形成横向地连接一定数量的所述导电线(1316)的横向桥层(1318、1320),其中形成所述横向桥层(1318、1320)包括在所述阳极氧化物区域的顶表面上形成覆盖所述导电线的至少一些的所述第二端的覆盖层(1318、1320),所述覆盖层(1318、1320)的材料不同于所述导电线(1316)的材料;

选择性地溶解所述阳极氧化物区域(1314);以及

在所述导电线和所述覆盖层(1318、1320)上形成电极-绝缘体-电极(eie)堆叠体或绝缘体-电极(ie)堆叠体(1802、1804)。

9.根据权利要求8所述的方法,还包括:

在所述可阳极化层(1310)上方沉积第一硬掩模(1312);

对所述第一硬掩模(1312)进行图案化以限定所述可阳极化层的部分;以及

对所述可阳极化层的由所述第一硬掩模(1312)限定的部分进行阳极化以形成所述阳极氧化物区域(1314)。

10.根据权利要求9所述的方法,还包括:

在所述阳极氧化物区域上沉积第二硬掩模;

对所述第二硬掩模进行图案化以限定所述阳极氧化物区域的部分;以及

在落在所述阳极氧化物区域的由所述第二硬掩模限定的部分内的所述阳极氧化物区域的孔内形成所述导电线。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法,其中所述阳极氧化物区域包括与所述阳极氧化物区域的相邻孔连接的横向多孔性分支,以及其中形成所述横向桥层包括在所述横向多孔性分支内形成横向延伸部,所述横向延伸部经由它们的外壁横向地连接至少一些所述导电线。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法,其中选择性地溶解所述阳极氧化物区域(1314)包括控制所述阳极氧化物区域(1314)的选择性蚀刻过程以减少在所述阳极蚀刻停止层(1308)与所述导电线(1316)的界面处的蚀刻。

13.根据权利要求8至12中任一项所述的方法,包括:

形成邻接并横向地包围所述导电线(1316)的隔离侧壁。

14.根据权利要求13所述的方法,包括:

溶解所述阳极氧化物区域(1314)的围绕所述导电线(1316)的部分,所述阳极氧化物区域(1314)在溶解部分中没有导电线;以及

在先前由所述阳极氧化物区域(1314)的所述溶解部分占据的空间内形成所述隔离侧壁。

15.根据权利要求14所述的方法,其中所述阳极氧化物区域(1314)的围绕所述导电线的部分包括在所述部分被溶解时未完全延伸至所述阳极蚀刻停止层(1308)的孔。


技术总结
提出了用于在其中沉积堆叠体例如电极‑绝缘体‑电极结构的增强的纳米线结构。所述结构包括:导电层(1308);具有与导电层接触的第一端和从导电层突出的第二端的导电线(1316);以及横向地连接一定数量的导电线以在导电线之间提供基本均匀的间距的横向桥层(1318)。此后,将绝缘体‑电极堆叠体(1802、1804)沉积到所述结构上(参见图18)。

技术研发人员:朱利安·埃尔萨巴希;弗雷德里克·瓦龙;保罗-亨利·奥梅塞;皮埃尔·诺埃;久伊·帕拉特
受保护的技术使用者:株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会
技术研发日:2019.11.21
技术公布日:2021.07.23
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