微机电系统装置的制造方法与流程

文档序号:20922388发布日期:2020-05-29 14:19阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种微机电系统装置的制造方法,其特征在于,包含:

提供一第三基板,其具有一第四表面以及一第五表面,并于该第四表面定义多个第一连接区域;

于该第三基板的该第四表面形成至少一第二凹槽以及一分割槽;

提供一第二基板,其具有一第二表面以及一第三表面,并于该第三表面定义多个第二连接区域;

将该第三基板与该第二基板接合,其中该多个第一连接区域以及该多个第二连接区域对应连接;

于该第二基板的该第二表面定义多个第三连接区域;

将该第二基板分割成彼此电性分离的一第一可动组件以及一第二可动组件,其中该第一可动组件与该第三基板空间上分离,至少一该第二凹槽对应于该第一可动组件,而该第二可动组件经由任一该第一连接区域及被连接的该对应第二连接区域与该第三基板连接;

提供一第一基板,其一第一表面包含一第一电路以及一第二电路;

于该第一基板的该第一表面定义多个第四连接区域;

将该第一基板与该第二基板接合,其中该多个第四连接区域以及该多个第三连接区域对应地形成电性连接,第一电路与该第一可动组件相对应,且该第二电路与该第二可动组件相对应;

薄化该第三基板;以及

自该分割槽处分割该第三基板为一第一盖体以及一第二盖体并自该第二盖体的该第五表面形成一第一凹槽,其中

该第一盖体对应于该第一可动组件;

该第二盖体与该第一基板之间形成一气密空腔以感测外部环境的压力变化;

该第二盖体的该第一凹槽的底部经由任一该第一连接区域及被连接的该对应第二连接区域与该第二可动组件连接;以及

该第二可动组件随着该第二盖体因外部环境的压力变化而连动。

2.如权利要求1所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,于提供该第二基板的步骤包括形成一介电层于该第二基板上以决定该多个第二连接区域其中之一与该第二基板是否电性分离,且形成该第一可动组件以及该第二可动组件的步骤更定义一参考组件,该参考组件经由与该第二基板电性分离的该第二连接区域与该第三基板连接,且与该第一基板之一参考电路相对应。

3.如权利要求1所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,该第二盖体与该第二可动组件的连接区域小于该第一凹槽的底部面积。

4.如权利要求1所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,更包含:

于该第二基板的该第二表面形成多个柱体,其对应于该第三连接区域。

5.如权利要求4所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,形成该多个柱体的步骤更包含形成一止动凸块,其对应设置于该第一可动组件以及该第二可动组件至少其中之一的该第二表面。

6.如权利要求1所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,该第一基板包含一互补式金氧半导体基板。

7.如权利要求1所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,该第二基板或该第三基板包含单晶硅。

8.如权利要求1所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,该第三基板与该第二基板的接合是以共晶键合、熔接、焊接以及粘合至少其中之一加以实现。

9.如权利要求1所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,该第一基板与该第二基板的接合是以共晶键合、熔接、焊接以及粘合至少其中之一加以实现。

10.如权利要求1所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,该第一连接区域以及该第二连接区域的接合区域包含一合金,其包含铝、铜、锗、铟、金以及硅至少其中之一。

11.如权利要求1所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,该第三连接区域以及该第四连接区域的接合区域包含一合金,其包含铝、铜、锗、铟、金以及硅至少其中之一。

12.如权利要求1所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,该第一基板与该第二基板接合的温度小于该第三基板与该第二基板接合的温度。

13.如权利要求1所述的微机电系统装置的制造方法,其特征在于,该第三基板与该第二基板接合的温度小于或等于摄氏450度。


技术总结
一种微机电系统装置的制造方法包含提供三基板;第一基板包含第一以及第二电路;第二基板的第三和第二表面分别定义第二和第三连接区域;第三基板的第四表面定义第一连接区域;接合第三基板和第二基板并且第一连接区域以及第二连接区域对应连接;第二基板分割成彼此电性分离的第一以及第二可动组件,其中第一可动组件与第三基板空间上分离,而第二可动组件经由第一连接及被连接的对应第二连接区域与该第三基板连接;第一基板与第二基板接合且第四以及第三连接区域对应连接,第一电路与第一可动组件电性连接,且第二电路与第二可动组件相对应;薄化第三基板;以及分割第三基板为第一盖体以及第二盖体。第一盖体对应于第一可动组件,第二盖体与第一基板之间形成一气密空腔以感测外部环境的压力变化,第二可动组件随着该第二盖体因外部环境的压力变化而连动,因此,微机电系统装置可借由单一制程整合压力传感器以及感测其它物理量的微机电系统结构于单一微机电系统装置中。

技术研发人员:曾立天;钱元晧
受保护的技术使用者:苏州明皜传感科技有限公司
技术研发日:2016.05.19
技术公布日:2020.05.29
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