1.一种半导体模块，其包括：
半导体装置，所述半导体装置包括嵌入在第一模制化合物之内的半导体本体，所述半导体本体限定包围内部空间的经模制的侧壁，所述半导体本体包括跨越所述内部空间的底部延伸的膜；和
盖，所述盖连接到所述经模制的侧壁并且跨越所述内部空间的顶部延伸，所述盖包括导电材料，以对所述半导体装置进行电屏蔽。
2.如权利要求1所述的半导体模块，其中，所述盖包括模制化合物，其中所述盖的形成所述内部空间的上表面的表面覆盖有导电材料层。
3.如权利要求1所述的半导体模块，其中，所述盖由导电材料形成。
4.如权利要求1所述的半导体模块，其中，所述半导体装置包括具有所述膜的麦克风，所述膜包括麦克风膜，使得所述内部空间形成所述麦克风的背面容积。
5.如权利要求4所述的半导体模块，其中，所述盖具有厚度，其中所述盖越薄，所述背面容积的容积越大，并且麦克风包的信噪比越大。
6.如权利要求1所述的半导体模块，其中，所述半导体装置包括传感器，所述传感器包括如下传感器中的一个：压力传感器、震动传感器、加速度传感器、温度传感器、气体传感器、湿度传感器、磁场传感器、电场传感器和光学传感器。
7.一种麦克风包，其包括：
侧壁，所述侧壁包围内部空间；
半导体本体，所述半导体本体包括连接在所述侧壁之间的麦克风膜，以限定所述内部空间的下表面；以及
盖，所述盖跨越所述侧壁的上表面来连接，以限定所述内部空间的上表面，所述内部空间表示所述麦克风膜的背面容积。
8.如权利要求7所述的麦克风包，其中，所述盖包括模制化合物，其中所述盖的限定所述内部空间的上表面的内壁包括导电材料层，以对所述半导体本体进行电屏蔽。
9.如权利要求7所述的麦克风包，其中，所述盖包括导电材料，以对所述半导体本体进行电屏蔽。
10.如权利要求7所述的麦克风包，其中，所述盖具有厚度，其中所述盖越薄，所述背面容积的容积越大，并且所述麦克风包的信噪比越大。
11.如权利要求7所述的麦克风包，其中，所述半导体本体包括半导体侧壁，使得所述麦克风膜连接在所述半导体侧壁之间，并且所述盖跨越所述半导体侧壁的上表面来连接。
12.如权利要求7所述的麦克风包，其中，所述半导体本体包括半导体侧壁，所述麦克风包进一步包括模制化合物的包围所述半导体本体的经模制的侧壁，其中所述盖跨越所述经模制的侧壁的上表面来连接。
13.如权利要求7所述的麦克风包，其中所述侧壁包括与所述半导体本体分离的模制化合物。
14.一种麦克风包，其包括：
半导体材料的半导体本体，所述半导体本体包括：半导体侧壁；和麦克风膜，所述麦克风膜跨越所述半导体侧壁的下边缘来连接，其中所述半导体侧壁和所述麦克风膜的内面包围内部空间；
模制化合物，所述模制化合物包围所述半导体侧壁的外面，以形成经模制的侧壁；以及
盖，所述盖跨越所述经模制的侧壁的上表面来连接，以形成所述内部空间的上表面，所述内部空间形成所述麦克风膜的背面容积。
15.如权利要求14所述的麦克风包，其中，所述盖具有厚度，其中所述盖越薄，所述背面容积的容积越大，并且所述麦克风包的信噪比越大。
16.如权利要求14所述的麦克风包，其中，所述盖包括模制化合物和在所述模制化合物的表面上的金属层，从而形成所述内部空间的所述上表面，其中所述金属层为所述半导体本体提供电屏蔽。
17.如权利要求14所述的麦克风包，其中，所述麦克风包进一步包括电气接触，所述电气接触被布置在所述麦克风包的底表面上跨越在所述半导体侧壁与所述经模制的侧壁之间的汇合部。