1.一种用于制造mems器件的方法，其特征在于，在第一晶圆上形成深槽，所述深槽与可动结构图案相配合；将所述第一晶圆与结构层晶圆相连接；在所述结构层晶圆上形成可动结构后舍弃所述第一晶圆。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过设置所述深槽的深度来改善所述可动结构形成过程中刻蚀工艺对所述可动结构的损伤。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结构层晶圆上的可动结构形成后，先将所述结构层晶圆与第二晶圆相连接，再舍弃所述第一晶圆。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆与所述结构层晶圆通过第一键合工艺相连接；所述第二晶圆与所述结构层晶圆通过第二键合工艺相连接；所述第一键合工艺与所述第二键合工艺不相同。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述结构层晶圆与第二晶圆相连接后，基于所述第一键合工艺与所述第二键合工艺的区别，采用相应工艺使所述第一晶圆与所述结构层晶圆间的键合脱离，而保持所述第二晶圆与所述结构层晶圆间的键合，从而舍弃所述第一晶圆。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，基于所述第一键合工艺所采用的键合介质与所述第二键合工艺所采用的键合介质的刻蚀选择比，通过湿法腐蚀工艺使所述第一晶圆与所述结构层晶圆间的键合脱离，而保持所述第二晶圆与所述结构层晶圆间的键合。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一键合工艺所采用的键合介质包括氧化硅；所述第二键合工艺所采用的键合介质包括金属。
8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆与所述结构层晶圆相连接后，先在所述结构层晶圆上形成其与所述第二晶圆的键合接触点，再形成所述可动结构。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述结构层晶圆上形成其与所述第二晶圆的键合接触点前，先对所述结构层晶圆进行减薄。
10.一种mems器件，其特征在于，采用如权利要求1-9任一所述的方法制备。