1.一种单根纳米线，其特征在于，所述单根纳米线设置有基底；
所述基底上沉积有金属层；
所述金属层中间刻蚀有沟道；
所述沟道内沉积有单根纳米线。
2.如权利要求1所述的单根纳米线，其特征在于，所述基底为sio2/si；
所述金属层包括ti和au；所述纳米线为pd纳米线。
3.如权利要求1所述的单根纳米线，其特征在于，所述基于单根纳米线长和宽为3.5μm和300nm，厚度分别为5nm和30nm。
4.一种如权利要求1～3所述单根纳米线的制备方法，其特征在于，所述纳米线的制备方法包括：
步骤一，在sio2/si基底利用光刻、溅射或lift-off基本mems工艺制作au电极；
步骤二，在具有金电极的基底上利用电子束曝光技术、溅射或lift-off基本mems工艺制作制备pd纳米线。
5.如权利要求4所述单根纳米线的制备方法，其特征在于，所述步骤一au电极制作方法包括：
(1)在清洗干净的sio2/si基底旋涂光刻胶，再把该基片置于加热台烘烤；烘烤温度为100℃、烘烤时间为3min；
(2)将基底置于光刻机的载物台上，盖上特制的掩膜版，利用紫外光曝光两次；两次曝光时间分别是5s和10s，第一次曝光后100℃烘烤2min；
(3)将曝光后的基片放在显影液中漂洗，进行再次烘烤；显影时间为40s,烘烤温度为100℃，时间为30min；
(4)利用磁控溅射仪在上述基底表面分别沉积金属ti和au，然后置于丙酮溶液中超声清洗去掉光刻胶，既得所需电极；金属ti和au厚度分别为20nm和20nm，超声时间为3min；au电极的中间沟道为3.5μm。
6.如权利要求4所述的单根纳米线的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，单根pd纳米线制备方法包括：
(i)首先在干净的具有金电极的基底旋涂50μl甲基丙烯酸甲酯，150℃下烘3min；接着旋涂50μl聚甲基丙烯酸甲酯，180℃下烘烤1.5min；
(ii)将准备好的样品放入样品仓中，在二次电子图像下，依据所留路径一步步接近要刻蚀的位置，利用电子束曝光技术进行曝光；刻蚀图案设置为单根纳米线，电压和束流分别为30kev和100μa；
(iii)将曝光后的样品放在显影液中侵泡1min，然后用去离子水冲洗；显影液由二甲基甲醇和4-甲基-2-戊酮以1：3比例配比而成；
(iv)利用磁控溅射仪在曝光过的样品上溅射pd，薄膜的厚度根据溅射的时间控制，再将样品放入丙酮浸泡24h，用去离子水清洗干净，得所述单根pd纳米线。
7.如权利要求4所述的单根纳米线的制备方法，其特征在于，所述步骤二中pd纳米线的长、宽、高分别为3.5μm×300nm×5nm和3.5μm×300nm×30nm。
8.一种利用权利要求1～3所述单根纳米线制备的氢气传感器。
9.一种利用权利要求1～3所述单根纳米线制备的微纳机电设备。