1.一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片，其特征在于，包括自上至下依次设置的浮雕结构层(100)、薄膜结构层(200)和背腔结构层(300)，所述浮雕结构层(100)包括浮雕结构(3)，所述浮雕结构(3)的端部刻蚀有隔离槽阵列，所述隔离槽阵列包括多个依次设置的隔离槽，所述相邻的两个隔离槽之间设置有压敏电阻组件，设置在同一个隔离槽阵列处的压敏电阻组件连接形成一个压敏电阻，所有的压敏电阻通过金属引线(6)连接，组成惠斯通电桥中电阻r1和电阻r3，电阻r1和电阻r3与外置的电阻r2和电阻r4连接组成惠斯通全桥实现电信号的输入和输出。
2.根据权利要求1所述的一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片，其特征在于，所述浮雕结构(3)为十字形。
3.根据权利要求2所述的一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片，其特征在于，所述浮雕结构(3)的根部具有倒角。
4.根据权利要求2所述的一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片，其特征在于，所述浮雕结构(3)的四个端部分别设置有第一阵列隔离槽(5-1)、第二阵列隔离槽(5-2)、第三阵列隔离槽(5-3)和第四阵列隔离槽(5-4)；所述第一阵列隔离槽(5-1)处设置有第一压敏电阻条(4-1)，所述第二阵列隔离槽(5-2)处设置有第二压敏电阻条(4-2)，所述第三阵列隔离槽(5-3)处设置有第三压敏电阻条(4-3)，所述第四阵列隔离槽(5-4)处设置有第四压敏电阻条(4-4)，所述第一压敏电阻条(4-1)和第四压敏电阻条(4-4)连接组成惠斯通电桥中的电阻r1，第二压敏电阻条(4-2)和第三压敏电阻条(4-3)连接组成惠斯通电桥中的电阻r3。
5.根据权利要求1所述的一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片，其特征在于，每个阵列隔离槽包括五个依次沿着薄膜的边设置的隔离槽，分隔相邻的两个隔离槽的四个侧壁上方分别设置有一折压敏电阻条，总共四折压敏电阻条，通过欧姆接触区(13)将四折压敏电阻条连接为一体，形成压敏电阻条。
6.根据权利要求1所述的一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片，其特征在于，所述背腔结构层(300)中刻蚀的背腔(14)为c型腔。
7.一种权利要求1所述的隔离槽阵列结构的压力传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、清洗soi硅片，所述soi硅片由上层单晶硅(9)、二氧化硅埋层(10)和下层单晶硅(11)组成；
步骤2、对soi硅片进行双面高温氧化，在soi硅片的顶面形成第一二氧化硅层(12)，在soi硅片的底面形成第二二氧化硅层(15)；
步骤3、使用压敏电阻版，采用离子刻蚀工艺去除第一二氧化硅层(12)中敏电阻区域内的二氧化硅，并进行硼离子轻掺杂，形成压敏电阻条；然后进行退火，保证soi片中杂质浓度均匀分布；
步骤4、在步骤3得的soi片正面成一层第三二氧化硅层，然后利用欧姆接触版，进行光刻和反应离子刻蚀，去除第三二氧化硅层和第一二氧化硅层(12)中欧姆接触区位置的二氧化硅，形成欧姆接触区限制离子重掺杂的区域，其余区域的二氧化硅层充当掩模，然后进行硼离子重掺杂，形成欧姆接触区(13)；
步骤5、在欧姆接触区(13)中，采用金属引线版去除金属引线和焊盘区域的第一二氧化硅层(12)和第三二氧化硅层，溅射金属层，形成金属引线(6)和焊盘(7)，并进行合金化处理；
步骤6、使用正面浮雕结构版和阵列隔离槽版，对步骤5得到的soi片正面进行光刻，采用离子刻蚀工艺在基底(1)正面刻蚀形成浮雕结构(3)和多个阵列隔离槽，所述阵列隔离槽刻蚀到soi中二氧化硅层(10)停止；
步骤7、使用背腔刻蚀版对步骤6得到的soi片背面进行光刻，以soi片中二氧化硅埋层(10)作为刻蚀停止层干法刻蚀去除多余的硅，形成背腔(14)；
步骤8、将步骤7得到的芯片结构与玻璃片(8)进行真空键合，制作出超低压力传感器芯片。
8.根据权利要求7所述的一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤4完成后，进行退火处理，使得欧姆接触区(13)的杂质掺杂浓度进一步均匀。