1.一种磁通门芯片的制备方法，其特征在于，包括：
步骤一：选择两片高阻硅片，将铁磁芯以电镀的方式安装在其中一片高阻硅片的第一表面；在另一片高阻硅片的第一表面进行刻蚀处理，形成铁磁芯腔；
步骤二：将电镀有铁磁芯的高阻硅片和开设有铁磁芯腔的高阻硅片上下键合，使得铁磁芯嵌入铁磁芯腔中；
步骤三：分别在电镀有铁磁芯的高阻硅片的第二表面和开设有铁磁芯腔的高阻硅片的第二表面进行氧化处理，沉积形成绝缘层；
步骤四：在电镀有铁磁芯的高阻硅片的第二表面上刻蚀多条横跨铁磁芯的第一线圈槽和一个独立的第一电极窗口；
步骤五：沿电镀有铁磁芯的高阻硅片的厚度方向，在每一条第一线圈槽的两端分别刻蚀有与对应第一线圈槽相连通的第一通槽；
步骤六：将两个键合的高阻硅片整体上下翻转；
步骤七：在开设有铁磁芯腔的高阻硅片的第二表面上刻蚀有多条横跨铁磁芯腔的第二线圈槽和一个独立的第二电极窗口；
步骤八：沿开设有铁磁芯腔的高阻硅片的厚度方向，在每一条第二线圈槽的两端分别刻蚀有与对应第二线圈槽相连通的第二通槽，形成硅片模具，其中，在硅片模具表面形成环形凹腔；
步骤九：分别在第一线圈槽、第一通槽、第一电极窗口、第二线圈槽、第二通槽以及第二电极窗口的表面进行氧化处理，沉积形成绝缘层；
步骤十：往硅片模具的环形凹腔内填充合金，完成磁通门芯片的制备。
2.根据权利要求1所述的一种磁通门芯片的制备方法，其特征在于，步骤一中的铁磁芯腔的横截面积大于铁磁芯的横截面积。
3.根据权利要求1所述的一种磁通门芯片的制备方法，其特征在于，步骤二中电镀有铁磁芯的高阻硅片与开设有铁磁芯腔的高阻硅片上下键合时，通过聚合膜上下键合。
4.根据权利要求1所述的一种磁通门芯片的制备方法，其特征在于，步骤四中相邻两第一线圈槽之间为等距离设置，步骤七中相邻两第二线圈槽之间为等距离设置。
5.根据权利要求4所述的一种磁通门芯片的制备方法，其特征在于，对应位置上的第一线圈槽、第一通槽、第二线圈槽以及第二通槽首尾相连，形成环形凹腔。
6.根据权利要求4所述的一种磁通门芯片的制备方法，其特征在于，第一电极窗口的位置与第二电极窗口的位置相对设置，其中，第一电极窗口与第二电极窗口上下连通，呈同轴设置。
7.根据权利要求1所述的一种磁通门芯片的制备方法，其特征在于，步骤九中的氧化处理采用热氧化或者pecvd的方法。
8.根据权利要求1所述的一种磁通门芯片的制备方法，其特征在于，步骤一、步骤四、步骤五、步骤七以及步骤八中的刻蚀采用koh或者tmah材料进行刻蚀处理，或者使用drie的方法进行刻蚀处理。